• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.143-144
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• 2010

3-5족 화합물 반도체를 이용한 집광형 삼중 접합 태양전지는 40% 이상의 광변환 효율로 많은 주목을 받고 있다[1]. 삼중 접합 태양전지의 하부 셀은 기계적 강도가 높고 장파장을 흡수할 수 있는 Ge이 사용된다. Ge위에 성장될 III-V족 단결정막으로서 Ge과 격자상수가 일치하는 GaInP나 GaAs가 적합하고, 성장 중 V족 원소의 열확산으로 인해 Ge과 pn접합을 형성하게 된다. 이때 GaInP의 P의 경우 GaAs의 As보다 확산계수가 낮아 태양전지 변환효율향상에 유리한 얇은 접합 형성이 가능하고, 표면 에칭효과가 적기 때문에 GaInP를 단결정막으로 선택하여 p-type Ge기판 위 성장으로 단일접합 Ge구조 제작이 가능하다. 하지만 이종접합 구조 성장으로 인해 발생한 계면사이의 전위나 미세결함들이 결정막내부에 존재하게 되며 이러한 결함들은 광학소자 응용 시 비발광 센터로 작용할 뿐 아니라 소자의 누설전류를 증가시키는 원인으로 작용하여 태양전지 변환효율을 감소시키게 된다. 이에 결함감소를 통해 소자의 전기적 특성을 향상시키고자 수소 열처리나 플라즈마 공정을 통해 수소 원자를 박막내부로 확산시키고, 계면이나 박막 내 결함들과 결합시킴으로서 결함들의 비활성화를 유도하는 연구가 많이 진행되어 왔다 [2][3]. 하지만, 격자불일치를 갖는 GaInP/Ge 구조에 대한 수소 열처리 및 불순물 준위의 거동에 대한 연구는 많이 진행되어 있지 않다. 따라서 본 연구에서는 Ga0.45In0.55P/Ge구조에 수소 열처리 공정을 적용을 통하여 단결정막 내부 및 계면에서의 결함밀도를 제어하고 이를 통해 태양 전지의 변환효율을 향상시키고자 한다. <111> 방향으로 $6^{\circ}C$기울어진 p-type Ge(100) 기판 위에 유기금속화학증착법 (MOCVD)을 통해 Si이 도핑된 200 nm의 n-type GaInP층을 성장하여 Ge과 단일접합 n-p 구조를 제작하였다. 제작된 GaInP/Ge구조를 furnace에서 250도에서 90~150분간 시간변화를 주어 수소열처리 공정을 진행하였다. 저온 photoluminescence를 통해 GaInP층의 광학적 특성 변화를 관찰한 결과, 1.872 eV에서 free-exciton peak과 1.761 eV에서 Si 도펀트 saturation에 의해 발생된 D-A (Donor to Acceptor)천이로 판단되는 peak을 검출할 수 있었다. 수소 열처리 시간이 증가함에 따라 free-exciton peak 세기 증가와 반가폭 감소를 확인하였고, D-A peak이 사라지는 것을 관찰할 수 있었다. 이러한 결과는 수소 열처리에 따른 단결정막 내부의 수소원자들이 얕은 불순물(shallow impurity) 들로 작용하는 도펀트들이나, 깊은 준위결함(deep level defect)으로 작용하는 계면근처의 전위, 미세결함들과의 결합으로 결함 비활성화를 야기해 발광세기와 결정질 향상효과를 보인 것으로 판단된다. 본 발표에서는 상술한 결과를 바탕으로 한 수소 열처리를 통한 박막 및 계면에서의 결함준위의 거동에 대한 광분석 결과가 논의될 것이다.

