LAS-system ceramic powder, spodumene ($Li_2O{\cdot}Al_2O_3{\cdot}4SiO_2$), was successfully synthesized by a chemical solution technique employing PVA(polyvinyl alcohol) as an organic carrier. The PVA content affected the microstructure of porous precursor gels and the crystalline development. The optimum PVA content contributed to homogeneous distribution of metal ions in the precursor gel and it resulted in the synthesis of glass free $\beta$-spodumene powder having a specific surface area of $7.57\;m^2/g$. The agglomerated $\beta$-spodumene powders were also enough soft to grind to fine powders by a simple ball milling process. The microstructures of the densified powder compacts were strongly dependant on the minor phases of spodumene solid solution and amount of liquid phase, which were formed from the inhomogeneous precursors.
Chae, Seong Won;Yun, Ho Jin;Yang, Seung Dong;Jeong, Jun Kyo;Park, Jung Hyun;Kim, Yu Jeong;Kim, Hyo Jin;Lee, Ga-Won
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.18
no.3
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pp.155-158
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2017
In this paper, ZnO Thin Film Transistors (TFTs) were fabricated by a sol-gel method using a low-temperature process, and their physical and electrical characteristics were analyzed. To lower the process temperature to $200^{\circ}C$, we used a zinc nitrate hydrate ($Zn(NO_3)_2{\cdot}xH_2O$) precursor. Thermo Gravimetric Analyzer (TGA) analysis showed that the zinc nitrate hydrate precursor solution had 1.5% residual organics, much less than the 6.5% of zinc acetate dihydrate at $200^{\circ}C$. In the sol-gel method, organic materials in the precursor disrupt formation of a high-quality film, and high-temperature annealing is needed to remove the organic residuals, which implies that, by using zinc nitrate hydrate, ZnO devices can be fabricated at a much lower temperature. Using an X-Ray Diffractometer (XRD) and an X-ray Photoelectron Spectrometer (XPS), $200^{\circ}C$ annealed ZnO film with zinc nitrate hydrate (ZnO (N)) was found to have an amorphous phase and much more oxygen vacancy ($V_o$) than Zn-O bonds. Despite no crystallinity, the ZnO (N) had conductance comparable to that of ZnO with zinc acetate dihydrate (ZnO (A)) annealed at $500^{\circ}C$ as in TFTs. These results show that sol-gel could be made a potent process for low-cost and flexible device applications by optimizing the precursors.
The milling effects of a precursor $Y_2BaCuO_5$ (Y211) powder having 1 wt.% $CeO_2$ on the microstructure and critical current density ($J_c$) of liquid infiltration growth (LIG) processed $YBa_2Cu_3O_{7-y}$ (Y-123) bulk superconductors were investigated. The microstructure analysis revealed that the Y211 size in the final Y-123 products decreased with increasing the milling time and a relatively high density and uniform distribution of Y211 inclusions were observed in the sample prepared using 8 h milled powder. However, the unexpected Y211 particles coarsening was observed from the 4 h milled sample which was further increased for 10 h milled sample. Critical current density ($J_c$) of the LIG processed Y-123 bulk superconductors was found to be dependent on the milling time of the Y211 precursor powder. The $J_c$ increased with the increase of milling time and reached up to a maximum at 8 h in the self field while 10 h milled sample showed lower $J_c$ at the same field which might be due to the exaggerated growth and non-uniform distribution of Y211 particles.
ZnO nanorods were grown on ZnO seed layer by hydrothermal method. The ZnO seed layer was coated by sol-gel method, and then the ZnO nanorods on ZnO seed layer were grown with different precursor concentrations ranging from 0.01 M to 0.3 M. FE-SEM (field-emission scanning electron microscopy), XRD (X-ray diffraction), and PL (photoluminescence) were employed to investigate the structural and optical properties of the ZnO nanorods. The diameter and length of ZnO nanorods are increased and also the optical properties are enhanced as the precursor concentrations are increased.
[ ${\alpha}-Al_2O_3$ ] precursor was synthesised by sol-gel method using aluminum sulfate, sodium sulfate and sodium carbonate as law materials. The flaky ${\alpha}-Al_2O_3$ crystals were prepared by heating using precursor about $1,050^{\circ}C$. In this study, the effect of some transition-metal sulfate ($FeSO_4,\;SnSO_4,\;ZnSO_4$) addition have been investigated. When iron sulfate was added, it could see that act on impurities in crystal growth process. In case of tin sulfate, distribution of Platelets was very broad. When flaky ${\alpha}-Al_2O_3$ crystals were prepared zinc sulfate addition, thickness, size, and distribution of platelets was suited to industrial application. The average diameter of flaky ${\alpha}-Al_2O_3$ crystals was about 20 $\mu$m, and its thickness was about 0.3 $\mu$m. Increasing addition of zinc sulfate, thickness of ${\alpha}-Al_2O_3$ platelet was decreased.
