Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.08a
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pp.222-222
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2012
Metal oxide gas sensors based on semiconductor type have attracted a great deal of attention due to their low cost, flexible production and simple usability. However, most works have been focused on n-type oxides, while the characteristics of p-type oxide gas sensors have been barely studied. An investigation on p-type oxides is very important in that the use of them makes possible the novel sensors such as p-n diode and tandem devices. Monoclinic cupric oxide (CuO) is p-type semiconductor with narrow band gap (~1.2 eV). This is composed of abundant, nontoxic elements on earth, and thus low-cost, environment-friendly devices can be realized. However, gas sensing properties of neat CuO were rarely explored and the mechanism still remains unclear. In this work, the neat CuO layers with highly ordered mesoporous structures were prepared by a template-free, one-pot solution-based method using novel ink solutions, formulated with copper formate tetrahydrate, hexylamine and ethyl cellulose. The shear viscosity of the formulated solutions was 5.79 Pa s at a shear rate of 1 s-1. The solutions were coated on SiO2/Si substrates by spin-coating (ink) and calcined for 1 h at the temperature of $200{\sim}600^{\circ}C$ in air. The surface and cross-sectional morphologies of the formed CuO layers were observed by a focused ion beam scanning electron microscopy (FIB-SEM) and porosity was determined by image analysis using simple computer-programming. XRD analysis showed phase evolutions of the layers, depending on the calcination temperature, and thermal decompositions of the neat precursor and the formulated ink were investigated by TGA and DSC. As a result, the formation of the porous structures was attributed to the vaporization of ethyl cellulose contained in the solutions. Mesoporous CuO, formed with the ink solution, consisted of grains and pores with nano-meter size. All of them were strongly dependent on calcination temperature. Sensing properties toward H2 and C2H5OH gases were examined as a function of operating temperature. High and fast responses toward H2 and C2H5OH gases were discussed in terms of crystallinity, nonstoichiometry and morphological factors such as porosity, grain size and surface-to-volume ratio. To our knowledge, the responses toward H2 and C2H5OH gases of these CuO gas sensors are comparable to previously reported values.
The Mo(V) $di-\mu-oxo$ type $(Mo_2O_4(H_2O)_2L)$ complexes $(L:\;C_3H_7CH(SCH_2COOH)_2,\;C_6H_5CH(SCH_2COOH)_2,\;CH_3OC_6H_4CH(SCH_2COOH)_2,\;C_5H_{10}C(SCH_2COOH)_2,\;C_3H_7C(CH_3)(SCH_2COOH)_2,\;C_3H_7CH(SCH_2CH_2COOH)_2,\;C_6H_5CH(SCH_2CH_2COOH)_2)$ have been prepared by the reaction of $[Mo_2O_4(H_2O)_6]^{2+}$ with a series of dithiodicarboxy ligands. These complexes are completed by two terminal oxygens arranged trans to one another and each ligand forms a chelate type between two molybdenum. In $Mo_2O_4(H_2O)_2L$, two $H_2O$ coordinated at trans site of terminal oxygens. The prepared complexes have been characterized by elemental analysis, infrared spectra, electronic spectra, and nuclear magnetic resonance spectra. In the potential range -0.00 V to -1.00 V at a scan rate of 20 $mVs^{-1}$, a cathodic peak at -0.50∼-0.58 V (vs. SCE) and an anodic peak at -0.40∼-0.43 V (vs. SCE) have been observed in aquous solution. The ratio of the cathodic to anodic current ($I_{pc}/I_{pa}$) is almost 1, we infer that redox is reversible reaction.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.52
no.7
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pp.282-287
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2003
″H″ type resonator has the advantage for the miniaturization of high-T7 superconducting (HTS) microstrip antenna in comparison with the conventional microstrip antenna such as rectangular type or circular type. In this paper we designed miniaturized HTS antennas using this "H"-type resonator and reported the characteristics of our antennas including return loss, bandwidth, radiation patterns, efficiency and so on. To fabricate the "H" type antenna, HTS YBa$_2$Cu$_3$$O_{7-x}$ (YBCO) thin films were deposited on MgO substrates using rf-magnetron sputtering. For comparison between normal conducting antennas and superconducting antennas, the gold antennas with the same dimension were also fabricated. An aperture coupling was used for impedance matching between 50 $\Omega$ feed line and HTS radiating patch. The ″H" type superconducting antenna showed the performance of 1.38 in SWR, 26 % in efficiency, and 13.8 dB in the return loss superior to the normal conducting counterpart.
