• 원예과학기술지
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• 제31권2호
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• pp.135-140
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• 2013

본 실험은 $GA_3$와 thidiazuron(TDZ)이 '거봉' 포도의 무핵과율, 수확시기, 열과 및 과실품질에 미치는 영향을 알아보고자 2008년에서 2009년까지 2년간 수행되었다. 2008년에는 $GA_3$ $25.0mg{\cdot}L^{-1}$에 TDZ $2.5mg{\cdot}L^{-1}$를 혼용한 것과 혼용하지 않은 것을 만개기와 만개 후 14일에 침지 처리하였다. 과실의 무핵과율과 과실비대는 $GA_3$ $25.0mg{\cdot}L^{-1}$에 TDZ $2.5mg{\cdot}L^{-1}$를 2차에만 혼용처리 한 경우 TDZ를 1, 2차 모두 혼용처리한 것에 비하여 약간 증가하였다. 반면에 열과발생률은 모든 생장조절제 처리에서 무처리구에 비해 높게 조사되었다. 2009년에는 $GA_3$ $12.5mg{\cdot}L^{-1}$과 $GA_3$ $25.0mg{\cdot}L^{-1}$를 만개기와 만개 후 14일에 두 번 침지 처리하였으며 TDZ $2.5mg{\cdot}L^{-1}$를 만개 후 14일에만 혼용 처리하였다. 열과발생율은 $GA_3$의 농도에 영향을 받았다. $GA_3$ $25.0mg{\cdot}L^{-1}$의 고농도에서는 열과발생율이 유의하게 증가하였으나 $GA_3$ 농도를 $12.5mg{\cdot}L^{-1}$으로 낮출 경우 열과발생율에 영향이 없었다. 또한 $GA_3$ $25.0mg{\cdot}L^{-1}$ 처리 시에도 만개 14일 후 2차 처리 시 TDZ를 혼용할 경우 열과발생율이 무처리 수준까지 감소하였다. 모든 생장조절제 처리는 과일의 숙기를 촉진하였으며, $GA_3$ $12.5mg{\cdot}L^{-1}$에 2차에만 TDZ를 추가하였을 경우 가장 효과가 좋았다. 따라서 과실의 숙기와 품종 등 모든 관점을 고려하였을 때 35-40개의 과립수를 가진 400-500g 정도의 '거봉' 무핵과를 생산하기 위해서는 $GA_3$ $12.5mg{\cdot}L^{-1}$을 만개기와 만개 후 14일에 처리하며 TDZ를 만개 후 14일에만 혼용 처리하는 것이 가장 좋은 결과를 얻을 수 있는 것으로 조사되었다.

• 한국작물학회지
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• 제30권4호
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• pp.471-480
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• 1985

수도품종의 GA$_3$에 대한 절간신장반응을 지베렐린 생합성 저해제인 Paclobutrazol과 관련시켜 평가하여 효과적으로 벼의 절간신장을 조절하고자 본 실험을 수행하였다. 진흥, 미네히까리, 한강찰벼를 공시하여 생육시기별(최고분얼기, 유수형성기 및 감수분열기)로 GA$_3$는 0, 20, 50, 100ppm 용액을 엽면살포하였고, Paclobutrazol은 10a당 성분량으로 0, 10, 20, 30 g을 각각 토양에 처리하여 얻은 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. GA$_3$는 최고분얼기와 유수형성기에 처리하였을때, 제 5절간 이하의 신장을 촉진하였으며, 감수분열기에 처리하였을 때는 제 3절간의 신장을 현저히 촉진하였다. 2. GA$_3$는 100ppm 용액을 처리하였을 때 진흥에서는 최고분얼기에, 미네히까리는 유수형성기에, 한강찰은 감수분열기에 처리하였을 때 간장은 대조구에 비해 각각 15.6, 15.9, 44.1%로 신장이 촉진되었으며, 한강찰이 GA$_3$에 가장 민감하게 반응하였다. 3. Paclobutrazol은 최고분얼기와 유수형성기에 처리하였을 때 제4, 5절간의 신장을 억제하였으며, 감수분열기에 처리하였을 때는 제 2,3절간, 특히 제 3절간의 신장을 현저히 억제하였다. 4. Paclobutrazol은 처리농도가 증가함에 따라 간의 신장이 억제되었으며, 감수분열기에 처리할 때 가장 억제되어, 대조구에 비해 진흥은 25.3%, 미네히까리는 22.8%, 한강찰은 13.9%정도 간장이 단축되었고, 한강찰이 Paclobutrazol에 가장 둔감한 반응을 나타냈다. 5. Paclobutragol은 주내 모든 이삭들의 간장을 고르게 감소시켜 주내 간장의 변이는 대조구와 거의 차이가 없었다. 6. 감수분열기에 GA$_3$를 처리하면 세 품종 모두에서 다소 수장이 길어지나, GA$_3$를 100ppm의 고농도로 감수분열기 이전에 처리하면 진흥과 미네히까리 품종에서만 수장이 짧아졌다. 7. Paclobutrazol을 유수분화기 이후에 처리하면 수장은 처리농도가 증가함에 따라 짧아지는 경향이었다. 8. GA$_3$나 Paclobutrazol을 처리하였을 때 간장과 수장과의 상관관계는 Paclobutrazol을 진흥과 미네히까리에 처리한 경우에만 고도의 정의 상관관계를 인정할 수 있었다. 9. 수당 영화수는 GA$_3$를 최고분얼기에 처리한 경우, 진흥과 미네히까리에서만 감소되었으나 한강찰에서는 차이가 없었다. Paclobutrazol 처리에 의해서는 최고분얼기나 유수분화기에 처리하면 수당 영화수가 감소하였으나 감수분열기에 처리하면 수당 영화수가 변하지 않았다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.210-210
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• 2012

