• 한국자원식물학회:학술대회논문집
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• 한국자원식물학회 2022년도 추계학술대회
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• pp.45-45
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• 2022

일당귀[Angelica acutiloba (Siebold & Zucc.) Kitagawa]는 산형과(Apiaceae), 당귀속(Angelica)에 속하는 다년생 식물로 일본이 원산지다. 국내에서는 참당귀(A. gigas)와 더불어 뿌리를 약용의 목적으로 재배하며, 잎과 줄기는 쌈채소로 이용하는 작물 중 하나이다. 본 연구의 목적은 일당귀에 대한 GA₃ 처리 및 온도에 따른 발아특성을 분석하여 약용 및 식용으로 활용도가 높은 일당귀의 재배 및 생산에 대한 기초자료로 사용함에 있다. 연구에 사용된 일당귀의 종자는 강원도 태백시에 위치하는 일당귀 재배농가에서 2021년 10월에 채종한 종자를 구입하여 실험에 사용하였고, 종자의 수분흡수율과 다온도 종자발아기를 활용하여 GA₃농도 4조건(50 ppm, 100 ppm, 500 ppm, 1,000 ppm), 온도 6조건(5 ℃, 10 ℃, 15 ℃, 20 ℃, 25 ℃, 30 ℃)에 따른 발아특성을 조사하였다. 연구결과 일당귀 종자 100립의 초기 무게 0.264 g에서 증류수 침지 2시간이 경과 후 약 60 %의 무게가 증가한 0.424 g으로 증가하였고, 이후 5 %내외의 수분흡수율을 보이며 48시간 경과 후 약 120% 증가한 0.587 g을 나타냈으며, 이후 72시간 경과 후 0.582 g으로 측정되어 일당귀 종자의 수분포화도는 약 120%정도 내외로 사료된다. GA₃농도 및 온도에 따른 발아율은 500 ppm의 GA₃농도에서 가장 높은 75.63 %의 발아율을 나타냈으며, 15 ℃와 20 ℃의 온도에서 가장 높은 77.6 %의 발아율을 나타냈다. 하지만 각각의 GA₃농도 및 온도에 따른 발아율은 500 ppm의 GA₃농도, 10 ℃의 온도 처리구에서 가장 높은 89.9 %의 발아율을 나타냈으며, 5 ℃의 온도 처리구에서는 모든 GA₃처리구에서 발아가 진행되지 않았다.

• 생명과학회지
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• 제6권1호
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• pp.40-47
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• 1996

자생식물 중 실내분화용, 절화 및 화단용으로서 가치가 높고, 한약으로서 이용 가능한 용담의 기내개화 및 대량증식 체계를 확립하기 위하여 식물체의 부위 및 생장조절제의 효과를 시험한 결과는 다음과 같다. 화뢰의 출현은 0.5mg/l kinetin과 GA_${3}$를 첨가하였을 때 가장 많았으나 그 효과는 kinetine이 더 좋았다. 최적의 GA_${3}$나 kinetin농도일 때 두가지 생장조절제를 혼용하면 오히려 화뢰형성수가 감소되었고, 저농도에서는 상호작용의 효과가 있었다 화뢰가 50% 형성되는데 걸리는 주수(T_50는 0.1mg/l GA_3가 첨가되었을 때 Kinetin의 농도에 관계없이 11-14주이었다. 측지 발생은 GA_${3}$의 효과가 kinetin보다 좋았고, 농도는 모두 1.0mg/l까지 높을 수록 좋았다. 중간정도의 농도(0.5mg/l)에서 두 생장조절제간의 상호작용이 인정되었다. 뿌리의 형성은 GA$_{3}$의 농도가 높을 수록 감소하였다. 꼬투리의 크기가 8mm까지 클수록 발아력이 높았으며, 꼬투리의 크기가 작을 수록 비정상적인 식물체가 많았다. 배지에 GA_${3}$/l 첨가는 발아력을 현저히 증가시켰다.

