Electric field-induced phase transition from the tetragonal to rhombohedral phase was investigated for the <111> direction in tetragonal PZN-PT single crystals, which have spontaneous polarization along the <001> direction. From the strain and dielectric data, it was confirmed that the samples followed a tetragonal-orthorhombic-rhombohedral phase transition sequence with application of an electric field. This transition is different from the rhombohedral-tetragonal phase transition of <001> rhombohedral composition single crystals, in which a phase transition occurred without showing the intermediate orthorhombic phase.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.07a
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pp.398-401
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2001
The dielectric and piezoelectric properties of Pb(Mn$\_$1/3/Nb$\_$2/3)O$_3$-Pb(Zr,Ti)O$_3$ceramics were investigated as a function of Zr/Ti ratio. Curie temperature was increased with the increase of Ti amount. At the Zr/Ti ratio of 0.495/0.505, dielectric constant and electromechanical coupling factor(kp) showed the maximum value of 1159 and 0.523 respectively.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2004.07b
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pp.569-573
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2004
RAINBOW(Reduced And Internally Biased Oxide Wafers) are a new class of high-displacement, piezoelectric actuator produced by selectively removing oxygen from one surface of ceramic using a high-temperature chemical reduction process. In this paper, RAINBOW composition of 0.4Pb$(Ni_{1/3}Nb_{2/3})O_3-0.6Pb(Zr_xTi_{1-x})O_3$ were prepared. Its dielectric and piezoelectric properties were investigated in the vicinity of MPB. The strain - electric field characteristics of RAINBOW actuator were significantly improved comparison with the conventional bulk actuator.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.25
no.4
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pp.286-289
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2012
In this paper, we have proposed piezoelectric energy harvester employing the pillar structure with the diameter size of 500 um. So we have selected the Su-8 photo-resist and modified lithography process to manufacture the pillar structure with height above the $500{\mu}m$. Simultaneously, we tried to make a comparative study to use ceramic bulk - polymer structure In this paper, we will report the process and properties of micro pillar structure based on the PMN-PZT ($Pb(Mg_{1/3}Nb_{2/3})O_3-PbZrTiO_3$) materials. Finally, We will propose a method for generating electrical energy with a piezoelectric element using vibration, an energy source can be obtained from the "clean" energy.
In order to increase the magnetic loss for electromagnetic(EM) wave absorption, the soft magnetic $Fe_{73}Si_{16}B_7Nb_3Cu_1$(at%) alloy strip was used as the basic material in this study. The melt-spun strip was pulverized using an attrition mill, and the pulverized flake-shaped powder was crystallized at $540^{\circ}C$ for 1h to obtain the optimum grain size. The Fe-based powder was mixed with 2 wt% $BaTiO_3$, $0.3{\sim}0.6$ wt% carbon black, and polymer-based binders for the improvement of electromagnetic wave absorption properties. The mixture powders were tape-cast and dried to form the absorption sheets. After drying at $100^{\circ}C$ for 1h, the sheets of 0.5 mm in thickness were made by rolling at $60^{\circ}C$, and cut into toroidal shape to measure the absorption properties of samples. The characteristics including permittivity, permeability and power loss were measured using a Network Analyzer(N5230A). Consequently, the properties of electromagnetic wave absorber were improved with the addition of both $BaTiO_3$ and carbon black powder, which was caused by the increased dielectric loss of the additive powders.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.28
no.9
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pp.598-601
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2015
The $Sr_{0.7}Bi_{2.3}Nb_2O_9(SBN)$ thin films are deposited on Pt electrode($Pt/Ti/SiO_2/Si$) using RF sputtering method at various deposition temperature. The deposition temperature of optimum was $300^{\circ}C$. SBN thin films were annealed at $500{\sim}700^{\circ}C$ using furnace and RTA, respectively. The surface roughness showed about 2.42 nm in annealing temperature($600^{\circ}C$) of furnace. The capacitance density of SBN thin films were increased with the increase of annealing temperature. The maximum capacitance density of $0.7{\mu}F/cm^2$ was obtained by annealing temperature($700^{\circ}C$). The frequency dependence of dielectric loss showed about 0.03 in frequency ranges of 1~1,000 kHz.