Park, Jin-A;Kim, Byung-Joo;Im, Sun-Won;Ahn, Ji-Hyun;Kim, Ho-Jin;Hong, Gye-Won;Lee, Hee-Gyun
Proceedings of the KIEE Conference
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2005.07c
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pp.1998-2000
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2005
The effects of the addition of nanocrystalline Y2O3 powder on the microstructure and superconducting properties have been investigated in YBCO films prepared by TFA-MOD process. Precursor solution doped with extra $Y_2O_3$ Powder was prepared by adding $Y_2O_3$ powder into a stoichiometic precursor solution with a cation ratio of Y:Ba:Cu=1:2:3. Coating solutions with and without $Y_2O_3$ doping were coated on $LaAlO_3(100)$ single crystal by a dip coating method, cacination and conversion heat treatments were performed at the controlled atmosphere containing water vapor Current carry capacity(Jc) of YBCO film was enhanced about 50% by $Y_2O_3$ doping. It is thought that the enhancement of Jc is due to the better connectivity of YBCO grains and/or the flux pinning by the presence of nanocrystalline $Y_2O_3$ Particles embedded in YBCO grains.
Park, Sang-Man;Lee, Sung-Gap;Noh, Hyun-Ji;Lee, Young-Hie;Bae, Seon-Gi
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2006.11a
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pp.35-36
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2006
The influence of the concentration of precursor solution and the number of solution coatings on the densification of the Pb($Zr_xTi_{1-x}$)$O_3$(PZT) thick films was studied. PZT powder and PZT precursor solution were prepared by sol-gel method and PZT thick films were fabricated by the screen-printing method on the alumina substrates. The powder and solution of composition were PZT(70/30) and PZT(30/70), respectively. The coating and drying procedure was repeated 4 times. And then the PZT precursor solution was spin-coated on the PZT thick films. A concentration of a coating solution was 0.5 to 2.0 mol/L[M] and the number of coating was repeated from 0 to 6. The relative dielectric constant of the PZT thick film was increased with increasing the number of solution coatings and the thick films with 15M, 6-time coated showed the 698. The remanent polarization of the 1.5M, 6-time coated PZT thick films was 38.3 ${\mu}C/cm^2$.
A promising candidate material for a $H_2$ permeable membrane is SiC due to its many unique properties. A hydrogen-selective SiC membrane was successfully fabricated on the outer surface of an intermediate multilayer $\gamma-Al_2O_3$ with a graded structure. The $\gamma-Al_2O_3$ multilayer was formed on top of a macroporous $\alpha-Al_2O_3$ support by consecutively dipping into a set of successive solutions containing boehmite sols of different particle sizes and then calcining. The boehmite sols were prepared from an aluminum isopropoxide precursor and heated to $80^{\circ}C$ with high speed stirring for 24 hrs to hydrolyze the precursor. Then the solutions were refluxed at $92^{\circ}C$ for 20 hrs to form a boehmite precipitate. The particle size of the boehmite sols was controlled according to various experimental parameters, such as acid types and acid concentrations. The topmost SiC layer was formed on top of the intermediate $\gamma-Al_2O_3$ by pyrolysis of a SiC precursor, polycarbosilane, in an Ar atmosphere. The resulting amorphous SiC-on-$Al_2O_3$ composite membrane pyrolyzed at $900^{\circ}C$ possessed a high $H_2$ permeability of $3.61\times10^{-7}$$mol{\cdot}m^{-2}{\cdot}s^{-1}{\cdot}Pa^{-1}$ and the $H_2/CO_2$ selectivity was much higher than the theoretical value of 4.69 in all permeation temperature ranges. Gas permeabilities through a SiC membrane are affected by Knudsen diffusion and a surface diffusion mechanism, which are based on the molecular weight of gas species and movement of adsorbed gas molecules on the surface of the pores.
Optimization of process variables, including oxygen and water partial pressure and also an nesting temperature, was performed in batch-type process to fabricate YBCO films on LaAlO3 single crystal. In this work, YBCO oxide powder was used as a starting precursor for metal-organic deposition(MOD)method. The precursor films were fabricated in batch furnace and they were converted to the epitaxial YBCO films at the same furnace with varying the process variables. The oxygen partial pressure was varied from 100ppm to 2000ppm and the water partial pressure from 1.2% to 12.2%. The window for optimal P(O2) was narrow about 700ppm for batch-type process. YBCO films in bathc-thype MOD process were optimized at 740-770oC and P(H2O) of 2.3%-7.3%.
In the fields of the optics, precise machine, semiconducting processing, the micro-positioning actuators are required for the control of position in the submicron range. In this study, $Pb(Ni_{1/3}Nb_{2/3})O_3-Pb({Zn}_{1/3}Nb_{2/3})O_3-Pb({Zr}_{1/2}Ti_{1/2})O_3$ ceramics were fabricated by solid state reaction. The structural, dielectric and electric properties were investigated for sintering condition. The specimen sintered at $1,150(^\circ}C)$ for 1hr, had the highest density and dielectric contant. The resistivity, dielectric and density were increased with increasing PZN contents.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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