Ge 기판을 이용한 GaInP/GaAs/Ge 삼중접합 태양전지는 43.5%의 높은 광전효율을 기록하고 있으며, 이를 지상용 태양광 발전시스템에 이용하려는 연구가 진행 중이다[1]. 그러나, 이러한 다중접합 태양전지는 셀 제작 비용에 있어 Ge기판의 가격이 차지하는 비중이 높고 대면적 기판을 이용하기 힘든 단점이 있다. 한편, 무게, 기계적 강도와 열전도도 측면에서 Si 기판은 Ge 기판에 비해 장점이 있다. 아울러, 상대적으로 낮은 가격의 대면적 기판을 사용할 수 있기 때문에 Si 기판으로 Ge 기판을 대체할 경우 다중접합 태양전지의 높은 제작 비용을 낮추는 효과도 기대할 수 있다. Si 기판의 장점을 취하며 고효율 태양전지를 제작하기 위해, 이번 실험에서 우리는 Ge 에피층이 성장된 Si 기판 위에 GaAs 태양전지를 제작하였다. GaAs, GaInP와 비슷한 격자상수를 갖고 있는 Ge과 달리, Si은 이들 물질(GaAs, GaInP)과 4%의 격자상수 차이를 갖고 있으며 이로 인해 성장과정에서 관통전위가 발생하게 된다. 이러한 관통전위는 소자의 개방전압을 감소시키는 원인으로 작용한다. 실제로 Si 기판 위에 제작된 GaAs/Ge 이중접합 태양전지에서 관통전위 밀도에 따른 개방전압 감소를 확인할 수 있었다. 관통전위로 인한 영향 이외에, Si 기판위에 제작된 태양전지에서는Ge 기판 위에 제작된 태양전지에 비하여 낮은 fill factor가 관찰되었다. 이것은 Si 기판 위에 제작된 GaAs/Ge 이중접합 태양전지가 높은 직렬저항을 가지고 있기 때문이다. 따라서 이번 실험에서는 Si 기판 위에 제작한 GeAs/Ge 이중접합 태양전지의 직렬저항의 원인을 전산모사와 실험을 통하여 규명하였다. TCAD (APSYS-2010)를 이용한 전산모사 결과, Si 기판의 낮은 불순물 농도 ($1{\times}10^{15}/cm^3$)에 따른 직렬저항의 원인으로 파악되었으며, 전류-전압 특성을 측정하여 실험적으로 이를 확인하였다. 이러한 직렬저항 성분을 줄이기 위하여 Si 기판의 p형 불순물 농도가 전류 전압 특성 곡선에 미치는 영향을 전산모사를 통하여 알아보았으며, Si 기판의 불순물 농도가 $1{\times}10^{17}/cm^3$ 이상으로 증가할 경우, 직렬저항 성분이 크게 감소 하는 것을 전산모사 결과로 예상할 수 있었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제24권1호
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• pp.8-14
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• 2014

본 연구에서는 InGaZnO 반도체를 제조하기 위하여 출발물질로 사용되는 $Ga_2O_3$분말을 침전법을 이용하여 합성하였다. 침전법의 공정 변수인 출발물질로 사용된 $Ga(NO_3)_3$의 농도와 aging 시간 및 온도를 제어하여 $Ga_2O_3$ 분말을 합성하고 그 물성을 분석하였다. TG-DSC 분석을 통하여 $Ga(OH)_3$의 산화온도 및 $Ga_2O_3$의 상전이 온도를 확인하였고, XRD 분석을 통해 $Ga_2O_3$의 결정구조와 결정성의 변화를 확인하였다. 또한 SEM 관찰을 통해 $Ga_2O_3$분말의 미세 구조와 평균 입도 및 입도 분포를 분석하였다.