• 한국광학회지
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• 제25권2호
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• pp.72-77
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• 2014

본 논문에서는 초소형의 광섬유 결합형 테라헤르츠 모듈을 이용하여 테라헤르츠 시간영역 분광 및 영상 시스템을 구성하였다. 구성된 THz 분광 시스템을 이용하여 3 THz 이상의 자유공간에 분포되어 있는 수분의 고유 흡수 스펙트럼을 관측하였고 테라헤르츠 대역에서의 Si, $Al_2O_3$, GaAs기판에 대한 굴절률을 측정하였으며 측정을 위해 다중 반사를 고려한 전달 함수를 이용한 굴절률 측정 방법을 이용하였다. 또한, 테라헤르츠 영상 시스템을 이용하여 의료용 칼과 클립을 측정하여 250 ${\mu}m$ 간격으로 $192{\times}89$ 픽셀의 영상을 얻었다.

• 방사선산업학회지
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• 제5권2호
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• pp.101-106
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• 2011

The separation of germanium and gallium ion with metal oxide was introduced into the development of $^{68}Ge/^{68}Ga$ generator. Germanium and gallium within mixed solution were respectively separated by using a liquid-liquid extraction and a column chromatographic method. The separation of Ge within high concentrated hydrochloric and sulfuric acid was conducted by the extraction to $CCl_4$ and the back-extraction to 0.05 M HCl. An optimum condition of the extraction by $CCl_4$ was in 5~7 M HCl and efficiency was around 80%. The gallium was selectively separated by using $Al_2O_3$ among metal oxides as sorbents from the mixed solution in 0.04~0.10 M HCl condition.

• 한국통신학회논문지
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• 제25권11A호
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• pp.1661-1671
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• 2000

본 고에서는 한국통신(Korea Telecom) IMT-2000 시험시스템(이하: Trial system 라고 함) 단말기용 전력증폭단으로 적용하기 위한 다단구동증폭기 및 전력증폭기를 GaAs MMIC로 설계 구현하는 기술을 제시하였다. 설계된 구동증폭기는 3단으로구성하여 RF(Radia Frequency) 송신신호(1955$\pm$70MHz)대역에서 2단 (중간단)의 이득 조정범위가 40 dB이상이 될 수 있도록 능동부품인 MESFET를 Cascade 형으로 구성하고 MESFET의 게이트(gate)에 조정전압을 인가하는 증폭기를 설계하여 GaAs MMIC화 1 침(크기4$\times$5 mm)으로 제작하였다. 아울러, 본 논문에서는 제시한 구동증폭기는 동작주파수 대역폭 범위기 3.5배이고 출력전력은 15dBmm 이며, 출력전력이득이 25~27dB이고 반사계수는 -15~20dB이며 이득평탄도 3dB(동작주파수 대역폭내)로써 Trial system용 단말기의 최종단인 전력증폭단의 출력단 특성을 효과적으로 나타내었다. 그리고, 전력 증폭기는 2개의 입력단에서 출력되는 신호를 분배하는 전력분배기와 병렬구조인 4개의 증폭단에서 출력되는 출력신호를 외부에서 접속하는 전력결합기를 접소하여 구성하였으며 RF(Radio Frequency) 주파수(1955 $\pm$70NHz)에서 대역폭을 4배로 설계하여 광대역인 대역폭을 구현하였고 출력전력은 570mW이며, 출력부가효율(PAE; Power Added Efficency)가 -15$\pm$20dB이고, 이득 평탄도(Gain flatness)는 동작주파수 대역내에서 0.5dB이며 입출력 전압정재파비(Input & Output VSWR)가 13이하인 고출력 전력증포기를 GaAs MMIC화 1칩 (크기; 3$\times$4mm)으로 제작하였다.의 다양성이나 편리성으로 변화하는 것이 국적을 바꾸는 것보다 어려운 시 대가 멀지 않은 미래에 도래할 것이다. 신세기 통신 과 SK 텔레콤에는 현재 1,300만명이 넘 는 고객이 있으며. 이들 고객은 어 이상 음성통화 중심의 이동전화 고객이 아니라 신세기 통신과 SK텔레콤이 함께 구축해 나갈 거대란 무선 네트워크 사회에서 정보화 시대를 살아 갈 회원들이다. '컨텐츠의 시대'가 개막되는 것이며, 신세기통신과 SK텔레콤은 선의의 경쟁 과 협력을 통해 이동인터넷 서비스의 컨텐츠를 개발해 나가게 될 것이다. 3배가 높았다. 효소 활성에 필수적인 물의 양에 따른 DIAION WA30의 라세미화 효율에 관하여 실험한 결과, 물의 양이 증가할수록 그 효율은 감소하였다. DIAION WA30을 라세미화 촉매로 사용하여 아이소옥탄 내에서 라세믹 나프록센 2,2,2-트리플로로에틸 씨오에스터의 효소적 DKR 반응을 수행해 보았다. 그 결과 DIAION WA30을 사용하지 않은 경우에 비해 반응 전환율과 생성물의 광학 순도는 급격히 향상되었다. 전통적 광학분할 반응의 최대 50%라는 전환율의 제한이 본 연구에서 찾은 DIAION WA30을 첨가함으로써 성공적으로 극복되었다. 또한 고체 염기촉매인 DIAION WA30의 사용은 라세미화 촉매의 회수 및 재사용이 가능하게 해준다.해준다.다. TN5 세포주를 0.2 L 규모 (1 L spinner flask)oJl에서 세포간의 응집현상 없이 부유배양에 적응,배양시킨 후 세포성장 시기에 따른 발현을 조사한 결과 1 MOI의 감염조건 하에서는 $0.6\times10^6$cell/mL의 early exponential시기의 세포밀도에서 72시간 배양하였을 대 최대 발현양을 나타내었다. 나타내었다. $\beta$4 integrin의 표현이 침투 능력을 높이는 역할을 하나 이때에는 laminin과 같은 리간드와의 특이