• 현장농수산연구지
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• 제7권1호
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• pp.90-96
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• 2005

GA₃ 침지시간과 농도에 따른 출현소요일수는 GA₃ 처리가 무처리에 비하여 1.1~4.0일 단축되었으며 생육특성도 GA₃ 처리가 양호한 경향이었으나 GA₃ 침지 시간과 농도에 따른 차이는 적었다. 개화소요일수는 GA₃ 처리가 무처리보다, 30분 침지가 10초 침지보다, 그리고 농도가 높을수록 단축되었으나 화경장, 화경폭, 화고 및 화폭 등은 처리간 차이가 없었다. 또한 개화수는 GA₃ 농도에 따른 효과가 커서 250~500 mg·L^-1 처리가 4.0~4.3개로 최고 2배 많았으나 GA₃ 침지 시간에 따른 개화수 차이는 크지 않았다. 정상화율과 구근비대상황은 침지시간 및 농도에 관계없이 비슷하였다. 이로써 GA₃ 처리는 개화수 증가를 위해 반드시 필요하며 침지시간에 상관없이 처리농도는 250~500mg·L^-1가 적당할 것으로 판단된다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제16권3호
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• pp.558-564
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• 2012

Sol-gel 법으로 Eagle 2000 유리 기판 위에 Ga 도핑 농도와 열처리 온도에 따른 GZO 박막을 제작하여, 전기적 및 광학적 특성을 조사하였다. 1 mol% Ga 이 도핑되고 $600^{\circ}C$에서 열처리한 GZO 박막에서 가장 우수한 (002) 배향성이 관찰되었다. Hall 측정 결과, Ga 도핑 농도가 증가함에 따라 segregation 효과로 인한 캐리어 농도의 감소와 비저항 값의 증가가 관찰되었다. 1 mol% Ga 이 도핑되고 $600^{\circ}C$에서 열처리한 GZO 박막에서 가장 큰 캐리어 농도($9.13{\times}10^{18}cm^{-3}$)와 가장 낮은 비저항 ($0.87{\Omega}cm$) 값을 나타내었다. 모든 박막은 가시광 영역에서 약 80 % 이상의 투과율을 보였으며, Ga 농도가 1 에서 4 mol% 로 증가함에 따라 에너지 밴드 갭이 좁아지는 Burstein-Moss 효과가 관찰되었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.142-142
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• 2009

Zinc Oxide (ZnO)는 wurtzite 결정구조를 가지고 있으며, 밴드갭 에너지가 약 3.4eV인 산화물 반도체 이다. GaN가 도핑된 ZnO 박막을 Pulsed Laser Deposition (PLD) 법을 이용하여 사파이어 기판과 실리콘 기판에 각각 증착하였다. $500^{\circ}C$의 증착온도에서 1at%~10at%까지의 GaN 도핑농도에 따른 ZnO 박막의 결정성, 성분 분석을 비롯한 전기적 특성을 조사하였다. 첨가된 GaN의 농도에 따라 ZnO 박막의 결정성이 변화하였으며, 농도 변화에 상관없이 ZnO(002) 방향으로 성장함을 알 수 있었다. 또한 실리콘 기판에 증착한 GaN-doped ZnO 박막은 5at%에서 $9.3\;{\times}\;10-3{\Omega}cm$, 10at%에서 $9.2\;{\times}\;10-3{\Omega}cm$의 비저항 값을 가지며 각각 p-type 특성을 나타내었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.308.2-308.2
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• 2014

최근 III-N계 물질 기반의 광 반도체 중 m-면 사파이어 기판을 사용하여 반극성 (11-22) GaN박막을 성장하는 광반도체의 발광효율을 높이려는 연구가 많이 진행되고 있다. 하지만, 반극성 (11-22) GaN와 m-면 사파이어 기판과의 큰 격자상수 차이와 결정학적 이방성의 차이에 의해 많은 결정 결함이 발생하게 된다. 이러한 결정결함들은 반극성 LED소자내에서 누설전류 및 비발광 재결합, 순방향전압 등의 소자특성을 저하시키는 큰 요인이 되기 때문에 고효율 발광소자를 제작함에 있어 어려움을 야기시킨다. 이러한, 반극성 LED 소자의 효율 향상을 위해 결함 분석에 대한 연구를 주를 이루고 있는 상황으로, n-GaN층에 Si도핑에 관한 연구가 진행되고 있다. 이미 극성과 비극성에서는 n-GaN층에 Si이 도핑이 증가될수록 결정질이 향상되고, 양자우물의 계면의 질도 향상 되었다는 보고가 있다. 본 연구에서는 반극성 (11-22) GaN 기반의 발광소자를 제작함에 있어 n-GaN 층의 도핑 농도 변화를 통한 반극성 GaN 박막의 결정성 및 전기적 특성 변화에 따른 LED소자의 전계 발광 특성에 대한 연구를 진행하였다. 금속유기화학증착법을 이용하여 m-면 사파이어 기판에 $2.0{\mu}m$두께의 반극성 (11-22) GaN 박막을 저온 GaN완충층이 존재하지 않는 고온 1단계 성장법을 기반으로 성장하였다.[3] 이후, $2.0{\mu}m$ 반극성 (11-22) GaN 박막 위에 $3.5{\mu}m$ 두께의 n-GaN 층을 성장시켰다. 이때, n-형 도펀트로 SiH4 가스를 4.9, 9.8, 19.6, 39.2 sccm으로 변화하여 성장하였다. 이 4가지 반극성 (11-22) n-GaN 템플릿을 이용하여 동일 구조의 InGaN/GaN 다중양자우물구조와 p-GaN을 성장하여 LED 구조를 제작하였다. X-선 ${\omega}$-rocking curve를 분석한 결과, 이러한 특성은 반극성 (11-22) n-GaN층의 Si 도핑농도 증가에 따라서 각 (0002), (11-20), (10-10) 면에서 결정 결함이 감소하고, 반극성 (11-22) n형 GaN템플릿을 이용하여 성장된 반극성 GaN계 LED소자는 20mA인가 시 도핑 농도 증가에 따라 9.2 V에서 5.8 V로 전압이 감소하였으며 역방향 전류에서도 누설전류가 감소함이 확인되었다. 또한, 전계 발광세기도 증가하였는데, 이는 반극성 n형 GaN박막의 실리콘 도핑농도 증가에 따라 하부 GaN층의 결정성이 향상과 더불어 광학적 특성이 향상되고, n형 GaN층의 전자 농도 및 이동도의 동시 증가에 따라 전기적 특성이 향상 됨에 따라 LED소자의 전계 발광 특성이 향상된 것으로 판단된다.