• 생물환경조절학회지
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• 제16권1호
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• pp.32-39
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• 2007

발아율이 저조한 한지형 잔디인 Kentucky bluegrass 와 Tall fescue종자를 식물생장조절제인 $GA_3$와 BAP를 처리하여 발아율을 극대화시킬 수 있는 최적 처리조건을 구명하였다. Kentucky bluegrass 초종에서는 $GA_3$ 처리는 농도에 관계없이 BAP 단독 또는 및 $GA_3$와 BAP혼용처리보다 발아증진 효과가 높았으며, 처리기간은 6일 처리가 3일 처리보다 좋았다. 따라서 최적 처리조건은 $GA_3$ $1000{\mu}M$농도로 6일간 처리였으며, 무처리보다 발아율을 $10{\sim}38%$ 향상시킬 수 있었다. Tall fescue 종자는 생장조절제를 처리하면 발아율이 향상되는 경향이나 현저한 수준은 아니었다. 최적 생장조절제 처리조건은 $GA_3\;1000{\mu}M$용액으로 3일간 처리였는데, 무처리 종자에서 비해 발아율을 10%증진시켰다. $GA_3$ 처리된 Kentucky bluegrass와 Tall fescue 종자는 묘출현율이 무처리에 비해 $8{\sim}9%$ 향상되었고, 묘출현속도는 1.2일 빨랐다. 또한 건물 중, 초장 및 뿌리생장 등 초기생육이 무처리에 비해 향상되었으나, 유의성은 인정되지 않았다.

• Clinical and Experimental Pediatrics
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• 제49권1호
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• pp.93-98
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• 2006

목 적 : 재태연령 34주 이상의 적정체중아(appropriate for gestational age, AGA)에서 제대혈의 ghrelin과 leptin의 농도를 측정하고 출생체중, 체질량지수(body mass index, BMI) 등의 신체계측치와의 연관성 및 IGF-I, IGFBP-3와 같은 성장과 관련된 호르몬과의 관계에 대해 알아보았다. 방 법 : 재태연령 34주에서 42주 미만의 신생아 중 재태기간과 비교해 적정체중을 가진 건강한 남아 31명과 여아 29명을 대상으로 하였다. 대상 신생아의 출생체중, 체질량지수를 계측하고 제대정맥혈을 채취하여 ghrelin, leptin, IGF-I 및 IGFBP-3 농도를 측정하여 분석하였다. 결 과 : 대상 신생아들의 제대혈에서 ghrelin 농도($528.3{\pm}307.3pg/mL$)는 신생아의 출생체중(r=-0.29, P<0.05)과 재태연령(r=-0.28, P<0.05)과 반비례하였다. 한편, 대상 신생아 제대혈의 leptin 농도($4.43{\pm}3.66ng/mL$)는 신생아의 출생체중(r=0.44, P<0.01), 재태연령(r=0.36, P<0.01), 체질량지수(r=0.28, P<0.05) 등과 비례하였다. 제대혈의 ghrelin 농도는 성별에 따른 차이가 없었으나 leptin 농도는 여아($5.45{\pm}4.32ng/mL$)에서가 남아($3.48{\pm}2.64ng/mL$)에서보다 유의하게 높았으며(P<0.05), 특히 재태연령 37주 이상인 군에서 성별에 따라 뚜렷한 차이를 보였다(P<0.01). 제대혈의 ghrelin과 leptin 농도 사이에서는 의미있는 상관관계가 없었으며, ghrelin 농도와 제대혈의 IGF-I 및 IGFBP-3 사이에서도 역시 의미있는 상관관계가 없었다. 결 론 : 적정체중을 가진 신생아의 제대혈 ghrelin 농도는 출생체중 및 재태연령에 반비례하였다. 제대혈의 leptin 농도는 신생아의 출생체중, 재태연령 및 체질량지수 등의 신체계측치에 비례하였으며 여아에서 남아에서보다 더 높은 농도를 나타냈다. 제대혈의 ghrelin과 leptin 농도 사이에는 특별한 상관관계가 없었다. 앞으로 이들 물질이 태아 성장에 생리적, 병리적으로 상호 어떤 역할을 하는지 규명하기 위해 더 많은 연구가 필요할 것으로 생각된다.

