• 제목/요약/키워드: $E_{c}/I_{o}$

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MgO-${Al_2}{O_3}$-$SiO_2$계 결정화유리의 제조 및 물성평가 (Preparation and Characterization of Glass-ceramics in MgO-${Al_2}{O_3}$-$SiO_2$ Glass)

  • 손성범;최세영
    • 한국세라믹학회지
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    • 제37권6호
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    • pp.604-611
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    • 2000
  • Glass-ceramics containing a cordierite (2MgO-2Al2O3-5SiO2) as a main crystal phase was prepared from MgO-Al2O3-SiO2 system glass through a controlled 2-step heat treatment for the application to magnetic memory disk substrate for higher storage capacity. Parent glasses prepared with addition of CeO2 as a fulx and TiO2 as a nucleating agent were crystallized by a 2-step heat treatment i.e. nucleation and crystal grwoth. Then the maximum nucleation and crystal growth rates were investigated and several properties such as bending strength, surface hardness and surface roughness were also studied for heat treated glass. As a result, only a $\alpha$-cordierite was precipitated as a main crystal phase for all heat treatment conditions and the maximum nucleation and crystal growth rates were 2.4$\times$109/㎣.hr at 80$0^{\circ}C$ and 0.3${\mu}{\textrm}{m}$/hr at 915$^{\circ}C$ respectively. After being nucleated at 80$0^{\circ}C$ for 5 hours and then crystallized at 915$^{\circ}C$ for 1 hour, the heat treated glass had a crystal volume fraction of 17.6% and crystal size fo 0.3${\mu}{\textrm}{m}$, and showed the optimum properties for the application to magnetic memory disk substrates as follows. ; Bending strength of 192 MPa, Vidkers hardness of 642.1kgf/$\textrm{mm}^2$, and surface roughness of 27$\AA$.

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비정질실리콘 박막 트랜지스터 (Hydrogenated a-Si TFT Using Ferroelectrics)

  • 허창우
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제9권3호
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    • pp.576-581
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    • 2005
  • 강유전체$(SrTiO_3)$ 박막을 게이트 절연층으로 하여 수소화 된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터를 유리 기판 위에 제조하였다. 강유전체는 기존의 $SiO_2,\;SiN$ 등과 같은 게이트 절연체에 비하여 유전특성이 매우 뛰어나 TFT의 ON 전류를 증가시키고 문턱전압을 낮추며 항복특성을 개선하여 준다. PECVD에 의하여 증착된 a-Si:H는 FTIR 측정 결과 $2,000cm^{-1}$$876cm^{-1}$에서 흡수 밴드가 나타났으며, $2,000cm^{-1}$$635cm^{-1}$$SiH_1$의 stretching과 rocking 모드에 기인한 것이며 $876cm^{-1}$의 weak 밴드는 $SiH_2$ vibration 모드에 의한 것이다. a-SiN:H는 optical bandgap이 2.61 eV이고 굴절률은 $1.8\~2.0$, 저항률은 $10^{11}\~10^{15}\Omega-cm$ 정도로 실험 조건에 따라 약간 다르게 나타난다. 강유전체$(SrTiO_3)$ 박막의 유전상수는 $60\~100$ 정도이고 항복전계는 IMV/cm 이상으로 우수한 절연특성을 갖고 있다. 강유전체를 이용한 TFT의 채널 길이는 $8~20{\mu}m$, 채널 넓이는 $80~200{\mu}m$로서 드레인 전류가 게이트 전압 20V에서 $3.4{\mu}A$이고 $I_{on}/I_{off}$ 비는 $10^5\~10^8,\;V_{th}$$4\~5\;volts$이다.