Tetradentate Schiff base Cobalt(II)(3MeOSED)$(H_2O)_2$ complexe was synthesized and allowed to react with dry oxygen to form oxygen adducts of Cobalt(III) complexes such as ${\mu}$-peroxo type [Co(III)(3MeOSED)(DMF)]$_2O_2$ and [Co(III)(3MeOSED)(DMSO)]$_2O_2$in DMF and DMSO or superoxo type [Co(III)(3MeOSED)(Py)]$O_2$ in pyridine. The oxygen adducted complex was investigated by cyclic voltammetry and DPP method with glassy carbon electrode in 0.1M TEAP-DMF (-DMSO,-Py) as supporting electrolyte solution. As a result the reduction reaction process occurred to four steps including prewave Of $O_2^-$in 1 : 1 oxygen adducted superoxo type [Co(III)(3MeOSED)(Py)]$O_2$complex and three steps not including prewave of $O_2^-$ in 1 : 2 oxygen adducted ${\mu}$-peroxo type [Co(III)-(3MeOSED)(DMF)]$_2O_2$ and [Co(III)(3MeOSED)(DMSO)]$_2O_2$. A superoxo type [Co(III)(3MeOSED)(L)]$O_2\;(L: CH_3OH)$ was generated with oxygen in methanol. Selectively oxidized hydrazobenzene $(H_2AB)$ to trans-azobenzene(t-AB) and the rate constant k for oxidation reaction of the following equation is $(2.96 {\pm} 0.2)$${\times}$$10^{-1}$M/sec. $H_2AB$ + Co (II)(3MeOSED)$(L_2)+O_2\;{\rightleftarrow^K}$ [Co(III)(3MeOSED)(L)]$O_2{\cdot}H_2AB{\longrightarrow^K}$ Co(II(3MeOSED)$(L)_2$+t-AB+$H_2O_2 $.
We show that an Artinian O-sequence $h_0,h_1,{\cdots},h_{d-1},h_d\;=\;h_{d-1},h_{d+l}\;>\;h_d$ of codimension 3 is not level when $h_{d-1}\;=\;h_d\;=\;d + i\;and\;h{d+1}\;=\;d+(i+1)\;for\;i\;=\;1,\;2,\;and\;3$, which is a partial answer to the question in [9]. We also introduce an algorithm for finding noncancelable Betti numbers of minimal free resolutions of all possible Artinian O-sequences based on the theorem of Froberg and Laksov in [2].
Kim, Mi-Sun;Kim, Hyun-Soon;Kim, Yoon-Sik;Baek, Kwang-Hyun;Moon, Jae-Sun;Choi, Do-Il;Joung, Hyouk;Jeon, Jae-Heung
The Plant Pathology Journal
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v.23
no.4
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pp.300-307
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2007
Previously, a chloroplast-localized Cu,Zn superoxide dismutase (chCu,ZnSOD) was isolated from lily and the sense- and antisense- sequences of the lily chCu,ZnSOD were used to transform potato plants. Two selected lines, the sense- and anti-sense strand of transgenic plants, were further characterized for resistance to Erwinia carotovora, which is a severe pathogen affecting potato plants. Only the sense-strand transgenic potato, which contained less $O_2^{.-}$ and more $H_2O_2$ than wild-type and antisense-strand transgenic plants, showed increased resistance to E. carotovora. Additional studies using $O_2^{.-}$ or $H_2O_2$ scavengers in wild-type, sense-strand, and antisense-strand transgenic plants suggest that resistance to E. carotovora is induced by reduced $O_2^{.-}$ and is not influenced by $H_2O_2$. To the best of our knowledge, this report is the first study suggesting that resistance to E. carotovora is enhanced by reduced $O_2^{.-}$, and not by increased amounts of $H_2O_2$.