• 한국작물학회지
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• 제37권3호
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• pp.257-263
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• 1992

GA$_3$ 농도 및 저온처리 기간이 보리의 춘화처리효과에 미치는 영향을 조사하고자, 추파성 정도가 IV인 올보리를 공시하여 출수후 13 및 20일이 경과한 미숙배를 GA$_3$농도별로 B$_{5}$배지에 치상하여 저온처리한 후 온도 20/15$^{\circ}C$, 14시간 일장으로 온냉조절실에 이식재배하여 실험한 결과는 다음과 같다. 1. 미숙배의 생육은 출수후 13일배 보다 20일배가 양호하여 발아율 및 유묘장은 증가하였고, 평균발아일수는 감소하였는데, GA$_3$1 및 10ppm이 효과가 좋았다. 2. GA$_3$농도가 증가할수록 상엽전개 및 출수일수가 단축되었으며, 춘화처리에 효과가 높은 GA$_3$농도는 1,10ppm이었고 GA$_3$와 저온처리가 병행될 때 춘화처리효과가 높았다. 3. GA$_3$ 처리에 따른 상엽전개일수 단축 효과는 3주 저온처리의 GA$_3$무처리구보다 2주 저온처리의 GA$_3$1,10ppm에서 각각 3, 16일 단축되었고, 3주저온처리의 1ppm에서 18일, 10ppm에서 20일 단축되었다. 4. 간장, 수장 및 일수립수는 공히 3주 저농처리에 GA$_3$ 10ppm 처리가 최소치를 보였는데, 실제육종상 중요한 일수립수의 확보는 충분할 것으로 보였다. 5. GA$_3$농도와 주요 형질과의 상관은 1주 저온처리시 각 형질들과 모두 상관 관계가 인정되지 않았으나, 2주 저온처리에서는 고도의 부상관이 인정되었고, 3주 저온처리에서는 출수일수를 제외한 모든 형질이 부의 상관이 있었다. 6. 저온처리 기간과 주요 형질들과의 상관은 GA$_3$무처리시 간장만 유의적인 부의 상관이 있었고, 기지 상관이 없었으며 GA$_3$1, 10ppm 처리시 모든 형질이 고도의 부상관이 있었다.다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2011년도 춘계학술발표대회
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• pp.61.2-61.2
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• 2011

