SiO$_2$ and SiON thick films were deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) technique on silicon wafer (100) using SiH$_4$ and $N_2$O as precursor gases. In this work, the influence of rf power, and rf bias power on the optical and physical properties of SiO$_2$ and SiON thick films is presented. The refractive index decreases with increasing rf power, and rf bias power. The refractive index of the films varied from 1.4493 to 1.4952 at wavelength at 1552 nm, with increasing rf power, the nitrogen content decreases while the oxygen content increases, in a manner that the O/N ratio increases approximately linearly.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2014.11a
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pp.258-259
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2014
이산화티타늄($TiO_2$)의 띠 간격 (Band-Gap) 에너지를, 자외선 영역에서 질소와 $Ag-PbMoO_4$를 이용하여 가시광 응답형 광촉매를 제조하기 위하여 실험하였다. 이와 함께 제조한 "$AgPbMoO_4+N-TiO_2$"가 $TiO_2$, $N-TiO_2$, $PbMoO_4$, $AgPbMoO_4$에 비해 에너지 흡수 파장대의 향상을 확인하고 XRD, XPS, FE-SEM, UV-vis-DRS diffuse reflectance spectroscopy 분석을 통해 특성평가 및 분말의 광촉매 활성을 염료의 광촉매 분해반응으로 규명하였다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2015.08a
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pp.227.1-227.1
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2015
산업이 발달하면서 다양한 화학물질이 배출되고 이로 인하여 환경이 오염되고 있으며, 특히, 대부분의 유기 화합물은 대기오염에 많은 영향을 주는 물질로 알려져 있다. 최근 유기 화합물을 제거하기 위해서 UV와 가시광에서 반응하는 광촉매 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 밴드갭에 변화를 주는 doped $TiO_2$와 가시광에서 반응하는 조촉매를 이용하여 광촉매의 특성을 향상시키는 coupled $TiO_2$를 제조하였다. Doped $TiO_2$를 제조하기 위해서 비금속 물질인 질소(nitrogen)을 사용하였고, coupled $TiO_2$는 graphine oxide(GO)를 환원하여 $TiO_2$-RGO 촉매를 제조하였다. N-$TiO_2$와 $TiO_2$-RGO의 광학 특성을 평가하기 위해서 UV/Vis 분광광도계를 사용하였다. Methylene blue(MB)와 methyl orange(MO)가 분해되는 반응을 통해서 N-$TiO_2$와 $TiO_2$-RGO의 광촉매 특성을 평가하였다. 또한, MB와 MO 분해 테스트에 395 nm long pass filter를 이용하여 가시광에서의 광촉매 활성을 평가하였다.
The wetting behavior and the characteristic of spontaneous infiltration of pure Al and Al-(Si)-Mg alloys on {{{{ { {Al }_{ 2} O}_{3 } }} in vacuum argon and nitrogen atmosphere were investigated to find out the spontaneous in-filtration mechanism. The wetting of molten Al and Al alloys on {{{{ { {Al }_{ 2} O}_{3 } }} was only possible in cacuum at-mosphere but the sponataneous infiltration of molten Al-(Si)-Mg alloys was successfully made on {{{{ { {Al }_{ 2} O}_{3 } }} pre-form in nitrogen atmoshpere. The difference of wettability and spontaneous infiltration of molten Al and Al alloys on {{{{ { {Al }_{ 2} O}_{3 } }} were found to be related to formation of the Mg-N compound coated layer on {{{{ { {Al }_{ 2} O}_{3 } }} particles which was believd to increase wettability of molten Al alloys on {{{{ { {Al }_{ 2} O}_{3 }.
$N_2$ doped $TiO_2$ nano-sized powder was prepared using a DC arc plasma jet and investigated with XRD, BET, SEM, TEM, and photo-catalytic decomposition. Recently the research interest about the nano-sized $TiO_2$ powder has been increased to improve its photo-catalytic activity for the removal of environmental pollutants. Nitrogen gas, reacting gas, and titanium tetrachloride ($TiCl_4$) were used as the raw materials and injected into the plasma reactor to synthesize the $N_2$ doped $TiO_2$ power. The particle size and XRD peaks of the synthesized powder were analyzed as a function of the flow rate of the nitrogen gas. Also, the characteristics of the photo-catalytic decomposition using the prepared powder were studied. For comparing the photo-catalytic decomposition performance of $TiO_2$ powder with that of $TiO_2$ coating, $TiO_2$ thin films were prepared by the spin coating and the pulsed laser deposition. For the results of the acetaldehyde decomposition, the photo-catalytic activity of $TiO_{2-x}N_x$ powder was higher than that of the pure $TiO_2$ powder in the visible light region. For the methylene blue decomposition, the decomposition efficiency of $TiO_2$ powder was also higher than that of $TiO_2$ film.