• 한국환경과학회:학술대회논문집
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• 한국환경과학회 2006년도 추계 학술발표회 발표논문집
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• pp.127-129
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• 2006

광양지역에 자주 발생하는 해풍에 의한 대기오염물질의 농도분포 특성을 알아보기 위해, 2003년부터 2005년까지 3년간의 기상자료와 대기질 관측자료를 분석하였다. 해풍이 발생한 날은 총 231일 이었으며, 해풍이 발생한 날의 $SO_2$와 $O_3$의 농도는 비해풍일 경우보다 높게 나타나고 있어 광양지역의 대기질의 분포에 해풍의 영향이 중요한 인자임을 알 수 있다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.199-199
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• 2011

Recently, Thin film transistors (TFTs) with amorphous oxide semiconductors (AOSs) can offer an important aspect for next generation displays with high mobility. Several oxide semiconductor such as ZnO, $SnO_2$ and InGaZnO have been extensively researched. Especially, as a well-known binary metal oxide, tin oxide ($SnO_2$), usually acts as n-type semiconductor with a wide band gap of 3.6eV. Over the past several decades intensive research activities have been conducted on $SnO_2$ in the bulk, thin film and nanostructure forms due to its interesting electrical properties making it a promising material for applications in solar cells, flat panel displays, and light emitting devices. But, its application to the active channel of TFTs have been limited due to the difficulties in controlling the electron density and n-type of operation with depletion mode. In this study, we fabricated staggered bottom-gate structure $SnO_2$-TFTs and patterned channel layer used a shadow mask. Then we compare to the performance intrinsic $SnO_2$-TFTs and doping hafnium $SnO_2$-TFTs. As a result, we suggest that can be control the defect formation of $SnO_2$-TFTs by doping hafnium. The hafnium element into the $SnO_2$ thin-films maybe acts to control the carrier concentration by suppressing carrier generation via oxygen vacancy formation. Furthermore, it can be also control the mobility. And bias stability of $SnO_2$-TFTs is improvement using doping hafnium. Enhancement of device stability was attributed to the reduced defect in channel layer or interface. In order to verify this effect, we employed to measure activation energy that can be explained by the thermal activation process of the subthreshold drain current.