넓은 밴드갭을 가지고 있어 가시광에서 투명하며 높은 이동도를 가진 산화물 반도체는 기존의 Si 기반 TFT 소자를 대체할 차세대 디스플레이의 핵심 소재기술로 관심이 높아지고 있다. 그러나 대표적인 산화물 반도체인 In-Ga-Zn-O (IGZO)에 포함된 인듐의 수요 증가에 따른 가격 급등 문제로 이를 대체할 수 있는 새로운 산화물 반도체 재료에 대한 연구의 필요성이 대두되고 있다. 이에 비교적 저가의 물질로 구성된 Zn-Sn-O계 산화물 소재에 대한 연구가 진행된 바 있으나, 높은 수준의 캐리어 농도를 가지고 있어 TFT 채널용 반도체소재로 적용되기 위해서는 이를 $10^{17}\;cm^{-3}$ 이하로 조절할 수 있는 기술개발이 요구된다. 본 연구는 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 증착된 Ga-Zn-Sn-O (GZTO) 박막의 갈륨 첨가에 따른 특성변화를 조사하였다. GZO ($Ga_2O_3$ 5wt%)와 $SnO_2$ 타켓의 인가 파워를 고정한 상태에서 $Ga_2O_3$ 타켓의 인가 파워를 0~100W로 조절하여 박막 내 Ga 함량을 증가시켰다. 제조된 모든 GZTO 박막은 Ga함량에 관계없이 비정질 구조를 가지며 가시광 영역에서 약 78%의 우수한 투과율을 나타낸다. Ga 함량에 따라 박막의 구조적, 광학적 특성은 크게 변하지 않지만 전기적 특성은 뚜렷한 변화를 나타냈다. $Ga_2O_3$ 파워가 증가할수록 박막 내 캐리어 농도와 이동도의 감소로 비저항이 크게 증가하는데 특히 캐리어 농도는 $Ga_2O_3$ 파워가 0에서 100W로 증가할 때 $2{\times}10^{18}$에서 $8{\times}10^{14}\;cm^{-3}$으로 감소하였다. 이는 Ga-O의 화학적 결합 에너지가 다른 원소들(Zn 또는 In)에 비해 커서 박막 내 산소공공의 감소가 야기되었기 때문이다. 이러한 전기물성의 변화를 이해하기 위해 XPS 분석을 수행하였다. 제조된 GZTO 박막은 $Ga_2O_3$ 파워가 증가함에 따라 O 1s peak에서 산소공공과 관련된 530.8 eV peak의 intensity가 감소한다. 따라서 Ga을 첨가에 따른 캐리어 농도의 감소는 산소공공의 발생억제로 기인한 것으로 판단되며, 본 연구결과는 ZTO계 비정질 산화물 반도체의 활용가능성을 제시하였다.

• Journal of Plant Biotechnology
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• 제32권2호
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• pp.139-144
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• 2005

본 연구는 기내 배양한 나도 풍란에 식물생장억제제인 Uniconazole, Ancymidol, Paclobutrazol의 종류별, 농도별 처리가 식물체내 내생 GA 유사물질의 활성 및 ABA 유사물질의 함량의 변화에 미치는 영향을 알아보기 위하여 실시되었다. 지상부인 잎에서는 Uniconazole 0.05 mg/L, Ancymidol 0.1 mg/L, Paclobutrazol 0.3 mg/L 처리 시 ABA 유사물질의 함량은 대조구보다 낮았으며, GA유사물질의 활성은 대조구 보다 높거나 비슷한 수준이었다. 하지만 처리농도가 높아짐에 따라 ABA 유사물질의 농도는 높아졌으나, GA 유사물질의 활성은 비교적 억제되었다. 지하부인 뿌리에서는 Uniconazole 0.05, 0.2mg/L, Ancymidol 0.2 mg/L, Paclobutrazol 0.1 mg/L 처리에서 ABA 유사물질의 함량이 대조구보다 낮았고, 그 이상의 농도에서는 높았다. GA 유사물질의 활성은 비교적 저 농도에서는 높았으나, 고농도 처리에서는 저 농도와 비교하여 활성이 억제되었다.

• 현장농수산연구지
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• 제15권1호
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• pp.85-93
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• 2013

수확 시 과방의 생장(과방중, 과방장, 과방폭, 과병의 직경크기, 과병장)은 무처리에 비하여 GA₃ 10 mg·L^-1 처리가 증가되었다. GA₃ 농도별 과립의 생장 (과립수, 과립중, 과립경, 과립장)은 차이가 없었으나 지경중은 무처리에 비하여 GA₃ 5, 10, 20, mg·L^-1 처리 농도에서 증가되었다. 그러나 GA₃ 40 mg·L^-1 처리는 차이가 없었다. 과립의 밀착정도, 과분 발생 정도, 가용성고형물 및 과피의 착색 정도는 큰 차이가 없었으나 무핵 정도는 GA₃ 10 mg·L^-1 처리에서 다른 처리에 비하여 증가하였다. 과립의 열과 발생률은 무처리에 비하여 GA₃ 농도 5, 10, 20, 40 mg·L^-1에서 현저하게 감소하였다. 과립의 탄저병 발생률은 큰 차이가 없었다. 과방당 총 지경장은 무처리, 20 및 40 mg·L^-1 처리에 비하여 5 및 10 mg·L^-1처리에서 현저하게 증가하였다. 지경 순서에 의한 1번 지경부터 15번 지경까지 지경장은 GA₃ 10 mg·L^-1 처리는 증가하였다.