To improve the conventional cathode-supported tubular solid oxide fuel cell (SOFC) from the viewpoint of low cell power density, expensive fabrication process and high operation temperature, the anode-supported tubular solid oxide fuel cell was investigated. The anode tube of Ni-8mol% $Y_2$O$_3$-stabilized $ZrO_2$ (8YSZ) was manufactured by extrusion process, and, the electrolyte of 8YSZ and the multi-layered cathode of $LaSrMnO_3$(LSM)ILSM-YSZ composite/$LaSrCoFeO_3$ were coated on the surface of the anode tube by slurry dip coating process, subsequently. Their cell performances were examined under gases of humidified hydrogen with 3% water and air. In the thermal cycle condition of heating and cooling rates with $3.33^{\circ}C$/min, the anode-supported tubular cell showed an excellent resistance as compared with the electrolyte-supported planar cell. The optimum hydrogen flow rate was evaluated and the air preheating increased the cell performance due to the increased gas temperature inside the cell. In long-term stability test, the single cell indicated a stable performance of 300 mA/$\textrm{cm}^2$ at 0.85 V for 255 hr.
Park, Young-Soo;Byeon, Myeong-Seob;Choi, Jin-Sub;Kim, Jin-Ho;Hwang, Kwang-Taek
Journal of Hydrogen and New Energy
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v.21
no.2
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pp.117-122
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2010
BCY($Ba(Ce_{0.9}Y_{0.1})O_{3-\delta}$) oxide, shows high protonic conductivity at high temperatures, and are referred to as hydrogen separation membrane. For high efficiency of hydrogen separation ($H_2$ flux and selectivity) and low fabrication cost, ultimate thin and dense BCY-Ni layer have to be coated on a porous substrate such as $ZrO_2$. Aerosol depostion (AD) process is a novel technique to grow ceramic film with high density and nano-crystal structure at room-temperature, and would be applied to the fabrication process of AD integration ceramic layer effectively. XRD and SEM measurements were conducted in order to analyze the characteristics of BCY-Ni membrane fabricated by AD process.
Generally, space structures are subjected to severe situations, such as, sublimation, strong evaporation of lubricants, thermal stresses, high temperature gradients, irradiation, impacts by microscopic meteorites, and other factors. Recent]y, various kinds of coatings are applied to the parts under heavy contact stresses, in order to insure long wear-free lives and/or reduce friction coefficients. In space structures, molybdenum disulfide is using frequently. Moreover TiN, Al$_2$O$_3$, PTFE(Poly Tetra Fluor Ethylene) are introduced recently for space structure. In this part we are going to apply the partial model method, developed in reference[11] to analyze part with coated layer. In referencer[l1], we compute the reasonable size of partial model and aspect ratio. Using these data, we analyze the structures coated with TiN, Al$_2$O$_3$, PTFE under contact load, temperature and crack model . Beside, we consider the stress analysis under time dependent load and transient thermal effect.
Shariffudin, S.S.;Salina, M.;Herman, S.H.;Rusop, M.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.13
no.2
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pp.102-105
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2012
The structural, electrical, and optical properties of layer-by-layer ZnO nanoparticles deposited using sol-gel spin coating technique were studied and now presented. Thicknesses of the thin films were varied by increasing the number of deposited layers. As part of our characterization process, XRD and FE-SEM were used to characterize the structural properties, current-voltage measurements for the electrical properties, and UV-Vis spectra and photoluminescence spectra for the optical properties of the ZnO thin films. ZnO thin films with thicknesses ranging from 14.2 nm to 62.7 nm were used in this work. Film with thickness of 42.7 nm gave the lowest resistivity among all, $1.39{\times}10^{-2}{\Omega}{\cdot}cm$. Photoluminescence spectra showed two peaks which were in the UV emission centered at 380 nm, and visible emission centered at 590 nm. Optical transmittance spectra of the samples indicated that all films were transparent (>88%) in the visible-NIR range. The optical band gap energy was estimated to be 3.21~3.26 eV, with band gap increased with the thin film thickness.
We report the effective fabrication processes for more practical monolith catalysts consisting of washcoated alumina on a cordierite honeycomb monolith (CHM) and iron oxides nanoparticles in the alumina prepared by a simple dry coating method. It is confirmed that iron oxide nanoparticles were well deposited into the mesopore of washcoated alumina which is formed on the corner wall of honeycomb channel, and the effect of annealing temperature was evaluated for carbon monoxide oxidation catalysts. $Fe_2O_3/{\gamma}-Al_2O_3/CHM$ catalysts annealed at $350^{\circ}C$ exhibited the most enhanced catalytic activity, 100% conversion efficiency at more than $200^{\circ}C$ operating temperature.