• Journal of Microbiology and Biotechnology
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• 제8권6호
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• pp.606-612
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• 1998

A microbial flocculant-producing gram-positive bacterium, strain TE11, was isolated from soil samples, and was identified as Bacillus subtilis by using the Midi system, the Biolog system, 16S rDNA sequence analysis, and some physiological and morphological characteristics. The maximum flocculant capsular biopolymer of TE11 strain (BCP, 4.9mg/ml) was obtained when it was grown in GA broth medium containing 3% glutamic acid, 2% glycerol, 0.5% citric acid, 0.5% $NH_4$Cl, 0.05% $MgSO_4.7H_2O,\; 0.05%\;K_2HPO_4\;,\; and\; 0.004%\; FeC1_3. 6H_2O,\; pH 7.2,\; at\; 30^{\circ}C$ for 70 h with shaking. When glycerol was used as an additional carbon source in the GA medium, TE11 produced only flocculant BCP without any by-product. The flocculant (BCP) was found to aggregate suspended kaolin and activated charcoal powder without cations, and its flocculating activity was significantly enhanced by the addition of bivalent cations such as $Ca^{2＋}.Zn^{2},\; and\; Mn^{2＋}$. The flocculation activity by addition of $Ca^{2+}$ was high in an acidic pH 4.0. In the case of $Zn^{2＋}$, high flocculating activity remained without significant loss in the broad range of pH 4.0 to 9.0.

• 한국재료학회지
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• 제6권1호
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• pp.57-66
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• 1996

MoSi2 heating elements were fabricated by sintering of MoSi2 powders which were synthesized through SHS(Self-propagating high-temperature synthesis). Their high-temperature oxidation behavior in air through SHS(Self-propagating high-temperature synthesis). Their high-temperature oxidation behavior on air at 1000-1600$^{\circ}C$ was investigated through a high-temperature X-ray diffractomer and isothermal heating in a muffle furnace. The thermal expansion of MoSi2 and SiO2 was studied by measuring their lattice parameters on heating. The linear expansion coeffcient of MoSi2 along c-axis was about 1.5 times larger than that along a-axis showing a strong thermal anisotropy. Few $\mu\textrm{m}$-thick Mo5Si3 layer was found beneath SiO2 layer suggesting that The major reaction products would be SiO2 and Mo5Si3. The Si-rich bentonite resulted in the faster growth of MoSi2 grains probably by enhancing the mass transport when they are melted during high-temperature oxidation.

• 한국지능시스템학회논문지
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• 제2권3호
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• pp.58-67
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• 1992

This paper presents a method on applying Genetric Algorithms(GA), which is a well-know high performance optimizing algorithm, to construct the self-organizing fuzzy logic controller. Fuzzy logic controller considered in this paper utilized Sugeno's hybrid inference method. which has an advantage of simple defuzzification process in the inference engine. Genetic algorithm is used to find the iptimal parameters in the FLC. The proposed approach will be demonstrated using 2 d. o. f robot manipulator to verify its effectiveness.

• Membrane and Water Treatment
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• 제3권3호
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• pp.169-179
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• 2012

One of the major limitations in the use of commercial aromatic polyamide thin film composite (TFC) reverse osmosis (RO) membranes is to maintain high performance over a long period of operation, due to the sensitivity of polyamide (PA) skin layer to oxidizing agents, such as chlorine, even at very low concentrations in feed water. This article reports surface modification of a commercial TFC RO membrane (BW30-Dow Filmtec) by covering it with a thin film of poly(vinyl alcohol) (PVA) crosslinked with glutaraldehyde (GA) to improve its resistance to chlorine. Crosslinking reaction was carried out at 25 and $40^{\circ}C$ by using PVA 1.0 wt.% solutions at different GA/PVA mass ratio, namely 0.0022, 0.0043 and 0.013. Water swelling measurements indicated a maximum crosslinking density for PVA films prepared at $40^{\circ}C$ and GA/PVA 0.0043. ATR-FTIR and TGA analysis confirmed the reaction between GA and PVA. SEM images of the original and modified membranes were used to evaluate the surface coating. Chlorine resistance of original and modified membranes was evaluated by exposing it to an oxidant solution (NaClO 300 mg/L, NaCl 2,000 mg/L, pH 9.5) and measuring water permeability and salt rejection during more than 100 h period. The surface modification effectively was demonstrated by increasing the chlorine resistance of PA commercial membrane from 1,000 ppm.h to more than 15.000 ppm.h.