Fructosyloligosaccharide를 Acceptor 반응의 기질로 사용한 새로운 올리고당의 생합성 (Biosynthesis of New Oligosaccharides via Acceptor Reaction using Fructosyloligosaccharide as an Acceptor)

  • 이찬용;이충환
    • 미생물학회지
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    • 제35권2호
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    • pp.146-152
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    • 1999
  • 충치 원인균의 일종인 Streptococcus sobrinus ATCC27351 균주를 자외선 조사와 NTG 처리에 의하여 bacitracin 내성변이주를 얻었다. 선발된 변이주들 중 glucosyltransferase 활성이 모균주보다 증가된 변이주 4균주를 선발하였다. 이들의 bacitracin 내성은 모균주 보다 5~48배, glucosyltransferase 활성은 약 2배 증가하였다. 모균주의 glucosyltransferase를 이용하여 maltose acceptor 반응을 하여 \ulcorner 와 image analysis 로 분석하였다. 그 결과 sucrose 와 acceptor를 사용하여 반응을 시킨 결과 모균주와 변이주의 glucose 전이효소 사이에는 acceptor 특이성에 차이가 있었다. 모균주의 효소와는 반응하지 않는 acceptor 인 fructose를 함유하는 1-kestose와 nystose 그리고 turanose를 acceptor 로 하여 변이주 S. sobrinus BR24C 균주의 glucosyltransferase와 반응을 시켰다. 얻어진 acceptor 산물을 정제하여 \sup 1\H, \sup 13\C-NMR 분석을 한 결과, 자연계에서는 발견되지 않는 새로운 구조의 올리고당 \6^{3}$-$\alpha$-D-glucopyranosyl \3^{2}$-O-$\alpha$-D-glucopyranosyl-D-fructose와 \6^{4}$-$\alpha$-D-glucopyranosyl \1^{3}$-$\beta$-D-fructofuranosyl sucrose을 확인하였다.

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Bi계 ZnO 칩 바리스터의 저온소결과 전기적 특성 (Low Temperature Sintering and Electrical Properties of Bi-based ZnO Chip Varistor)

  • 홍연우;신효순;여동훈;김진호
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제24권11호
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    • pp.876-881
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    • 2011
  • The sintering, defect and grain boundary characteristics of Bi-based ZnO chip varistor (1,608 mm size) have been investigated to know the possibility of lowering a manufacturing price by using 100 % Ag inner-electrode. The samples were prepared by general multilayer chip varistor process and characterized by shrinkage, SEM, current-voltage (I-V), admittance spectroscopy (AS), impedance and modulus spectroscopy (IS & MS) measurement. There are no problems to make a chip varistor with 100% Ag inner-electrode in the sintering temperature range of 850~900$^{\circ}C$ for 1 h in air. A good varistor characteristics ($V_n$= 9.3~15.4 V, a= 23~24, $I_L$= 1.0~1.6 ${\mu}A$) were revealed but formed $Zn_i^{{\cdot}{\cdot}}$(0.209 eV) as dominant defect, and increased the distributional inhomogeneity and the temperature instability in grain boundary barriers.

${Co_3}{O_4}$${La_2}{O_3}$ 첨가가 Sr 페라이트의 자기적 특성에 미치는 영향 (Effects of ${Co_3}{O_4}$, and ${La_2}{O_3}$on the Magnetic Properties of Sr-Ferrite)

  • 장세동;김종오;김종희
    • 한국재료학회지
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    • 제11권8호
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    • pp.685-689
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    • 2001
  • Sr 페라이트 자석의 자기적 특성을 향상시키기 위하여 화학량론적 조건인 $SrFe_{ 12}$$O_{19}$ [SrM]에서 $_{11.7}$Co$SrFe_{0.3}$ $O_{19}$[$Co_{0.3}$ -SrM]/ 및 $Sr_{0.7}$ $La_{0.3}$F $e_{11.7}$ $Co_{0.3}$ $O_{19}$ /[(La-Co)$_{0.3}$-SrM] 조성으로 혼합후 공기중 하소를 실시하여 하소분의 특성을 조사하였고, 소결조제와 함께 미분쇄한 후 공기 중에서 소결하여 페라이트 자석을 제조한 후 자기특성 변화를 조사하였다. 화학량론적인 조성에서 (La-Co)$_{0.3}$-SrM 조성으로 원소치환을 실시한 하소분말을 사용하여 제조한 페라이트 자석의 소결특성은 포화자화 ($M_{s}$ ) 71.08 emu/g, 보자력 ($iH_{c}$ ) 4.38 kOe 및 잔류자속밀도 ($B_{r}$ ) 4.18 kG, 보자력 ($iH_{c}$ ) 4.35 kOe, 최대에너지적($BH_{max}$ ) 4.3 MGOe으로 화학량론적인 조건에 비해 B $H_{max}$가 10% 이상 더 큰 자기특성값을 나타내었다.나타내었다.다.

