• Journal of Welding and Joining
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• 제12권1호
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• pp.51-58
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• 1994

Amount of spatter, welding conditions and welding costs were investigated for MAG welding. $CO_2$, Ar+18%;$CO_2$ and Ar+8%$O_2$ were used for shielding gases. As results, arc characteristics and appropriate range for welding were obtained. Amount of spatter in Ar+18%$CO_2$ gas welding was 20% of that of $CO_2$ welding, and Ar+8%$O_2$ was 10% of that of $CO_2$ welding. Therefore by using Ar+18%$CO_2$and Ar+8%$O_2$ gases, welding costs could be reduced compared with $CO_2$ welding due to avoiding spatter.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.80-80
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• 2011

본 연구에서는 flexible 광전소자에 응용이 가능한 투명전극을 위해 polyethersulfone (PES) 기판 위에 GaZnO (GZO) 박막을 마그네트론 스퍼터 법으로 증착하였다. 박막 증착 중 Ar 분압의 변화가 박막의 특성에 미치는 영향을 분석하기 위해, 스퍼터 반응시 chamber내 Ar 분압을 10 sccm~50 sccm 범위에서 변화를 주었다. 박막이 증착된 후 GZO/PES 시료의 광학적 투과율을 측정한 결과 가시광 영역에서 80% 이상의 높은 투과율을 보이고 있었다. 이때 광학적 투과율은 Ar 분압의 변화에는 영향을 받고 있지 않은 것으로 분석되었다. 시료의 표면을 주사전자현미경 분광법으로 분석한 결과 Ar 분압이 증가 할수록 GZO grain 크기가 감소하여 그 조밀도가 증가하는 경향을 나타내었다. 또한 x-ray 회절 스펙트럼에서는 ZnO (002) peak의 세기가 증가함을 확인하였고, 이에 반하여 $ZnGa_2O_4$의 (311) peak의 세기는 감소하는 경향을 확인할 수 있었다. 한편 제작된 시료의 전기적 특성을 분석한 결과 Ar 분압의 증가에 따라 비저항이 약 $7.5{\times}10^{-3}{\Omega}cm$ 까지 감소하는 경향을 보였다. 이는 Ar 분압이 증가할수록 Ar-plasma enhancement 효과로 GZO의 결정학적 특성이 향상되면서 GZO의 전기전도 특성을 저해 하는 insulating $ZnGa_2O_4phase$의 형성을 억제하였기 때문인 것으로 해석된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.65-65
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• 2009

본 연구에서는 ICP 식각장치 및 $Cl_2$/Ar 플라즈마에 의한 $Ba_2Ti_9O_{20}$(BTO) 박막의 식각 특성을 고찰하였다. XPS 분석 장치를 이용하여 식각 표면 반응을 조사하였으며, 공정 변수 ($Cl_2$/Ar 가스 혼합비, 소스파워, 챔버 압력, 바이어스 파워)에 따라 플라즈마 특성 변화를 Langmuir probe measuring system을 이용하여 추출하였다. $Cl_2$/Ar 가스에서 Ar 가스의 혼합비가 증가함에 따라 BTO 박막의 식각 속도는 감소하였으며, $Cl_2$ 가스만을 사용하는 경우, 31.7 nm/min 으로 가장 높은 식각 속도를 보였다. Ar 가스의 혼합비에 따른 BTO박막의 식각속도 변화는 Langmuir probe 특성과 XPS 분석결과로부터 플라즈마 내에 형성되는 Cl radical density와 밀접한 관련이 있는 것으로 판단할 수 있다.

• 한국진공학회지
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• 제12권S1호
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• pp.92-94
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• 2003

The sputtering yield change of an amorphous Si layer on Si(100) was measured quantitatively for 0.5 keV $O_2^{+}$ and $Ar^{+}$ ion bombardment with in suit MEIS. In the case of 0.5 keV $O_2^{+}$ ion bombardment, at the initial stage of sputtering before surface oxidation, the sputtering yield of Si was 1.4 (Si atoms/$O_2^{+}$) and then decreased down to 0.06 at the ion dose of $3\times10^{16}O_2\;^{+}\textrm{/cm}^2$. In the case of 0.5 keV $Ar^{+}$ ion bombardment, the sputtering yield of Si for the surface normal incidence was 0.56 at the ion dose of 2.5 ${\times}$ 10$^{15}$ $Ar^{+}\textrm{cm}^2$, and rapidly saturated to 1.2 at dose of $7.5\times10^{15}Ar^+\textrm{cm}^2$. For the incidence angle of 80 from surface normal, the sputtering yield of Si was saturated to about 1.4 at the initial stage of sputtering. The surface transient effects, caused by change in sputtering yield at the initial stage of sputtering can be negligible when 0.5 keV $Ar^{+}$ ion at extremely grazing angle was used for sputter depth profiling.g.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제9권2호
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• pp.27-31
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• 2002

본 연구에서는 ICP 식각장비에서 700 W의 RF전력과 -200 vo1t의 dc 바이어스 전압 및 15 mTorr의 반응로 압력에서 $Ar/CF_2$ 혼합가스에 $C1_2$가스를 첨가하면서 $CeO_2$ 박막을 식각하였다 최대식각 속도는 10%의 $C1_2$ 가스를 첨가하였을 시에 250 $\AA$/min이었고, 이 조건에서 SBT에 대한 식각 선택비는 0.4이었다. XPS를 이용하여 식각된 $CeO_2$ 박막의 표면반응을 검토하였다. Ce 피크는 대부분 $CeO_2$또는 $Ce_2O_3$형태로 Ce-O 결합상태임을 관찰할 수 있었다. 대부분의 Cl 피크는 CeClx 또는 $Ce_x/O_yCl_z$ 형태로 Ce 원자와 결합하고 있었다