Proceedings of the Korean Society of Machine Tool Engineers Conference
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2001.10a
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pp.355-359
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2001
In this study, experiments were carried out to investigate the characteristics of grinding and wear process of diamond wheel grinding ceramic materials. Normal component of grinding resistance of $AI_2O_3$ was less then that of $Si_3N_4$ and $ZrO_2$. It is because the resistance for grain shedding is less then that for layer formation. For the case of $Si_3N_4$ and $ZrO_2$, as the grain mesh number of wheel increases, the surface roughness decreases. For the case of $AI_2O_3$, the surface roughness does not decreases. For the case of $Si_3N_4$ and $ZrO_2$, grinding is carried out by abrasive wear processes. For the case of $AI_2O_3$, grinding is carried out by grain shedding process.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.16
no.4
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pp.32-35
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1979
When photon was injected to SnO2- amorphous Sb S thin film -Sn structure through the window of SnO2, photo- voltaic effect was observed. With the energy change of photon, photovoltage had either positive or negative value This phenomenon was considered to be caused by formation of n-n heterojunction in SnO2 - Sb S structure and Schottky junction Sb S -Sn structure.
Ag deposited N-$TiO_2$ composite nanoparticles were prepared via $NH_3$ plasma treatment. X-ray diffraction, UV-vis spectroscopy, photoluminescence, and X-ray photoelectron spectroscopy were used to characterize the prepared $TiO_2$ samples. The plasma treatment did not change the phase composition and particle sizes of $TiO_2$ samples, but extended its absorption edges to the visible light region. The photocatalytic activities were tested in the degradation of an aqueous solution of a reactive dyestuff, methylene blue, under visible light. The photocatalytic activities of Ag deposited N-$TiO_2$ composite nanoparticles were much higher than Ag-$TiO_2$, N-$TiO_2$, and P25. A possible mechanism for the photocatalysis was proposed.
The diffusion barrier properties of TiN by using Cu(Mg) alloy film have been investigated. Cu(Mg) alloy film was deposited on air-exposed TiN film. Upon annealing, interfacial MgO of 100 $\AA$ has been formed due to the reaction of Mg with oxygen existed on the surface of TiN. Combined MgO/TiN structure prevented the interdiffusion of Cu and Si up to $800^{\circ}C$. To improve the adhesion of Cu(Mg) alloy film to the TiN, TiN layer was treated by $O_2$ plasma, followed by vacuum annealing at $300^{\circ}C$. It was found that increased oxygen on the surface of TiN film by plasma treatment enhanced segregation of Mg toward the interface, resulting in the formation of dense MgO layer. Improved adhesion characteristics have been formed through this treatment. However, increased power of $O_2$ plasma led to the formation of TiO$_2$ and decreased the Mg content to be segregated to the interface, resulting in the decrease in adhesion property. In addition, the deposition of 50 ${\AA}$ Si on the TiN enhanced the adhesion of Cu(Mg) alloy to TiN without deteriorating the TiN diffusion barrier characteristics.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.08a
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pp.202-202
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2012
염료감응태양전지(DSSC)의 광변환 효율을 향상시키기 위하여 진공챔버에서 450도 고온에서 O2, Ar, and N2 혼합가스를 주입하여 다양한 plasma로 TiO2 박막을 처리하면서 소성시켰다. TiO2 표면을 cleaning하고 활성화함으로서 염료의 결합력을 향상시키는 것 외에 TiO2 내부의 oxygen vacancy를 변화를 관찰하였다. 실험에 사용한 박막은 glass 위에 FTO 박막을 입히고, 다공성 TiO2 나노입자 박막을 코팅하여 제조하였다(porous TiO2 나노입자(${\sim}12{\mu}m$)/FTO(Fluorine doped Tin oxide; $1{\mu}m$)/glass). 완성된 광전극에 대해서 XRD, XPS, EIS, FE-SEM 등을 이용하여 분석하였다. 또한 이렇게 전처리된 광전극을 사용한 DSSC를 제작하였다. 그리고 Solar-simulator를 통해 그 효율을 측정하여 '플라즈마환경에서 소성된 광전극에 대한 DSSC의 광변환효율에 미치는 효과'을 고찰하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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