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초이온도전체 ${\beta}-Ag_3SI$의 단결정 육성과 결정구조 해석 (Single crystal growth and structure analysis of superionic conductor ${\beta}-Ag_3SI$)

  • Nam Woong Cho;Kwang Soo Yoo;Hyung Jin Jung
    • 한국결정성장학회지
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    • 제4권1호
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    • pp.63-70
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    • 1994
  • 초이온도전체 ${\beta}-Ag_3SI$ 단결정을 AgI와 $AG_2S$의 혼합물을 반응시켜서 열처리하여 얻었다. 성장시킨 단결정은 직경 $200{mu}m$ 정도의 구상으로 성형시켰다. 실온에서 X-선 단결정 해석법을 이용하여 정밀한 결정구조 해석을 행했다. 이들 결정구조의 해석결과 ${\beta}-Ag_3SI$$Ag^+$는 6-배위의 3c자리보다 4-배위의 12h자리에 점유함이 밝혀졌다. $Ag^+$의 확률밀도분포(probabilty density function)로 부터 [110]방향에서 $Ag^+$의 one-particle potential(o.p.p.)을 계산하였다.${beta}-Ag_3SI$ 구조의(001)면에서 $Ag^+$가 확산에 필요한 활성화에너지는 0.012eV라는 것이 o.p.p.곡선에 의해 계산되었다.

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Kinetic Study on Nucleophilic Displacement Reactions of Y-Substituted-Phenyl 2-Methylbenzoates with Cyclic Secondary Amines in Acetonitrile: Effects of Modification of 2-MeO in Benzoyl Moiety by 2-Me on Reactivity and Reaction Mechanism

  • Lee, Ji-Youn;Kim, Mi-Yeon;Um, Ik-Hwan
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
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    • 제34권12호
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    • pp.3795-3799
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    • 2013
  • The second-order rate constants ($k_N$) have been measured spectrophotometrically for nucleophilic substitution reactions of Y-substituted-phenyl 2-methylbenzoates (6a-e) with a series of cyclic secondary amines in MeCN at $25.0{\pm}0.1^{\circ}C$. Comparison of the $k_N$ values for the reactions of 4-nitrophenyl 2-methylbenzoate (6d) with those reported previously for the corresponding reactions of 4-nitrophenyl 2-methoxybenzoate (5) reveals that 6d is significantly less reactive than 5, indicating that modification of 2-MeO in the benzoyl moiety of 5 by 2-Me (i.e., $5{\rightarrow}6d$) causes a significant decrease in reactivity. This supports our previous report that aminolysis of 5 proceeds through a six-membered cyclic intermediate, which is highly stabilized through intramolecular H-bonding interactions. The Br${\o}$nsted-type plot for the reactions of 6d with a series of cyclic secondary amines is linear with ${\beta}_{nuc}=0.71$, which appears to be a lower limit of ${\beta}_{nuc}$ for a stepwise mechanism with breakdown of an intermediate ($T^{\pm}$) being rate-determining step (RDS). The Br${\o}$nsted-type plot for the reactions of 6a-e with piperidine is curved, i.e., the slope of Br${\o}$nsted-type plot (${\beta}_{lg}$) decreases from -1.05 to -0.41 as the leaving-group basicity decreases. The nonlinear Br${\o}$nsted-type plot has been taken as evidence for a stepwise mechanism with a change in RDS (e.g., from the $k_2$ step to the $k_1$ process as the leaving-group basicity decreases). Dissection of $k_N$ into the microscopic rate constants associated with the reactions of 6a-e with piperidine (e.g., $k_1$ and $k_2/k_{-1}$ ratio) also supports the proposed mechanism.

