• 한국세라믹학회지
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• 제35권1호
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• pp.1-4
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• 1998

SiC whisker reinforced Al2O3-SiC composite was fabricated by reaction synthesis method whish is cost ef-fective and allows good dispersion of whiskers. Fracture strength at room temperature showed the highest value with 150$0^{\circ}C$ reaction temperature because a lot of SiC whiskers was formed. Fracture strength at 135$0^{\circ}C$ did not show big differences with reaction temperature due to agglomeration of whiskers and formation of sil-icon oxynitride during hot MO(modulus of rupture) test probably promoting grain boundary sliding.

• 한국해양공학회지
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• 제13권4호통권35호
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• pp.37-44
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• 1999

Hardness characteristics and microstructures of $Nb/MoSi_2$ laminate composites were evaluated from the variation of fabricating conditions such as preparation temperature, applied pressure and pressure holding time. $Nb/MoSi_2$ laminate composites composed of $MoSi_2$ powder and Nb sheets were fabricated by the hot press. From experimental results, it was found that the lamination from Nb sheet and $MoSi_2$ powder was an excellent strategy to improve hardness characteristics of monolithic $MoSi_2$. However, interfacial reaction products like(Nb, Mo)$SiO_2\;and\;Nb2Si_3$ formed at the interface of $Nb/MoSi_2$ and increased with fabricating temperature.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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• pp.524-525
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• 2005

The principal problems in development of dielectric paste materials for PDP(plasma display panel)are PbO free paste and low melting temperature. We prepared PbO free paste from glasses in the system $ZnO-B_2O_3-Bi_2O_3-SiO_2$, DTA, and XRD were used to characterize $ZnO-B_2O_3-Bi_2O_3-SiO$ glasses. In this present study, PbO free paste had thermal expansion of $74\times10^{-7}/^{\circ}C$, DTA transformation point of $470^{\circ}C$, and firing condition of $540^{\circ}C$, 20min.

• 전기전자학회논문지
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• 제22권1호
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• pp.180-184
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• 2018

산화갈륨 ($Ga_2O_3$)과 탄화규소 (SiC)는 넓은 밴드 갭 ($Ga_2O_3-4.8{\sim}4.9eV$, SiC-3.3 eV)과 높은 임계전압을 갖는 물질로서 높은 항복 전압을 허용한다. 수직 DMOSFET 수평구조에 비해 높은 항복전압 특성을 갖기 때문에 고전압 전력소자에 많이 적용되는 구조이다. 본 연구에서는 2차원 소자 시뮬레이션 (2D-Simulation)을 사용하여 $Ga_2O_3$와 4H-SiC 수직 DMOSFET의 구조를 설계하였으며, 항복전압과 저항이 갖는 trade-off에 관한 파라미터를 분석하여 최적화 설계하였다. 그 결과, 제안된 4H-SiC와 $Ga_2O_3$ 수직 DMOSFET구조는 각각 ~1380 V 및 ~1420 V의 항복 전압을 가지며, 낮은 게이트 전압에서의 $Ga_2O_3-DMOSFET$이 보다 낮은 온-저항을 갖고 있지만, 게이트 전압이 높으면 4H-SiC-DMOSFET가 보다 낮은 온-저항을 갖을 수 있음을 확인하였다. 따라서 적절한 구조와 gate 전압 rating에 따라 소자 구조 및 gate dielectric등에 대한 심화 연구가 요구될 것으로 판단된다.

• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2003년도 춘계총회 및 연구발표회 초록집
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• pp.35.1-35
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• 2003

• 한국결정성장학회지
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• 제10권6호
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• pp.407-411
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• 2000

전자 package용 저온봉착 유리를 실험적으로 합성하고 이 유리의 결정화 거동을 비등온 조건하에서 열분석기(DTA)를 이용하여 조사하였다. 이 유리의 조성을 미량의 CaO, $SiO_2$$A1_2$$O_3$ 및 $P_2$$O_5$ 등이 함유된 PbO-ZnO-$B_2$$O_3$-$TiO_2$유리로부터 결정하였다. 연 티탄산염($PbTiO_3$)생성에 해당되는 결정화 발열이 관찰되었다. 이 $PbTiO_3$의 결정화는 삼차원과정으로 진행되었고 유리기지(glass matrix)로부터 생성되는 이 결정의 평균 활성화에너지는 223$\pm$3 kJ/mo1 이었다.

