• Proceedings of the Plant Resources Society of Korea Conference
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• 2022.09a
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• pp.45-45
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• 2022

일당귀[Angelica acutiloba (Siebold & Zucc.) Kitagawa]는 산형과(Apiaceae), 당귀속(Angelica)에 속하는 다년생 식물로 일본이 원산지다. 국내에서는 참당귀(A. gigas)와 더불어 뿌리를 약용의 목적으로 재배하며, 잎과 줄기는 쌈채소로 이용하는 작물 중 하나이다. 본 연구의 목적은 일당귀에 대한 GA₃ 처리 및 온도에 따른 발아특성을 분석하여 약용 및 식용으로 활용도가 높은 일당귀의 재배 및 생산에 대한 기초자료로 사용함에 있다. 연구에 사용된 일당귀의 종자는 강원도 태백시에 위치하는 일당귀 재배농가에서 2021년 10월에 채종한 종자를 구입하여 실험에 사용하였고, 종자의 수분흡수율과 다온도 종자발아기를 활용하여 GA₃농도 4조건(50 ppm, 100 ppm, 500 ppm, 1,000 ppm), 온도 6조건(5 ℃, 10 ℃, 15 ℃, 20 ℃, 25 ℃, 30 ℃)에 따른 발아특성을 조사하였다. 연구결과 일당귀 종자 100립의 초기 무게 0.264 g에서 증류수 침지 2시간이 경과 후 약 60 %의 무게가 증가한 0.424 g으로 증가하였고, 이후 5 %내외의 수분흡수율을 보이며 48시간 경과 후 약 120% 증가한 0.587 g을 나타냈으며, 이후 72시간 경과 후 0.582 g으로 측정되어 일당귀 종자의 수분포화도는 약 120%정도 내외로 사료된다. GA₃농도 및 온도에 따른 발아율은 500 ppm의 GA₃농도에서 가장 높은 75.63 %의 발아율을 나타냈으며, 15 ℃와 20 ℃의 온도에서 가장 높은 77.6 %의 발아율을 나타냈다. 하지만 각각의 GA₃농도 및 온도에 따른 발아율은 500 ppm의 GA₃농도, 10 ℃의 온도 처리구에서 가장 높은 89.9 %의 발아율을 나타냈으며, 5 ℃의 온도 처리구에서는 모든 GA₃처리구에서 발아가 진행되지 않았다.

• Journal of Life Science
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• v.6 no.1
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• pp.40-47
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• 1996

Experiments were conducted to determine the effects of plant growth regulators on in vitro flowering and micropropagation of Gentiana scabra Bunge which had been used the cut flower, pot flower ornamental and medicinal plants. Flower bud formation was affected by GA$_{3}$ and kinetin. The optimum concentrations for flower bud formation was observed at 0.5 mg/l kinetin and GA$_{3}$ , while kinetin was favorable. More flowerings result from the interaction of GA$_{3}$ and kinetin at in a combination of 0.1 mg/l kinetin + o.1 mg/l GA$_{3}$, but the optimum concentration of GA$_{3}$ and kinetin was decreased. All concentrations of kinetin with 0.1 mg/l GA$_{3}$ or O mg/l GA$_{3}$ + 0.5 mg/l kientin reduced t (weeks needed for 50% plantlets). The plantlet growth was affected by GA$_{3}$ and kinetin during plantlet culture. More lateral shots and better shoot length per plantlet were obtained as GA$_{3}$ and kinetin concentration were increased up to 1.0 mg/l. The number of per plantlet was greater increased in MS medium containing GA$_{3}$ than kinetin. Interaction was exhibited at lower concentration with 0.5mg/l GA$_{3}$ and kinetin, but not in higher concentration with 1.0 mg/l GA$_{3}$ and kinetin. Higher pod diameter increased seed germination, while lower pod diameter was obtained from abnormal plantlet. MA medium containing 0.5 mg/l GA$_{3}$ significantly increased germination without regard to pod diameter.