탄소재료의 산화반응에 미치는 흑연구조의 영향 (The Influence of Graphitic Structure on Oxidation Reaction of Carbon Materials)

  • 박세민;;박양덕
    • 한국세라믹학회지
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    • 제33권7호
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    • pp.816-822
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    • 1996
  • 서로 다른 흑연화도를 갖는 furan 수지로 부터 얻어진 무기화합물(SiC, TiO2) 첨가 탄소재료의 산화반응의 흑연구조 의존성에 대하여 살펴보았다. 탄소재료의 산화는 시료의 표면적에 크게 의존하여, 흑연화가 상당히 진행된시료라 할지라도 표면적이 클 때는 살화속도도 빠른 것으로 밝혀졌으며, 단위 중량이 아닌 단위면적당의 산화속도로 바꿔 생각했을 때 흑연화가 진행될 수록 산화반응도 늦어지는 것을 알 수 있었다. 그리고 겉보기 활성화 에너지값으로 부터 생각할 때 흑연(TiO2 첨가시료)과 난층흑연(SiC 첨가시료)이 동일한 반응기구에 의해 산화가 진행되는 것으로 판단되었다. 또한 두종류 이상의 결정구조가 혼재하여 있는 시료의 경우 이들 성분들의 산화속도는 달라 반응의 초기에 흑연으로 결정화된 않은 비정질 탄소 성분이 흑연 성분보다 먼저 선택적으로 산화되는 것을 알 수 있었다.

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NiO의 Semiconductivity에 關한 硏究 (A Study on the Conductivity of Polycrystalline Semiconductor Nickel Oxide)

  • 崔在時;呂鐵鉉
    • 대한화학회지
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    • 제12권2호
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    • pp.38-38
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    • 1968
  • The conductivity of polycrystalline NiO is measured in the temperature range of $200^{\circ}C\; to\; 800^{\circ}C$ under oxygen pressures from $1.52{\times}10^2\; mmHg\; to\; 10^{-4}$ mmHg. The plots of the log ${\sigma}$ vs 1/T at constant oxygen pressure are found to be linear and the activation energies obtained from the slopes of these plots show that the energies are greater under high oxygen pressure than under low pressure. The transition points are found from the curves. The dependence of the conductivity on the $O_2$ pressure, in the above temperature range, is to be regular but it does not obey the theoretical expression, i.e.${\sigma}σ = K_{ox}P^{1/6}.$ The activation energies are calculated from the curves at the various condition.

NiO의 Semiconductivity에 關한 硏究 (A Study on the Conductivity of Polycrystalline Semiconductor Nickel Oxide)

  • 최재시;여철현
    • 대한화학회지
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    • 제12권2호
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    • pp.39-43
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    • 1968
  • The conductivity of polycrystalline NiO is measured in the temperature range of $200^{\circ}C\;to\;800^{\circ}C$ under oxygen pressures from $1.52{\times}10^2\;mmHg\;to\;10^{-4}$ mmHg. The plots of the log ${\sigma}$ vs 1/T at constant oxygen pressure are found to be linear and the activation energies obtained from the slopes of these plots show that the energies are greater under high oxygen pressure than under low pressure. The transition points are found from the curves. The dependence of the conductivity on the $O_2$ pressure, in the above temperature range, is to be regular but it does not obey the theoretical expression, i.e. ${\sigma}=K_{ox}P^{1/6}.$ The activation energies are calculated from the curves at the various condition.

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