• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.105-105
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• 1999

차세대 기억소자에서는 집접도의 증가, 고속화, 그리고 미세화에 따라 배선간으 최소선폭이 작아지고, 새로운 다층 배선기술이 요구되는 가운데 층간절연막의 재료와 형성기술은 소자의 특성을 향상시켜주는 중요한 요소로서 열적안정성, 저유전율, 평탄화특성 등에 핵심을 두고 연구되고 있다. 본 연구에서는 5인치 p-Si(100) 위에 FTES와 O2를 precursor로 하고 carrier gas를 Ar gas하여 ICP CVD 방법으로 저유전율의 Fluorocarbonated-SiO2 박막을 형성하였다. 0.1-1kW, 13.56MHz인 rf power를 사용하였으며, 증착은 RT에서 5~10분으로 하였다. 형성된 박막은 FTIR(fourier transform infrared), XPS(x-ray photoelectron spectroscopy), 그리고 ellipsopsometer 등을 이용하여 결합모드와 F농도, 균일도 등을 측정하고, I-V와 C-V 측정장치, 그리고 SERM(scanning electrion microscopy) 등을 이용하여 유전상수, 누설전류, dielectric breakdown voltage, 그리고 박막의 stepcoverage를 측정하였다. 제작된 박막의 신뢰성은 열처리에 따른 전기적 특성으로부터 조사하였다. 형성된 fluorocarbonated 박막 결합모드는 Si-F, Si-O, O-C, C-C와 C-F였고 O2:FTES:Ar 유량을 1sccm:10sccm:6sccm으로 하여 증착한 시료에서 유전율은 2.8이었으며, 누설전류밀도는 8$\times$10-9A/cm2, Breakdown voltage는 10MV/cm 이상, 그리고 stepcoverage는 91%로 측정되었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2006.06a
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• pp.194-195
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• 2006

Aluminum oxide films directly grown on n-type 6H-SiC(0001) substrates were fabricated by RF magnetron sputtering system. Metal-insulator-semiconductor(MIS) C-V properties with aluminum oxide thin films showed hysteresis and f1at band voltage shift. The dielectric constant of the film calculated from the capacitance at the accumulation region was about 5. Typical gate leakage current density of film at room temperature was the order of $10^{-9}\;A/cm^2$ at the range of within 2MV/cm. The breakdown did not occur at the film within the measurement range.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.7 no.8
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• pp.635-639
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• 1997

ECR-PECVD법을 사용하여 450-49$0^{\circ}C$이하의 온도에서 Pt/SiO$_{2}$/Si기판 위에 PZT 박막을 증착하였다. 기판 온도가 46$0^{\circ}C$ 이하일 경우에는 페로브스이트 상과 제2상으로 이루어진 박막이 성장하였으며 기판온도가 47$0^{\circ}C$이상일 때에는 페로브스카이트 단일상의 PZT 박막이 성장하였다. 49$0^{\circ}C$에서 매우 얇은 페로브스카이트의 PZT 박막을 증착한 후 $650^{\circ}C$에서 1분간 raped thermal annealing(RTA) 처리한 결과 박막의 조성과 결정성에는 거의 변화가 없었으나 박막의 전하 저장 밀도는 크게 향상되었다. 이는 RTA 처리에 의한 저유전 계면층의 소멸이 주된 이유라고 판단된다. 열처리 후 두께 40-45nm의 PZT박막은 200kV/cm의 전장 하에서 $10^{-6}$$\textrm{cm}^2$이하의 누설전류값을 갖고 있었으며, 인가전압 1V에서 300fF/$\mu$$m^2$의 정전용량, 즉 SiO$_{2}$환산두께 0.12nm를 나타내었다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• v.35 no.2
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• pp.575-580
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• 2014

We uniformly coated Eu(III)- and Tb(III)-doped yttrium oxide onto the surface of $SiO_2$ spheres and then characterized them by scanning electron microscopy (SEM), transmission electron microscopy (TEM), X-ray diffraction crystallography and UV-Visible absorption. 2D and 3D photoluminescence image map profiles were reported for the core-shell type structure. Red emission peaks of Eu(III) were observed between 580 to 730 nm and assigned to $^5D_0{\rightarrow}^7F_J$ (J = 0 - 4) transitions. The green emission peaks of Tb(III) between 450 and 650 nm were attributed to the $^5D_4{\rightarrow}^7F_J$ (J = 6, 5, 4, 3) transitions. For annealed samples, Eu(III) ions were embedded at a $C_2$ symmetry site in $Y_2O_3$, which was accompanied by an increase in luminescence intensity and redness, while Tb(III) was changed to Tb(IV), which resulted in no green emission.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• v.28 no.1
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• pp.41-48
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• 2007