• Journal of Practical Agriculture & Fisheries Research
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• v.7 no.1
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• pp.90-96
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• 2005

Tubers(4-5cm diameter) of Zantedeschia 'Black Magic' were used to study the induction of flowering in GA₃ soaking times and concentration. The GA₃ soaking were 10 seconds and 30 minutes at the GA₃ concentrations of 50, 100, 250, and 500 mg·L¹. The time to emergence in GA₃ treatment were 1.1~4.0 days shorter than control Growth characteristics were good in GA₃ treatment but that was no significance in GA₃ soaking time and concentration. When GA₃ soaking time and concentration were increased, days to flowering was shorter, but flower stalk length, flower stalk width, flower length, flower width were no difference. The number of flower per tuber was most as 4.0~4.3 in 250~500 mg·L¹ GA₃ concentration and that was about 2 times compared to control. The normal flower ratio and bulb enlargement were similar compared with GA₃ soaking time and concentration. GA₃ 250~500 mg·L¹ treatment is necessary for improvement of number of flowers per bulb.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.16 no.3
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• pp.558-564
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• 2012

We fabricated Ga doped ZnO (GZO) thin films on the glass substrate (Eagle 2000) with various of Ga doping concentration and annealing temperatures using sol-gel method, electrical and optical properties were investigated. When the GZO thin films doped with 1 mol% of Ga and annealed at $600^{\circ}C$, the excellent (002) orientation was observed. In the results of Hall measurement, carrier concentration decreased and resistivity increased due to segregation effect with increasing of the Ga doping concentration. The largest carrier concentration and lowest resistivity were $9.13{\times}10^{18}cm^{-3}$ and $0.87{\Omega}cm$, respectively, in the GZO thin films doped with 1 mol% Ga and annealed at $600^{\circ}C$. All films is higher than 80 % in the visible light region. Energy band gap narrowing due to Burstein-Moss effect was observed with increasing of Ga doping concentration from 1 to 4 mol%.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.06a
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• pp.142-142
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• 2009

Zinc Oxide (ZnO)는 wurtzite 결정구조를 가지고 있으며, 밴드갭 에너지가 약 3.4eV인 산화물 반도체 이다. GaN가 도핑된 ZnO 박막을 Pulsed Laser Deposition (PLD) 법을 이용하여 사파이어 기판과 실리콘 기판에 각각 증착하였다. $500^{\circ}C$의 증착온도에서 1at%~10at%까지의 GaN 도핑농도에 따른 ZnO 박막의 결정성, 성분 분석을 비롯한 전기적 특성을 조사하였다. 첨가된 GaN의 농도에 따라 ZnO 박막의 결정성이 변화하였으며, 농도 변화에 상관없이 ZnO(002) 방향으로 성장함을 알 수 있었다. 또한 실리콘 기판에 증착한 GaN-doped ZnO 박막은 5at%에서 $9.3\;{\times}\;10-3{\Omega}cm$, 10at%에서 $9.2\;{\times}\;10-3{\Omega}cm$의 비저항 값을 가지며 각각 p-type 특성을 나타내었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.308.2-308.2
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• 2014

