Effect of Film thickness on the sensing behavior of thin-film-type ags sensor has been analyzed by deriving an equation form a simple model, and the equation was applied to the sensing behavior of ${SnO}_{2}$ and CuO-${SnO}_{2}$ thin-film sensors. It was revealed, from the equation,that the gas sensing property was closely related to gas diffusivity into the film which was a function of film thickness, reactivity of the gas detected with sensing material, operating temperature, etc. The equation derived was well consistent with the experimental results from ${SnO}_{2}$ and CuO-${SnO}_{2}$ thin-film sensors and explained their different ${H}_{2}S$ sensing behaviors. Finally, a medel was suggested, explainning the effect of gas diffusivity on sensing be havior of oxide semiconductor sensor.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.08a
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pp.359-359
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2011
This study reports the H2S gas sensing properties of CuO / ZnO nano-hetero structure bundle and the investigation of gas sensing mechanism. The 1-Dimensional ZnO nano-structure was synthesized by hydrothermal method and CuO / ZnO nano-heterostructures were prepared by photo chemical reaction. Scanning electron microscopy (SEM) and X-ray diffraction (XRD) spectra confirmed a well-crystalline ZnO of hexagonal structure. In order to improve the H2S gas sensing properties, simple type of gas sensor was fabricated with ZnO nano-heterostructures, which were prepared by photo-chemical deposition of CuO on the ZnO nanorods bundle. The furnace type gas sensing system was used to characterize sensing properties with diluted H2S gas (50 ppm) balanced air at various operating temperature up to 500$^{\circ}C$. The H2S gas response of ZnO nanorods bundle sensor increased with increasing temperature, which is thought to be due to chemical reaction of nanorods with gas molecules. Through analysis of X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), the sensing mechanism of ZnO nanorods bundle sensor was explained by well-known surface reaction between ZnO surface atoms and hydrogen sulfide. However at high sensing temperature, chemical conversion of ZnO nanorods becomes a dominant sensing mechanism in current system. Photo-chemically fabricated CuO/ZnO heteronanostructures show higher gas response and higher current level than ZnO nanorods bundle. The gas sensing mechanism of the heteronanostructure can be explained by the chemical conversion of sensing material through the reaction with H2S gas.
International Journal of Internet, Broadcasting and Communication
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v.11
no.4
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pp.71-75
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2019
Sleep apnea is a disease that causes various complications, and the polysomnography is expensive and difficult to measure. The purpose of this study is to develop an unrestricted wearable monitoring system so that patients can be examined in a familiar environment. We used a method to detect sleep apnea events and to determine sleep satisfaction by non-constrained method using SpO2 measurement sensor and 3-axis acceleration sensor. Heart rate and SpO2 were measured at the finger using max30100. After acquiring the SpO2 data of the user in real time, the apnea measurement algorithm was used to transmit the number of apnea events of the user to the mobile phone using Bluetooth (HC-06) on the wrist. Using the three-axis acceleration sensor (mpu6050) attached to the upper body, the number of times of tossing and turning during sleep was measured. Based on this data, this algorithm evaluates the patient's tossing and turning during sleep and transmits the data to the mobile phone via Bluetooth. The power source used 9 volts battery to operate Arduino UNO and sensors for portability and stability, and the data received from each sensor can be used to check the various degree between sleep apnea and sleep tossing and turning on the mobile phone. Through thisstudy, we have developed a wearable sleep apnea measurement system that can be easily used at home for the problem of low sleep efficiency of sleep apnea patients.