• 전자공학회논문지D
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• 제36D권3호
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• pp.41-47
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• 1999

SiN로부터 GaAs로 확산된 Si을 이용하여 소스와 드레인 영역에 고농도 Si 확산층을 갖는 GaAs MESFET를 제작하였다. 제작된 MESFET의 소스와 드레인 영역은 950°C, 30초의 열처리에 의해 Si 확산층이 표면에서부터 350Å두께로 형성되어 확산층이 없을 때 1000Ω/sq.정도였던 면저항이 400Ω/sq.로 내외로 감소하였다. 고농도로 확산된 Si은 AuGe/Ni/Au와 GaAs 기판 사이의 저항성 접촉 특성을 2.5×10\sub -6\Ω-cm\sup 2\로부터 1.5×10\sup -6\Ω-cm\sup 2\로 개선시켰다. 제작된 lum게이트 길이의 확산층을 갖는 MESFET는 최대 트랜스컨덕턴스가 260mS/mm 이었으며, 이득과 최소잡음지수는 12GHz에서 각각 8.5dB와 3.57dB를 나타내 같이 제작된 표면 확산 층이 없는 MESFET에 비해 1.3dB와 0.4dB가 향상되었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제4권1호
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• pp.83-91
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• 1994

직경 2인치 갈륨비소 단결정을 위한 수직온도구배냉각 결정성장치를 제작하여 크롬과 인듐이 함께 도핑된 반절연 갈륨비소 단결정을 성장하였다. 함께 도핑된 결정에 대해서,불순물의 편석계수는 크롬 또는 인듐만을 도핑한 결정에서 편석계수와 비교할 때 변하지 않고 같은 값을 갖는다. 크롬과 인듐의 농도는 결정의 종자부분 부터 꼬리부분까지 각각 $2{\Times}10^{16}~3{\Times}10^{17} cm^{-3}$과 $2{\Times}10^{19}~3{\Times}10^{20} cm^{-3}$의 범위내에서 분포되었다. 평균 전위밀도는 결정의 전 영역에 걸쳐 약 $8000cm^{-2}$ 미만으로 관측되었다. 또한 인듐농도가 증가함에 따라 전위 밀도가 $1000m^{-2}$ 미만으로 감소하는 격자강화의 효과도 관찰할 수 있었다. 갈륨비소의 결정성장 방향에 따라 캐리어의 농도는 $10^{16}$에서 $10^8cm^{-3}$로 감소한 반면 비저항 값은 $10^{-2}$에서 $10^8$ Ohm-cm로 급격하게 증가하였다. 반절연의 특성은 크롬농도 약 $6{\Times}10^{16}cm^{-3}$의 농도이상에서 얻을 수 있었다. 성장된 단결정 내의 깊은 준위는 두 개의 전자덫인 $E_C-0.81eV, E_C-0.35eV$와 두 개의 정공덫인$E_V+0.89eV, E_V+0.65eV$이다.

• 전자공학회논문지A
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• 제30A권3호
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• pp.76-87
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• 1993

We present a self-consistent, 2-dimensional solution of the Poisson and Sch rodinger equation based on the finite difference method with a nonuniform mesh size for a AlGaAs/GaInAs/GaAs HEMT devide. During the interative self-consistent calculation, however, we calculate Schrodinger equation only a some region of device, not a fully region in order to save the moemory and the speed-up of computation, and then use the approximated data for the other region using by a interpolation method with a given values. Also we adopt the proper matrix transformation method that allows preservation of the symmetric, form of the discretized Schrodinger equation, even with the use of a nonumiform mesh size, therefor, can reduce the computation time. We calculate the wavefunction, eigenstates and the electron concentration uat channel layer nder the thermal equilibrium and the biased conditions, respectively. Also,these parameters are used to solve 2-dimensional tdistribution of potential in he entire region of device. It is proved that the method is very efficient in finding eigenstages extending over relatively large spatial area without loss of accuracy. So, it can be used rather easily in any sarbitrary modulation doped utucture.

• 한국진공학회지
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• 제6권4호
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• pp.359-363
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• 1997

Power를 40W로 고정하고 시간을 5~120초간 변화시켜 아르곤 플라즈마로 처리시킨 n-GaAs(100)의 특성을 photoreflectance(PR) 측정으로 조사하였다. 아르곤 플라즈마 처리시 간을 증가시킴에 따라 Eo피크의 세기는 처리시간이 5초일 때 최소로 관측되었으며, 이때 표 면전기장 ($E_0$), 순수 캐리어농도(ND-NA) 및 표면상태밀도($Q_ss$)는 각각 $1.05\times10^5\textrm{V/cm},1.31\times10^{17}\textrm{cm}^{-3}$및 $1.64\times10^{-7}\textrm{C/cm}^2$로 이 값들은 bulk 시료에 비해 약 57.1, 81.4 및 56.9% 감소하였다. 반면에 5초일 때 compensation center 농도 ($N_A$)는 $5.75\times10{17}\textrm{cm}^{-3}$로 최대였다. 그리고 아르곤 플라즈마 처리시 유발된 결함들의 침투깊이는 표면에서 약450$\AA$정도였다.