• 제목/요약/키워드: $La_{0.75}Sr_{0.25}FeO_3$

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GNP법을 이용한 고체산화물 연료전지의 공기극용 La0.75Sr0.25FeO3의 제조 및 특성 (Synthesis and Characterization of La0.75Sr0.25FeO3 Used as Cathode Materials for Solid Oxide Fuel Cell by GNP Method)

  • 박주현;손희정;임탁형;이승복;윤기석;윤순길;신동열;송락현
    • 전기화학회지
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    • 제10권1호
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    • pp.7-13
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    • 2007
  • Glycine Nitrate Process(GNP)를 이용하여 $La_{0.75}Sr_{0.25}FeO_3$를 합성하였다. 이때, GNP의 글리신의 함량은 화학양론식으로 계산하여 3.17mol을 첨가하였다. ICP-AES분석으로 각각의 조성 함량을 조사하고, XRD, SEM분석으로 합성된 분말의 결정성과 입자크기를 분석하였다. 이렇게 분석한 분말은 일축가압 성형으로 펠렛을 제조하였으며, 이 시편은 $1200^{\circ}C$에서 소결하였다. 소결된 시편은 아르키메데스 법을 이용하여 소결밀도를 측정히였다. 전기화학적 성능을 평가하기 위해 AC impedance spectroscopy로 측정하였으며, GNP 법으로 합성된 LSF가 기존의 LSM 보다 낮은 Ohmic resistance및 Polarization resistance를 보임을 확인하였다. 또한 합성된 LSF를 양극으로 사용하여 연료극 지지체식 고체산화물 연료전지의 단위전지를 제작하였으며, 그 성능은 $750^{\circ}C$에서 $342mW/cm^2(0.7V,\;488mA/cm^2)$을 나타내었다. 마지막으로 임피던스 분석에 의하여 단위전지의 전기화학적 분극저항을 평가하였다.

Preparation and Electrochemical Performance of Electrode Supported La0.75Sr0.25Ga0.8Mg0.16Fe0.04O3-δ Solid Oxide Fuel Cells

  • Yu, Ji-Haeng;Park, Sang-Woon;Woo, Sang-Kuk
    • 한국세라믹학회지
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    • 제48권5호
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    • pp.479-484
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    • 2011
  • In this paper, investigations of thick film $La_{0.75}Sr_{0.25}Ga_{0.8}Mg_{0.16}Fe_{0.04}O_{3-{\delta}}$ (LSGMF) cells fabricated via spin coating on either NiO-YSZ anode or $La_{0.7}Sr_{0.3}Ga_{0.6}Fe_{0.4}O_3$ (LSGF) cathode substrates are presented. A La-doped $CeO_2$ (LDC) layer is inserted between NiO-YSZ and LSGMF in order to prevent reactions from occurring during co-firing. For the LSGF cathode-supported cell, no interlayer was required because the components of the cathode are the same as those of LSGMF with the exception of Mg. An LSGMF electrolyte slurry was deposited homogeneously on the porous supports via spin coating. The current-voltage characteristics of the anode and cathode supported LSGMF cells at temperatures between $700^{\circ}C$ and $850^{\circ}C$ are described. The LSGF cathode supported cell demonstrates a theoretical OCV and a power density of ~420 mW $cm^2$ at $800^{\circ}C$, whereas the NiO-YSZ anode supported cell with the LDC interlayer demonstrates a maximum power density of ~350 mW $cm^2$ at $800^{\circ}C$, which decreased more rapidly than the cathode supported cell despite the presence of the LDC interlayer. Potential causes of the degradation at temperatures over $700^{\circ}C$ are also discussed.

고체산화물 연료전지의 공기극용 ABO3구조의 (La0.75Sr0.25)1-xFeO3-δ의 A-site변화에 따른 전극 특성 연구 (Effect of the A-site Deficieny of ABO3 type (La0.75Sr0.25)1-xFeO3-δ Used as Cathode Materials for SOFC on the Electrode Properties)

  • 박주현;이승복;손희정;임탁형;윤순길;신동렬;송락현
    • 전기화학회지
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    • 제11권2호
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    • pp.89-94
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    • 2008
  • GNP(Glycine Nitrate Process)을 이용하여$(La_{0.75}Sr_{0.25})_{1-x}FeO_{3-\delta}$를 합성하고, perovskite의 A-site deficiency에 따른 특성을 분석하기 위해 x=0, 0.02, 0.04, 0.06, 0.08로 바꾸어 합성하였다. SEM과 XRD분석을 통하여 균질하고 결정성이 높은 분말이 합성된것을 확인하였으며, 4단자법과 AC impedance spectroscopy를 통하여 전도도는 x = 0.02가 $750^{\circ}C$ $155{\Omega}cm^2$로 가장 우수하였으며, AC impedance결과 역시 x = 0.02가 가장 낮은 분극저항과 활성화 에너지를 가지고 있었다. 이 결과 Perovskite의 A-site deficiency를 가함에 따라 산소 결핍 및 구조의 변화가 생겼으며 이로 인해 전도도와 분극 저항, 활성화 에너지에 영향을 미친 것을 알 수 있었다.

Effects of annealing temperatures on the electrical properties of Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor(MFIS)structures with various insulators

  • Jeong, Shin-Woo;Kim, Kwi-Jung;Han, Dae-Hee;Jeon, Ho-Seoung;Im, Jong-Hyun;Park, Byung-Eun
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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    • pp.112-112
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    • 2009
  • Temperature dependence of the ferroelectric properties of poly(vinylidefluoride-trifluoroethylene) copolymer thin films are studied with various insulators such as $SrTa_2O_6$ and $La_2O_3$. Thin films of poly(vinylidene fluoridetrifluoroethylene) 75/25 copolymer were prepared by chemical solution deposition on p-Si substrate. Capacitance-voltage (C-V) and current density (J-V) behavior of the Au/P(VDF-TrFE)/Insulator/p-Si structures were studied at ($150-200\;^{\circ}C$) and dielectric constant of the each insulators were measured to be about 15 at $850\;^{\circ}C$ for 10 minutes. Memory window width at 5 V bias the MFIS(metal-ferroelectric-insulator-semiconductor) structure with as deposited films was about 0.5 V at high temperature ($200\;^{\circ}C$). And the memory window width increased as voltage increased from 1 V to 5 V.

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