$Eu^{2+}$-doped ${SrAl_2}{O_4}$ and $Eu^{2+}$, $Dy^{3+}$ co-doped ${SrAl_2}{O_4}$ phosphors have been synthesized by conventional solid state method. Photocurrent properties of $Eu^{2+}$ doped ${SrAl_2}{O_4}$ and $Eu^{2+}$, $Dy^{3+}$ co-doped ${SrAl_2}{O_4}$ phosphors, in order to elucidate $Dy^{3+}$ co-doping effect, during and after ceasing ultraviolet-ray (UV) irradiation have been investigated. The photocurrent of $Eu^{2+}$, $Dy^{3+}$ co-doped ${SrAl_2}{O_4}$ phosphors during UV irradiation was 4-times lower than that of $Eu^{2+}$-doped ${SrAl_2}{O_4}$ during UV irradiation, and 7-times higher than that of $Eu^{2+}$-doped ${SrAl_2}{O_4}$ after ceasing UV irradiation. The photocurrent results indicated that holes of charge carriers captured in hole trapping center during the UV irradiation and liberated after-glow process, and made clear that $Dy^{3+}$ of co-dopant acted as a hole trap. The photocurrent of ${SrAl_2}{O_4}$ showed a good proportional relationship to UV intensity in the range of $1{\sim}5mW/cm^2$, and $Eu^{2+}$-doped ${SrAl_2}{O_4}$ was confirmed to be a possible UV sensor.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.14
no.10
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pp.4799-4804
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2013
Green IT technology for the growth of low-carbon green environment and future development of the new technology. Therefore, in this paper, data generated by the security module for RFID applications, smart green building Sung multi-function sensor integrated module that can be integrated environment for building monitoring and management system has been developed. The development of a thermal sensor, temperature sensor, smog sensor, CO2 sensor, O2 sensor, tension sensor and damage detection sensor module with integrated system module integrated multi-functional sensors implemented in the paper. In real-time monitoring by allowing was design and developed system that can be implemented smart green building environment for the environment inside buildings.
The $\alpha$-Fe$_2$O$_3$ gas sensor, prepared by the precipitation of Fe(OH)$_3$ from a solution of iron(III) sulfate and tin (IV) chloride, was composed of fine particles and was superior in sensitivity to other $\alpha$-Fe$_2$O$_3$. The gas sensitivity was found to depend on the amounts of remaining sulfate ion the microstructure and a small amount of iron(II) species generated through the reduction of $\alpha$-Fe$_2$O$_3$. The sensing mechanism of $\alpha$-Fe$_2$O$_3$gas sensor was confirmed to be due to the reduction of $\alpha$-Fe$_2$O$_3$ to the low resistive Fe$_3$-xO$_4$ by combustible gas and to depend on the crystral structure.
$TiO_{2-x}$ thin film humidity sensors have been fabricated by sputtering method and their physical and hygroscopic characteristics have been investigated. The sputtering conditions and sintering conditions affect the sensor's sensitivity toward humidity. AES and SEM micrographs were taken for the analysis of crystal structures, surface morphology caused by adsorbed water vapour. $TiO_{2-x}$ humidity sensors showed negative impedance-humidity characteristics and the sensor which was fabricated by experimental condition 2(rf power of 200W) showed higher sensitivity and linearity than others. Then the slope of the sensor was about $0.794\;K{\Omega}/%RH$ and the response time of $TiO_{2-x}$ humidity sensors was about 2 min. for adsorption and about 3 min. for desorption at the operating temperature of $30^{\circ}C$.
A chromel-alumel thermoelectric flow sensor using $Si_3N_4/SiO_2/Si_3N_4$ thermal isolation membrane was fabricated. Temperature coefficient of resistance of thin film Pt-heater was about $0.00397/^{\circ}C$, and Seebeck coefficient of chromel-alumel thermocouple was about $36\;{\mu}V/K$. The sensor showed that thermoelectric voltage decreased as thermal conductivity of gas increased, and $N_2$-flow sensitivity increased as heater voltage increased or the distance between heater and thermocouple decreased. When heater voltage was about 2.5 V, $N_2$-flow sensitivity and thermal response time of the sensor were about $1.5\;mV/sccm^{1/2}$ and 0.18 sec., respectively. Linear range in flow sensitivity of the flow sensor was wider than that of Bi-Sb flow sensor.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2004.11a
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pp.387-391
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2004
[ $(Bi_{1/2}Na_{1/2})TiO_3$ ](BNT) is considered to be an excellent candidate for the key material of lead-free piezoelectric ceramic due to properties of strong ferroelectricity with a relatively large remanent polarization $Pr=38{\mu}C/cm^2$, and a large coercive field, Ec=73KV/cm. In this study, electrical properties of pressure sensor using a $0.96Bi_{0.5}(Na_{0.84}K_{0.16})_{0.5}TiO_3+0.04SrTiO_3+0.2wt%La_2O_3$ ceramics are investigated. Resonant frequency of pressure sensor was decreased with increasing pressure. However, its anti-resonant frequency was increased with increasing pressure.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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