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제9권1호
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• pp.35-40
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• 2010

We have investigated the effects of hydrogen injection via in-situ gas addition ($O_2$, $H_2$, or $O_2$ + $H_2$ gas) and plasma post-treatment (Ar or Ar + H plasma) on material properties of ZnO that is considered to be as a channel layer in transparent thin film transistors. The variations in the electrical resistivity, optical transmittance and bandgap energy, and crystal quality of ZnO thin films were characterized in terms of the methods and conditions used in hydrogen injection. The resistivity was significantly decreased by injection of hydrogen; approximately $10^6\;{\Omega}cm$ for as-grown, $1.2\;{\times}\;10^2\;{\Omega}cm$ for in-situ with $O_2/H_2\;=\;2/3$ addition, and $0.1\;{\Omega}cm$ after Ar + H plasma treatment of 90 min. The average transmittance of ZnO films measured at a wavelength of 400-700 nm was gradually increased by increasing the post-treatment time in Ar + H plasma. The optical bandgap energy of ZnO films was almost monotonically increased by decreasing the $O_2/H_2$ ratio in in-situ gas addition or by increasing the post-treatment time in Ar + H plasma, while the post-treatment using Ar plasma hardly affected the bandgap energy. The role of hydrogen in ZnO was discussed by considering the creation and annihilation of oxygen vacancies as well as the formation of shallow donors by hydrogen.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제24권4호
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• pp.276-279
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• 2011

This work, the etching characteristics of $Ba_2Ti_9O_{20}$(BTO) thin films were investigated using an inductively coupled plasma (ICP) of $Ar/Cl_2$ gas mixture. The etch rate of BTO thin films as well as the $BTO/SiO_2$ and BTO/PR etch selectivity were measured as functions of $Ar/Cl_2$ mixing ratio (0~100% Ar) at a constants gas pressure (6 mTorr), total gas flow rate (50 sccm), input power (700 W) and bias power (200 W). The etch rate of BTO thin films decreased with increasing Ar fraction. To analyze the etching mechanism an optical emission spectroscopy (OES), double Langmuir probe(DLP) and surface analysis using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) were carried out.

• 한국진공학회지
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• 제14권4호
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• pp.238-244
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• 2005

rf 마그네트론 스퍼터링 방법을 사용하여 유리기판 위에 $In_2O_3$ : ZnO=90 : 10 $wt.\%$의 조성비를 갖는 indium-zinc-oxide(IZO) 박막을 산소분압 $O_2$/(Ar +$O_2$) : $0\~10 \%$의 Ar가스 분위기에서 제작하였다. IZO 박막의 면저항은 증착 시 유입되는 산소량이 증가함에 따라 현저하게 증가하는데, 순수한 Ar 가스 분위기에서 증착될 때 $3.7\times10^{-4}\Omega\cdot$ cm 정도의 가장 낮은 비저항과 가시광 영역에서 평균 $85\%$ 이상의 투과율을 보이는 박막이 얻어진다. $600^{\circ}C$의 다양한 환경에서 옅처리될 경우, 순수한 Ar 분위기에서 성막된 IZO 박막의 전기적 저항 변화는 박막 내에 포함된 In 또는 InO와 같은 금속 성분들의 결정화와 산화에 의해 설명되어 진다. 또한 IZO 박막을 공기 중에서 열처리하는 동안 $600^{\circ}C$ 이상에서 현저하게 일어나는 산소 흡착과 구조 변화에 의한 전기적 특성들이 조사된다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제14권7호
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• pp.551-556
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• 2001

In this work, the recovery of etching damage in the etched PZT thin film with $O_2$ annealing has been studied. The PZT thin films were etched as a function of Cl$_2$/Ar and additive CF$_4$ into Cl$_2$(80%) /Ar(20%). the etch rates of PZT thin films were 1600$\AA$/min at Cl$_2$(80%)/Ar(20%) and 1970 $\AA$/min at 30% additive Cf$_4$ into Cl$_2$(80%)/Ar(20%). In order to recover the characteristics of etched PZT thin films, the etched PZT thin films were annealed in $O_2$ atmosphere at various temperatures. From the hysteresis curves, ferroelectrical properties are improved by $O_2$ annealing process. The improvement of ferroelectric behavior is consistent with the increase of the (100) and (200) PZT phase revealed by x-ray diffraction (XRD). From x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis, intensities of Pb-O, Zr-O and Ti-O peak increase and the chemical residue peak is reduced by $O_2$ annealing. From the atomic force microscopy (AFM) images. it shows that the surface morphology of re-annealed PZT thin films after etching is improved.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제15권3호
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• pp.164-169
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• 2014

We investigated the etching characteristics of $HfAlO_3$ thin films in $O_2/Cl_2/Ar$ and $O_2/BCl_3/Ar$ gas, using a high-density plasma (HDP) system. The etch rates of the $HfAlO_3$ thin film obtained were 30.1 nm/min and 36 nm/min in the $O_2/Cl_2/Ar$ (3:4:16 sccm) and $O_2/BCl_3/Ar$ (3:4:16 sccm) gas mixtures, respectively. At the same time, the etch rate was measured as a function of the etching parameter, namely as the process pressure. The chemical states on the surface of the etched $HfAlO_3$ thin films were investigated by X-ray photoelectron spectroscopy. Auger electron spectroscopy was used for elemental analysis on the surface of the etched $HfAlO_3$ thin films. These surface analyses confirm that the surface of the etched $HfAlO_3$ thin film is formed with nonvolatile by-product. Also, Cl-O can protect the sidewall due to additional $O_2$.