• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제9권4호
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• pp.379-384
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• 1996

The microwave dielectric properties of (I-x)CaTiO$_{3}$-xLaAIO$_{3}$ were investigated. The solid solution of (1-x)CaTiO$_{3}$-xLaAIO$_{3}$ had the perovskite structure in the range of all compositions. The crystal system of (1-x)CaTiO$_{3}$-xLaAIO$_{3}$ was transformed to orthorhombic(x.leq.0.4), psudo-cubic(x=0.5), and rhombohedral (x.geq.0.7) in turn, as the amount of LaAIO$_{3}$ increased. The dielectric constant and temperature coefficient of resonant frequency of solid solution were decreased with the content of LaAIO$_{3}$, whereas, the value of Q . f$_{o}$ was increased. The microwave dielectric material having Q . f$_{o}$ = 32, 500, .epsilon.$_{r}$ = 42, and .tau.$_{f}$ = 5 ppm/.deg. C was obtained from the 0.35CaTiO$_{3}$-0.65LaAIO$_{3}$ composition sintered at 1600.deg. C for 4hrs.hrs.hrs.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제15권3호
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• pp.238-243
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• 2002

The dielectric properties and synthesis of $LaAIO_3$ ceramics from mixtures of $La_2O_3$ and $AI(OH)_3$ via ground(planetary ball mill) and unground(wet ball mill) were investigated. The single phase $LaAIO_3$ of ground powder was formed at $1000^{\circ}C$, while that of unground powder was formed at $1300^{\circ}C$. Density and grains of ground sample showed 98% of theory density and a uniform size of 0.75\mu\textrm{m}$, respectively, However those of unground sample showed 93% and non-uniform sizes of 4-5 $\mu\textrm{m}$. Dielectric constant and temperature coefficient of capacitance ($\tau$c) of both ground and unground samples were 21~22 and +70~74 ppm$/^{\circ}C$, respectively. Dielectric loss of ground sample(0.0004) was 10 times as low as that of unground sample(0.003) due to a uniform and small gram size.

• 한국결정학회지
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• 제5권2호
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• pp.85-92
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• 1994

펄스 레이저 증착법을 이용하여 강유전체 Bi4T13012 박막을 laA109(001) 위에 성장시켰다. 넓은 영역의 온도에서 증착한 박막의 상 형성과 구조적 성질을 X선 회절법을 이용하여 조사하였다. 740℃에서 증착한 박막은 박막의 c-축이 기판에 수직한 형태의 에피 성장의 경향을 보인다. 펄스 레이저 증착법을 이용하여 Bi4Ti3O12/YBa2Cu3O7-x/LaAlO3 복합구조를 in-situ 성장시켰다. Yba2Cu3O7-x의 a-, b-축이 LaAlO3와 완벽하게 평행하게 배열되어 있지 않음에도 불구하고, Bi4Ti3012 박막은 에피 성장의 경향을 보인다.

• 한국재료학회지
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• 제4권6호
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• pp.681-686
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• 1994

$YBa_{2}Cu_{3}O_{7-x}$결정입계 접합을 이용한 마이크로파 감지소자 $YBa_{2}Cu_{3}O_{7-x}$초전도체 박막을 화학증착법을 이용하여 $LaAIO_{3}$단결정 위에 증착하여 임계온도 90K이상 임계전류밀도 $10^5/A \textrm{cm}^2$(77K) 이상의 우수한 박막을 제작하였다. 이를 포토작업과 이온밀링을 실시하여 수 마이크로미터 크기의 브릿지 형태로 만든 후 이들의 전류전압 특성을 조사하였다. 브릿지에 입사된 마이크로파의 크기에 따라 브릿지 간의 임계전류값의 저하가 관찰되었으며 동시에 샤피로스텝을 관찰할 수 있었다.

• 한국재료학회지
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• 제4권4호
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• pp.459-465
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• 1994

a-측으로 배향된 $YBa_2Cu_3O_{7-\delta}$ 고온 초전도 박막을 $LaAIO_{3}$(100)단결정 기판에 이중 타게트 off-axis rf마그네트론 스퍼터링법으로 증착하였다. 박막은 기판온도(Ts)$590^{\circ}C$와 $680^{\circ}C$사이에서 단일공정으로 증착하는 one-step방법과, $590^{\circ}C$의 저온에서 a-축으로 배향된 YBCO박막(두께-30nm)을 면저 만들어 틀로 작용시킨 후 그 틀위에 나머지 부분을 기판온도를 승온하면서 증착하는 방법인 two-step방법 등 두 가지 방법을 사용하여 증착시켰다. one-step방법에서는 $T_s$가 증가함에 따라 감소하였으며, ($00 \ell$)피크는 증가하였다. Two-step방법으로 증착한 박막은 증착속도가 감소함에 따라 (h00)피크가 우세하게 나타났다. 박막의 미세구조는 a-축, c- 축 배향성이 혼재하여 핀홀과 같은 결함들이 생성되었다. 모든 경우 $T_s$가 감소함에 따라 a-축 배향성은 우세하였으나 전기적 특성은 저하되었고, 긴 전이온도 폭을 가졌다.