Il-Ryeol Yoo;Sang-Hyun Park;Seong-Hui Choi;Kyung-Hoon Cho
Korean Journal of Materials Research
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v.34
no.2
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pp.116-124
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2024
In this study, we investigated the microstructure and piezoelectric properties of 0.96(K0.456Na0.536)Nb0.95Sb0.05-0.04Bi0.5(Na0.82K0.18)0.5ZrO3 (KNNS-BNKZ) ceramics based on one-step and two-step sintering processes. One-step sintering led to significant abnormal grain (AG) growth at temperatures above 1,085 ℃. With increasing sintering temperature, piezoelectric and dielectric properties were enhanced, resulting in a high d33 = 506 pC/N for one-step specimen sintered at 1,100 ℃ (one-step 1,100 ℃ specimen). However, for one-step 1,115 ℃ specimen, a slight decrease in d33 was observed, emphasizing the importance of a high tetragonal (T) phase fraction for superior piezoelectric properties. Achieving a relative density above 84 % for samples sintered by the one-step sintering process was challenging. Conversely, two-step sintering significantly improved the relative density of KNNS-BNKZ ceramics up to 96 %, attributed to the control of AG nucleation in the first step and grain growth rate control in the second step. The quantity of AG nucleation was affected by the duration of the first step, determining the final microstructure. Despite having a lower T phase fraction than that of the one-step 1,100 ℃ specimen, the two-step specimen exhibited higher piezoelectric coefficients (d33 = 574 pC/N and kp = 0.5) than those of the one-step 1,100 ℃ specimen due to its higher relative density. Performance evaluation of magnetoelectric composite devices composed of one-step and two-step specimens showed that despite having a higher g33, the magnetoelectric composite with the one-step 1,100 ℃ specimen exhibited the lowest magnetoelectric voltage coefficient, due to its lowest kp. This study highlights the essential role of phase fraction and relative density in enhancing the performance of piezoelectric materials and devices, showcasing the effectiveness of the two-step sintering process for controlling the microstructure of ceramic materials containing volatile elements.
외부 광스위치/변조기로는 차단형(cut-off type)[1], 균일 방향성 결합기(uniform directional coupler)[2-4], Mach-Zehnder 간섭계(Mach-Zehnder interferometer)[5-7], 교번 .DELTA..betha. 방향성 결합기(alternation directional coupler)[8-9], 교차 결합기(crossed coupler[10-11], Y-분기 방향성 결합기(Y-branch directional coupler)[12-14] 등의 여러가지가 연구되어졌다. 본 논문에서는 위에서 열거한 여러 가지 광변조기를 해석, 설계하는데 기본이 되는 광결합 이론으로 normal mode 이론과 coupled mode 이론을 소개한다. 아울러 이러한 이론들을 이용하여 전술한 변조기 중 균일 방향성 결합기, Y-분기 방향성 결합기, Mach-Zehnder 간섭계의 광스위칭/변조 원리를 살펴본다.
In this paper, surface acoustic wave (SAW) bandpass filter is designed using the Fourier series approach and the I$_{0}$-shin window function. And also we studied a method to realize SAW filter using the apodized ID transducer which was fabricated with aluminum metallization of about 1500 A over .deg. thickness on Y-cut Z-propagating LiNbO$_{3}$, crystal by photolithographic technique (lift-off method). Experimental results on SAW bandpass filter responses show good agreements with the theoretical characteristics.s.
본 연구에서는 단일 광 변조기를 양자교환과 자기정열 방식을 이용하여 X-cut NiNbO$_{3}$기판에 제작하였다. 여기에서 어닐링 처리 효과는 단일 광 변조기에서 도파로의 굴절율 변화 특성을 나타냈으며 특히 어닐링 처리 시간의 조절에 의해서 단일 광 도파로가 광범위하게 변화된다는 것을 알았다. 이것을 기초로하여 광 변조기는 어닐링 공정 및 자기 정열방식에 의한 최적화와 간단화를 제작 공정에 응용 할 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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