Large colorless single crystals of sodium zeolite X, stoichiometry |Na80 |[Si112Al80O384]-FAU, with diameters up to 200 μm and Si/Al = 1.41 have been synthesized from gels with the composition of 2.40SiO2 : 2.00NaAlO2 : 7.52NaOH : 454H2O : 5.00TEA. One of these, a colorless octahedron about 200 μm in cross-section has been treated with aqueous 0.1 M KNO3 for the preparation of K+-exchanged zeolite X. The crystal structure of |K80|[Si112Al80O384]-FAU per unit cell, a = 24.838(4) A, dehydrated at 673 K and 1 × 10-6 Torr, has been determined by single-crystal X-ray diffraction techniques in the cubic space group Fd at 294 K. The structure was refined using all intensities to the final error indices (using only the 707 reflections for which Fo > 4σ (Fo)) R1 = 0.075 (based on F) and R2 = 0.236 (based on F2). About 80 K+ ions per unit cell are found at an unusually large number of crystallographically distinct positions, eight. Eleven K+ ions are at the centers of double 6-rings (D6Rs, site I; K-O = 2.492(6) A and O-K-O (octahedral) = 88.45(22)o and 91.55(22)o). Site-I' position (in the sodalite cavities opposite D6Rs) is occupied by five K+ ions per unit cell; these K+ ions are recessed 1.92 A into the sodalite cavities from their 3-oxygen planes (K-O = 2.820(19) A, and O-K-O = 78.6(6)o). Twety-three K+ ions are found at three nonequivalent site II (in the supercage) with occupancies of 5, 9, and 9 ions; these K+ ions are recessed 0.43 A, 0.75 A, and 1.55 A, respectively, into the supercage from the three oxygens to which it is bound (K-O = 2.36(13) A, 2.45(13) A, and 2.710(13) A, O-K-O = 116.5(20)o, 110.1(17)o, and 90.4(6)o, respectively). The remaining sixteen, thirteen, and twelve K+ ions occupy three sites III' near triple 4-rings in the supercage (K-O = 2.64(3) A, 2.94(3) A, 2.73(5) A, 2.96(6) A, 3.06(4) A, and 3.08(3) A).

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.11a
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• pp.274-274
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• 2007

LTCC 소재로 응용을 위해 Mg-Si-O계 세라믹스에 glass frit을 첨가하여 소결 및 마이크로파 유전특성에 관한 연구를 진행하였다. $Mg_2SiO_4$를 기본조성으로 하고 $B_2O_3-ZnO-Na_2O-SiO_2-Al_2O_3$계 glass를 20~40wt%로 첨가하여 $900^{\circ}C$에서 1시간 소결하였을 때 glass 함량이 증가함에 따라 밀도$(g/cm^3)$ 및 유전율$(\varepsilon_r)$은 증가하였고 품질계수$(Q{\times}f_0)$ 값은 감소하는 경향을 보였다. $900^{\circ}C$에서 1시간 소결한 소결체의 유전특성은 유전율 $(\varepsilon_r)$ = 6.5, 품질계수 $(Q{\times}f_0)$ = 4,000(GHz), 온도계수 $({\tau}_f)={\pm}10ppm/^{\circ}C$로 우수한 특성을 확인하였다. 그리고 Glass Milling 효과에 따른 glass-ceramics 소결체의 미세구조, 마이크로파 유전특성을 비교 고찰하였다.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.24 no.2
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• pp.128-135
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• 2013

This letter presents the MISHFET with si-doped AlGaN/GaN heterostructure for power amplifier. The device grown on 6H-SiC(0001) substrate with a gate length of 180 nm has been fabricated. The fabricated device exhibited maximum drain current density of 837 mA/mm and peak transconductance of 177 mS/mm. A unity current gain cutoff frequency was 45.6 GHz and maximum frequency of oscillation was 46.5 GHz. The reported output power density was 1.54 W/mm and A PAE(Power Added Efficiency) was 40.24 % at 9.3 GHz.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• v.9 no.1
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• pp.985-989
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• 2005

본 논문에서는 비정질 반도체 및 절연체의 etching을 RIE를 사용하여 etching 조건을 결정하는 요인(chamber pressure, gas flow rate, rf power, 온도 등)들을 변화시켜 실험하였고, gas는 비정질 실리콘 박막의 reactive ion etching에 주로 사용되는 $CF_4,\; CF_4+O_2,\;CCl_2F_2,\;CHF_3\;gas$ 등을 사용하였다. 여기서 실리콘 박막의 식각은 $CF_4,\;CCl_2F_2,\;gas$를 그리고 insulator 막인 SiNx 박막의 식각은 $CF_4+O_2,\;CHF_3\;gas$를 사용하였다. 특히 $CCl_2F_2$ gas는 insulator 막인 SiNx 박막과의 식각 selectivity가 6:1로서 우수하기 때문이다. 정확한 control에 의해 높은 수율 (Yield) 을 얻을 수 있어 cost를 절감할 수 있다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.7 no.10
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• pp.851-855
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• 1997

본 실험에서는 저유전율 층간절연물질로서 SiOF박막을 ECR plasma CVD를 이용하여 증착하였다. 또한 증착시에 발생시킨 플라즈마의 특성 분석을 위하여 Langmuir probe를 반응챔버에 부착하여 플라즈마 밀도, 마이크로파 전력은 700W, 기판온도는 30$0^{\circ}C$에서 행하였다. 증착된 SiOF 박막을 분석한 결과, 가스유량비(SiF$_{4}$/O$_{2}$)가 0.2에서 1.6으로 증가하였을 때 불소의 함량은 약 5.3at%에서 14.5at%로 증가하였으며, 굴절률은 1.501에서 1.391로 감소하였고 이는 불소 첨가에 의한 박막의 밀도감소에 의한 것으로 생각된다. 또한 박막의 유전상수는 가스유량비가 1.0(11.8qt.% F함유)일 때 3.14였다.

• Journal of Magnetics
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• v.16 no.2
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• pp.177-180
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• 2011

0.30 mm thick and 90 mm wide thin foils made of Fe-6.5wt.%Si alloy were successfully fabricated by traditional rolling. The as-rolled sheets had good shapes and shining metal luster. The effects of annealing temperature on the magnetic properties of the sheets were investigated. Excellent Dc properties ($H_c$: 11.55 A/m, ${\mu}_m$: 23710, and $B_s$: 1.439 T) were obtained at an annealing temperature of 1453 K for 1.5 h. At low frequencies ($\leq$ 1 kHz), heat treatment temperature has little effect on iron loss which remained at the level of 9.8 W/kg. Annealing at 1273 K for 1.5 h is optimum for frequencies above 5 kHz.