최근 III-N계 물질 기반의 광 반도체 중 m-면 사파이어 기판을 사용하여 반극성 (11-22) GaN박막을 성장하는 광반도체의 발광효율을 높이려는 연구가 많이 진행되고 있다. 하지만, 반극성 (11-22) GaN와 m-면 사파이어 기판과의 큰 격자상수 차이와 결정학적 이방성의 차이에 의해 많은 결정 결함이 발생하게 된다. 이러한 결정결함들은 반극성 LED소자내에서 누설전류 및 비발광 재결합, 순방향전압 등의 소자특성을 저하시키는 큰 요인이 되기 때문에 고효율 발광소자를 제작함에 있어 어려움을 야기시킨다. 이러한, 반극성 LED 소자의 효율 향상을 위해 결함 분석에 대한 연구를 주를 이루고 있는 상황으로, n-GaN층에 Si도핑에 관한 연구가 진행되고 있다. 이미 극성과 비극성에서는 n-GaN층에 Si이 도핑이 증가될수록 결정질이 향상되고, 양자우물의 계면의 질도 향상 되었다는 보고가 있다. 본 연구에서는 반극성 (11-22) GaN 기반의 발광소자를 제작함에 있어 n-GaN 층의 도핑 농도 변화를 통한 반극성 GaN 박막의 결정성 및 전기적 특성 변화에 따른 LED소자의 전계 발광 특성에 대한 연구를 진행하였다. 금속유기화학증착법을 이용하여 m-면 사파이어 기판에 $2.0{\mu}m$두께의 반극성 (11-22) GaN 박막을 저온 GaN완충층이 존재하지 않는 고온 1단계 성장법을 기반으로 성장하였다.[3] 이후, $2.0{\mu}m$ 반극성 (11-22) GaN 박막 위에 $3.5{\mu}m$ 두께의 n-GaN 층을 성장시켰다. 이때, n-형 도펀트로 SiH4 가스를 4.9, 9.8, 19.6, 39.2 sccm으로 변화하여 성장하였다. 이 4가지 반극성 (11-22) n-GaN 템플릿을 이용하여 동일 구조의 InGaN/GaN 다중양자우물구조와 p-GaN을 성장하여 LED 구조를 제작하였다. X-선 ${\omega}$-rocking curve를 분석한 결과, 이러한 특성은 반극성 (11-22) n-GaN층의 Si 도핑농도 증가에 따라서 각 (0002), (11-20), (10-10) 면에서 결정 결함이 감소하고, 반극성 (11-22) n형 GaN템플릿을 이용하여 성장된 반극성 GaN계 LED소자는 20mA인가 시 도핑 농도 증가에 따라 9.2 V에서 5.8 V로 전압이 감소하였으며 역방향 전류에서도 누설전류가 감소함이 확인되었다. 또한, 전계 발광세기도 증가하였는데, 이는 반극성 n형 GaN박막의 실리콘 도핑농도 증가에 따라 하부 GaN층의 결정성이 향상과 더불어 광학적 특성이 향상되고, n형 GaN층의 전자 농도 및 이동도의 동시 증가에 따라 전기적 특성이 향상 됨에 따라 LED소자의 전계 발광 특성이 향상된 것으로 판단된다.

• KOREAN JOURNAL OF CROP SCIENCE
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• v.37 no.3
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• pp.257-263
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• 1992

Immature embryos were tested for investigating the effect of cold treatment duration and GA$_3$ concentration on the vernalization response in barley. Immature embryos were cultured on B$_{5}$ medium with GA$_3$ for 5 days, and were transplanted under 20/15$^{\circ}C$ temperature after cold treatment. Germination rate and shoot length were increased more in 20-day-old embryos than those in 13-day-old ones but germination day was decreased. Addition of 1 or 10 ppm of GA$_3$ to B5 medium was effective on the growth of immature embryos. The higher GA$_3$ concentration was, the shorter time from embryo culture to flag leaf emergence and heading was. The earlist flag leaf emergence and heading were showed on treatment of 1 or 10 ppm of GA$_3$, but GA$_3$ did not completely replace vernalization. The days to flag leaf emergence of immature embryo-cultured barley with cold treatment for two and three weeks was shortened by 3 and 18 days at 1 ppm GA$_3$, and 16 and 20 days at 10 ppm GA$_3$, respectively, when compared to 0 ppm GA$_3$ culture with cold treatment for three weeks. It was at 10 ppm GA$_3$ with 3 weeks cold treatment that showed the lowest culm length, spike length and number of grain per spike. GA$_3$ concentration was not correlated significantly with each character in 1 week cold treatment, but was significant with each character in 2 weeks. In 3 weeks cold treatment, it was except for days to heading. Correlation between cold treatment duration and culm length was negative in 0 ppm GA$_3$. In 1 or 10 ppm of GA$_3$, all characters had highly negative correlation with cold treatment duration.n.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2011.05a
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• pp.61.2-61.2
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• 2011