For the aim of thin microwave absorbers used in mobile telecommunication frequency band, this study proposed a high permittivity dielectrics(λ/4 spacer) coated with ITO thin films of 377 $\Omega$/sq(impedance transformer). High frequency dielectric properties of ferroelectric ceramics, electrical properties of ITO thin films and microwave absorbing properties of ITO/dielectrics were investigated. Ferroelectric materials including $BaTiO_3$(BT), 0.9Pb($Mg_{1}$3/Nb$_{2}$3/)$O_3$-0.1 $PbTiO_3$(PMN-PT), 0.8 Pb (Mg$_{1}$3/$Nb_{2}$3/)$O_3$-0.2 Pb($Zn_{1}$3$_Nb{2}$3/)$O_3$(PMN-PZN) were prepared by ceramic processing for high permittivity dielectrics,. The ferroelectric materials show high dielectric constant and dielectric loss in the microwave frequency range. The microwave absorbance (at 2 ㎓) of BT, 0.9PMN-0.1PT, and 0.8PMN-0.2PZN were found to be 60%(at a thickness of 3.5 mm), 20% (2.5 mm), and 30% (2.5 mm), respectively. By coating the ITO thin films on the ferroelectric substrates with λ/4 thickness, the microwave absorbance is greatly improved. Particularly, when the surface resistance of ITO films is closed of 377 $\Omega$/sq, the reflection loss is reduced to -20 ㏈(99% absorbance). This is attributed to the wave impedance matching controlled by ITO thin films at a given thickness of high permittivity dielectrics of λ/4 (3.5 mm for BT, 2.5 mm for PMN-PT and PMN-PZN at 2 ㎓). It is, therefore, successfully proposed that the ITO/ferroelectric materials with controlled surface resistance and high dielectric constant can be useful as a thin microwave absorbers in mobile telecommunication frequency band.
Yoon, Hyunsik;Kim, Ikhyun;Kang, Daeho;Kim, Soaram;Kim, Jin Soo;Son, Jeong-Sik;Leem, Jae-Young
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.08a
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pp.204.2-204.2
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2013
Wide band gap II-VI semiconductors have attracted the interest of many research groups during the past few years due to the possibility of their applications in light-emitting diodes and laser diodes. Among the II-VI semiconductors, ZnO is an important optoelectronic device material for use in the violet and blue regions because of its wide direct band gap (Eg ~3.37 eV) and large exciton binding energy (60 meV). F-doped ZnO (FZO) and undoped ZnO thin films were grown onto quartz substrate by the sol-gel spin-coating method. The doping level in the solution, designated by F/Zn atomic ratio of was varied from 0 to 5 in 1 steps. To investigate the effects of the structure and optical properties of FZO thin films were investigated using X-ray diffraction (XRD), UV-visible spectroscopy, and photoluminescence (PL). In the XRD, the residual stress, FWHM, bond length, and average grain size were changed with increasing the doping concentration. For the PL spectra, the high INBE/IDLE ratio of the FZO thin films doping concentration at 1 at.% than the other samples.
This study investigated the structural and electrical properties of thin K(Ta0.6Nb0.4)O3 films for their applicability to electrocaloric devices. Both of the sol-gel and spin coating methods were used to fabricate thin films. Those sintered at 650 ℃ showed a KTN phase with pyrochlore of K2Ta2O6, but those sintered at 750 ℃ showed pure polycrystalline phase without a pyrochlore phase. The lattice constants observed were a= 3.990nm. The dielectric constant rapidly decreased due to decrease in polarization of space charge approximately at an applied frequency of 10 kHz. The dielectric constant and loss at 30 ℃ of the thin films sintered at 750 ℃ were 3,617 and 0.264. The dielectric constant of the specimen sintered at 750 ℃ decreased to about -8.27 %/V according to the applied DC field. The remanent polarization and coercive field at 36 ℃ of the specimen sintered at 750 ℃ were 20.0 µC/cm2 and 122.6 kV/cm. When the electric field of 247 kV/cm was applied to the specimen sintered at 750 ℃, the highest electrocaloric property of 3.02 ℃ was obtained.
Kim, Sang-Kyum;Kim, Tae-Woo;Kim, Chul;Shin, Tae-Ho;Han, In-Sub;Woo, Sang-Kuk;Lee, Kee-Sung
Journal of the Korean Ceramic Society
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v.42
no.1
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pp.43-49
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2005
YSZ layer containing nano-sized particles has been deposited on the commercial A1203 substrate by Electron Beam Physical Vapor Deposition (EB-PVD). The role of coating rnjcrostructures of YSZ to indentation damage is studied. The different coating microsouctures are prepared by varying the substrate temperatures from $600^{circ}C$ to $800^{circ}C$ during the deposition. Microhardness test and Hertzian indentation are conducted on the $YSZ/Al_{2}O_{3}$ layered systems. The damage and flilure behaviors have been investigated according to the effect of microstructures and indentation loads. With increasing the substrate temperature during EB-PVD, the overall grain sizes are coarser and more faceted, which microsoucture ultimately influences on the indentation behavior, thus, YSZ/Al_{2}O_{3}$ layered system prepared at the substrate temperature of $800^{circ}C$ shows relatively higher damage tolerance.
Nanostructured $TiO_2-SiO_2$ materials have widely been used as anti-reflecting coating, optical-chemical sensors and catalysts because of their superior optical and thermal properties as well as chemical durability. Web type $SiO_2$ microfibers with nano-crystalline $TiO_2$ were prepared by electrospinning of Ti-PCS mixed solution and oxidation controlled heat-treatment, rather simple than sol-gel process. Nano-crystalline anatase phase were formed for the heat-treatment up to $1200^{\circ}C$ and they were finely dispersed in the amorphous $SiO_2$ matrix.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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