Surface oxides and intergranular (IG) oxidation phenomena in Alloy 600 depending on hydrogen concentration were characterized to obtain clear insight into the primary water stress corrosion cracking (PWSCC) behavior upon exposure to pressurized water reactor primary water. When hydrogen concentration was between 5 and 30 cm3 H2/kg H2O, NiFe2O4 and NiO type oxides were found on the surface. NiO type oxides were found inside the oxidized grain boundary when hydrogen concentration was 5 cm3 H2/kg H2O. However, only NiFe2O4 spinel on the surface and Ni enrichment were observed when hydrogen concentration was 30 cm3 H2/kg H2O. These results indicate that the oxidation/reduction reaction of Ni in Alloy 600 depending on hydrogen concentration can considerably affect surface oxidation behavior. It appears that the formation of NiO type oxides in a Ni oxidation state and Ni enrichment in a Ni reduction (or metallic) state are common in primary water. It is believed that the above different oxidation/reduction reactions of Ni in Alloy 600 depending on hydrogen concentration can also significantly affect the resistance to PWSCC of Alloy 600.
Most TCOs such as ITO, AZO(Al-doped ZnO), FTO(F-doped $SnO_2$) etc., which have been widely used in LCD, touch panel, solar cell, and organic LEDs etc. as transparent electrode material reveal n-type conductivity. But in order to realize transparent circuit, transparent p-n junction, and introduction of transparent p-type materials are prerequisite. Additional prerequisite condition is optical transparency in visible spectral region. Oxide based materials usually have a wide optical bandgap more than ~3.0 eV. In this study, single-phase transparent semiconductor of $SrCu_2O_2$, which shows p-type conductivity, have been synthesized by 2-step solid state reaction at $950^{\circ}C$ under $N_2$ atmosphere, and single-phase $SrCu_2O_2$ thin films of p-type TCOs have been deposited by RF magnetron sputtering on alkali-free glass substrate from single-phase target at $500^{\circ}C$, 1% $H_2$/(Ar + $H_2$) atmosphere. 3% $H_2$/(Ar + $H_2$) resulted in formation of second phases. Hall measurements confirmed the p-type nature of the fabricated $SrCu_2O_2$ thin films. The electrical conductivity, mobility of carrier and carrier density $5.27{\times}10^{-2}S/cm$, $2.2cm^2$/Vs, $1.53{\times}10^{17}/cm^3$ a room temperature, respectively. Transmittance and optical band-gap of the $SrCu_2O_2$ thin films revealed 62% at 550 nm and 3.28 eV. The electrical and optical properties of the obtained $SrCu_2O_2$ thin films deposited by RF magnetron sputtering were compared with those deposited by PLD and e-beam.
In this paper, we investigated the effect of the passivation stack with Al2O3, hydrogenated silicon nitride (SiNx:H) stack and Al2O3, silicon oxynitride (SiONx) stack in the n type bifacial solar cell on monocrystalline silicon. SiNx:H and SiONx films were deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition on the Al2O3 thin film deposited by thermal atomic layer deposition. We focus on passivation properties of the two stack structure after laser ablation process in order to improve bifaciality of the cell. Our results showed SiNx:H with Al2O3 stack is 10 mV higher in implied open circuit voltage and 60 ㎲ higher in minority carrier lifetime than SiONx with Al2O3 stack at Ni silicide formation temperature for 1.8% open area ratio. This can be explained by hydrogen passivation at the Al2O3/Si interface and Al2O3 layer of laser damaged area during annealing.
The purpose of this study is to investigate electro-generation of free Cl, $ClO_2$, $H_2O_2$ and $O_3$ and degradation of Rhodamine B in solution using Ru-Sn-Sb electrode. Electrolysis was performed in one-compartment reactor using a dimensionally stable anode(DSA) of Ru-Sn-Sb/Ti as the working electrode. The effect of applied current (0.5-3 A), electrolyte type (NaCl, KCl, HCl, $Na_2SO_4$ and $H_2SO_4$) and concentration (0.5-2.5 g/L), air flow rate (0-3 L/min) and solution pH (3-11) was evaluated. Experimental results showed that concentration of 4 oxidants was increased with increase of applied current, however optimum current for RhB degradation was 2 A. The generated oxidant concentration and RhB degradation of the of Cl type-electrolyte was higher than that of the sulfate type. The oxidant concentration was increased with increase of NaCl concentration and optimum NaCl dosage for RhB degradation was 1.75 g/L. Optimum air flow rate for the oxidants generation and RhB degradation was 2 L/min. $ClO_2$ and $H_2O_2$ generation was decreased with the increase of pH, whereas free Cl and $O_3$ was not affected by pH. RhB degradation was increase with the pH decrease.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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