• 한국산학기술학회:학술대회논문집
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• 한국산학기술학회 2001년도 춘계학술대회 발표논문집
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• pp.287-289
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• 2001

The morphology of silica supported MoO$_3$ catalysts, which was prepared by impregnation of ammonium heptamolybdate with various weight loadings up to 35 wt%, was studied using x-ray diffraction. In addition to the orthorhombic phase, the behavior of the rarely studied hexagonal phase was characterized. For high loading catalysts, excess ammonium ions present in the monoclinic and triclinic precursors are capable of occupying interstitial sites of microcrystalline MoO$_3$ during moderate temperature calcinations and in doing so enhance the MoO$_3$-SiO$_2$ interaction. This results in a "well dispersed" morphology at high loadings. Sintering at high temperature is due to loss of ammonium from the oxide framework. Ammonia reimpregnation, which leads back to the well dispersed hexagonal phase, may offer a simple regeneration process for spent Mo containing catalysts.

• 한국결정성장학회지
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• 제6권1호
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• pp.44-55
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• 1996

천연 베릴을 이용하여 $V_20_5$, $Mo0_3$, $Li_2O$계 융제 및 첨가제 조성, 베렬의 용해도 그 리고 결정성장 온도와 같은 결정성창 조건을 제어하여 에메랄드 단결정을 성장시켰다. Flux와 첨가제를 조정하여 저온($1100^{\circ}C$ 이하)에셔 용해성이 높은 과포화 용융체를 만들고 온도 구배 (${\Delta}t 100^{\circ}C$), 열진동 효과 등을 정멀 제어 조정하므로써 고품질의 대형 emerald 단결정을 성장 시킬 수 있었다. 성장된 에메랄드 단결정의 특성은 굴절률 : 1.56 - 1.57, 비중 : 2.65 - 2.67인 6각 주상($c^*m$ : 1000, 1010)의 취록색 투명 단결정이였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제10권3호
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• pp.258-263
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• 2000

마이크로파 열처리공정이 여러 가지 CuO 조성을 가진 $Li_2O-2SiO_2$-xCuO 유리의 전기전도도와 결정화 거동에 미치는 영향을 조사하기 위하여 재래식 열처리 공정과 비교하였다. 각기 재래식과 마이크로파 가열법으로 열처리하였을 때, 시편들의 전기전도도는 CuO 함량이 증가할수록 증가하였고, 각 조성에서 마이크로파로 열처리된 시편이 재래식으로 열처리된 시편에 비하여 높은 전기전도도를 보였다. 또한 X-선 회절 실험 결과, 마이크로파 열처리는 $Li_2Si_2O_5$ , $Li_2Cu_5(Si_2O_7)_2$및 $Li_2Cu_O_3$상의 결정화 정도를 향상시켜주었다. $Li_2O-2SiO_2$-1.3CuO(30 mo1% CuO) 유리를 $500^{\circ}C$에서 30분 동안 재래식과 마이크로파로 열처리한 후 상온에서 측정한 시편들의 전기전도도는 각기 $0.11{\times}10^{-4}(\Omega \textrm {cm})^{-1}$과 $0.68{\times}10^{-4}(\Omega \textrm {cm})^{-1}$이었다. 마이크로파 에너지는 시편들의 결정화를 향상시키고, 전기전도도 값도 증가시킨다고 판단되었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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• pp.101-102
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• 2006

금속을 도핑 함으로써 전기전도도가 향상될 것으로 생각되는 산화바나듐 나노선에 대하여 열처리 전후의 전기적 특성을 비교하였다. sol-gel 방법으로 만들어진 산화바나듐 xerogel($V_{1.66}Mo_{0.33}O_5{\cdot}nH_2O$)을 $Si_3N_4$ 절연막이 성장된 Si기판위에 분산시키고 Ti/Au으로 전극을 증착한 후 열처리 한 것과 하지 않은 두 시료의 전류-전압특성을 비교 분석하였다.