넓은 밴드갭을 가지고 있어 가시광에서 투명하며 높은 이동도를 가진 산화물 반도체는 기존의 Si 기반 TFT 소자를 대체할 차세대 디스플레이의 핵심 소재기술로 관심이 높아지고 있다. 그러나 대표적인 산화물 반도체인 In-Ga-Zn-O (IGZO)에 포함된 인듐의 수요 증가에 따른 가격 급등 문제로 이를 대체할 수 있는 새로운 산화물 반도체 재료에 대한 연구의 필요성이 대두되고 있다. 이에 비교적 저가의 물질로 구성된 Zn-Sn-O계 산화물 소재에 대한 연구가 진행된 바 있으나, 높은 수준의 캐리어 농도를 가지고 있어 TFT 채널용 반도체소재로 적용되기 위해서는 이를 $10^{17}\;cm^{-3}$ 이하로 조절할 수 있는 기술개발이 요구된다. 본 연구는 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 증착된 Ga-Zn-Sn-O (GZTO) 박막의 갈륨 첨가에 따른 특성변화를 조사하였다. GZO ($Ga_2O_3$ 5wt%)와 $SnO_2$ 타켓의 인가 파워를 고정한 상태에서 $Ga_2O_3$ 타켓의 인가 파워를 0~100W로 조절하여 박막 내 Ga 함량을 증가시켰다. 제조된 모든 GZTO 박막은 Ga함량에 관계없이 비정질 구조를 가지며 가시광 영역에서 약 78%의 우수한 투과율을 나타낸다. Ga 함량에 따라 박막의 구조적, 광학적 특성은 크게 변하지 않지만 전기적 특성은 뚜렷한 변화를 나타냈다. $Ga_2O_3$ 파워가 증가할수록 박막 내 캐리어 농도와 이동도의 감소로 비저항이 크게 증가하는데 특히 캐리어 농도는 $Ga_2O_3$ 파워가 0에서 100W로 증가할 때 $2{\times}10^{18}$에서 $8{\times}10^{14}\;cm^{-3}$으로 감소하였다. 이는 Ga-O의 화학적 결합 에너지가 다른 원소들(Zn 또는 In)에 비해 커서 박막 내 산소공공의 감소가 야기되었기 때문이다. 이러한 전기물성의 변화를 이해하기 위해 XPS 분석을 수행하였다. 제조된 GZTO 박막은 $Ga_2O_3$ 파워가 증가함에 따라 O 1s peak에서 산소공공과 관련된 530.8 eV peak의 intensity가 감소한다. 따라서 Ga을 첨가에 따른 캐리어 농도의 감소는 산소공공의 발생억제로 기인한 것으로 판단되며, 본 연구결과는 ZTO계 비정질 산화물 반도체의 활용가능성을 제시하였다.

• Journal of Plant Biotechnology
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• v.32 no.2
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• pp.139-144
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• 2005

This experiment was conducted to identify the effect of several plant growth retardants on endogenous ABA-like substance content and GA-like substance activity in seedlings of Sedirea japonica cultured in vitro. When seedlings of Sedirea japonica were treated with low concentration of 0.05 mg/L Uniconazole, 0.1 mg/L Ancymidol and 0.3 mg/L Paclobutrazol, the content of ABA-like substances of the leaf was lower than that of the control. However, the activity of GA-like substances was similar or higher in treated seedlings. In the mid and high concentrations of three kinds of growth retardants, the ABA-like substance content was increased, but GA-like substance activity was inhibited. The content of ABA-like substances in the root was lower in 0.05 and 0.2 mg/L Uniconazole, 0.2 mg/L Ancymidol and 0.1 mg/L Paclobutrazol treatments than that of the control, but in the mid and high concentration treatments, the content was increased. GA-like substance activity in low concentration was increased but in the mid and high concentration, the activity was inhibited compared with low concentration treatment.

• Journal of Practical Agriculture & Fisheries Research
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• v.15 no.1
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• pp.85-93
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• 2013

This study has been conducted to investigate the effect of GA₃ solution dipping treatment after 1 days full bloom on spike growth and fruit quality at harvest of 'Campbell Early' grapevine. The fruit cluster growth(weight, length, width) and fruit stalk(diameter, length) at harvest were increased significantly by GA₃ 10 mg·L^-1 solution dipping treatment compared to control and another concentration. The berry growth (berry No, weight, length, diameter) at harvest showed no difference by treatment GA₃ concentration different. Spike weight was increased by GA₃ 5, 10, 20, mg·L^-1 treatment compared to control, but no difference GA₃ 40 mg·L^-1 treatment. The degree of compact berry, bloom, skin color and SSC at harvest by GA₃ solution dipping treatment were not significantly different from those of control. but increased seedlessness induction by GA₃ 10 mg·L^-1 treatment. The occurrence percent of berry cracking by GA₃ 5, 10, 20, 40 mg·L^-1 treatment significantly decreased. The bitter rot of berry harvest showed no difference by treatment GA₃ concentration different. Total spike length was increased by GA₃ 5, 10 mg·L^-1 treatment compared to control and GA₃ 20, 40 mg·L^-1 treatment. The spike length of 1st from 15th to position increased by GA₃ 10 mg·L^-1 treatment.