Effect of copper ions (Cu$\^$+/ and Cu$\^$2+/) on the fermentation of kimchi, especially on their effect on the prevention of over-acidification of kimchi, was investigated. The effect of Cu$\^$2+/ ion on the growth of individual lactic acid bacterium originally isolated from kimchi was also investigated. The addition of Cu$\^$+/($\geq$4.0mM) or Cu$\^$2+/($\geq$3.0mM) ions in kimchi effectively inhibited growth of lactic acid bacteria and maintained a titratable acidity of less than 1.0% for a periods of 14 days. Leuconostoc mesenteroides significantly decreased at the 10th day of fermentation in control kimchi, whereas the group with Cu$\^$+/ and Cu$\^$2+/ showed 10$\^$5/-10$\^$6/ CFU/ml at the 14th day of fermentation. This indicates that the addition of Cu$\^$+/ and Cu$\^$2+/ inhibited the production of excessive acids by inhibiting lactic acid bacteria, and allowed Leu. mesenteroides stay alive longer. Fe$\^$2+/ and SO$_4$$\^$2-/ ions did not have any effect on the fermentation of kimchi. Cu$\^$2+/ inhibited growth of all lactic acid bacteria tested, such as Leu. mesenteroides 6, Streptococcus faecalis 12, Lactobacillus plantarum 14, Lac. brevis 15, Leu. mesenteroides LA 10, and Lac. plantarum LA 97.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.15
no.6
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pp.252-259
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2005
Single crystal $CuGaSe_2$ layers were grown on thoroughly etched semi-insulating CaAs(100) substrate at $450^{\circ}C$ with hot wall epitaxy (HWE) system by evaporating $CuGaSe_2$ source at $610^{\circ}C$. The crystalline structure of the single crystal thin films was investigated by the photoluminescence (PL) and double crystal X-ray diffraction (DCXD). The carrier density and mobility of single crystal $CuGaSe_2$ thin films measured with Hall effect by Van der Pauw method are $4.87{\times}10^{17}cm^{-3}$ and $129cm^2/V{\cdot}s$ at 293 K, respectively. The temperature dependence of the energy band gap of the $CuGaSe_2$ obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, $E_g(T)=1.7998eV-(8.7489{\times}10^{-4}eV/K)T^2/(T+335K)$. The voltage, current density of maxiumun power, fill factor, and conversion, efficiency of $n-CdS/p-CuGaSe_2$, heterojunction solar cells under $80mW/cm^2$ illumination were found to be 0.41 V, $21.8mA/cm^2$, 0.75 and 11.17%, respectively.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.14
no.6
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pp.475-480
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2001
Glasses in he system CuO-P$_2$O$_{5}$ -Nb$_2$O$_{5}$ -Nb$_2$O$_{5}$ -V$_2$O$_{5}$ were prepared by a press-quenching method on the copper plate. the glass-ceramics from these glasses were obtained by post-heat treatment, and the crystallization behavior and DC conductivities were determined. The conductivities of the glasses were range from 10$^{-6}$ s.$cm^{-1}$ / at room temperature ,but the conductivities of the glass-ceramics were 10$^{-3}$ s.$cm^{-1}$ / increased by 10$^3$ order. The crystalline product in the glass-ceramics was CuV$_2$O$_{6}$ . the crystal growth of CuV$_2$O$_{6}$ phase increased with heat-treatment conditions. The linear relationship between il($\sigma$T) and T$^{-1}$ suggested that the electrical conduction in the present glass-ceramics would be due to a small polaron hopping(SPH) mechanism.
PSf/D2EHPA/CNT beads were prepared by immobilizing di-(2-ethylhexyl)-phosphoric acid (D2EHPA) and carbon nanotubes (CNT) on polysulfone (PSf) and used to remove Cu(II) from aqueous solutions. Optimum pH was in the range of 4 to 6. The removal kinetic of Cu(II) by the prepared PSf/D2EHPA/CNT beads was mainly governed by internal diffusion, and the diffusion coefficient of Cu(II) by PSf/D2EHPA/CNT beads was found to be $2.19{\times}10^{-4}{\sim}2.64{\times}10^{-4}cm^2/s$. The Langmuir isotherm model predicted the experimented data well. The maximum removal capacity of Cu(II) obtained from this isotherm was 7.32 mg/g. Calculated thermodynamic parameters such as ${\Delta}G^o$, ${\Delta}H^o$ and ${\Delta}S^o$ showed that the adsorption of Cu(II) ions onto PSf/D2EHPA/CNT beads was feasible, spontaneous and endothermic at 293-323 K.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2000.02a
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pp.169-169
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2000
최근 반도체 소자의 초고집적화 현상에 따라 기존의 Al-base 합금에 대한 한계에 달하면서 그에 대한 대체 물질로 Cu가 관심을 모으게 되었고 그럼으로써 Cu metallization을 위한 많은 연구가 진행되어 왔다. Cu는 Al-base 합금계보다 비저항이 낮고, 녹는점이 높으며, 또한 electromigration 특성이 뛰어난 것으로 알려져 있다. 공학적인 면에서 이미 이들 계에 대한 adhesion 및 전기적 특성에 대한 많은 연구가 있어왔지만, 이들 특성 변화에 대한 물리적 의미를 제공할 만한 기초 자료들이 부족한 상태이다. 본 연구에서는 부도체인 polyimide 박막과 diffusion barrier인 TiN 박막위에서의 Cu 박막성장에 따르는 interface chemical reaction의 변화를 XPS를 이용하여 관찰함으로서 이들 계에 있어서의 adhesion과의 관계를 조사하였다. 그리고 XPS를 이용한 modified surface accumulation method를 적용시켜 TiN diffusion barrier를 통한 Cu의 grain boundary diffusion 상수들을 측정하였다. Cu/TiN system의 경우에는 interface chemical reaction이 일어나지 않았지만 Cu/polymide system에 있어서는 boundary diffusivity는 특히 40$0^{\circ}C$에서 $650^{\circ}C$ 영역에서, Db=60$\times$10-11exp[-0.29/(kBT)]cm2/sec 이었다.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1997.04a
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pp.49-53
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1997
In this paper, YbBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{x}$ superconductor was sintered by means of conventional solid reaction and the textured YbBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{x}$ was prepared by the Melted-Condensed Process in which SmBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{x}$ crystal was used as seed crystal to introduce the YbBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{x}$ crystal growth. The texture of YbBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{x}$ was examined by X-ray diffraction, and the fracture of YbBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{x}$ sample was observed by SEM, which proved the sample was well oriented. After oxygen absorption of the textured YbBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{x}$ sample, it's critical temperature was measureed to be 86K.eed to be 86K.
In this study, the extraction of Co(Ⅱ) and Cu(Ⅱ) into chloroform solution of dithizone, distribution ratios, extractabilities and extraction rate constants of the metal complexes were compared in each case with which thiocyanate ion was or not used as the auxiliary ligand. The use of the thiocyanate ion increased threefold the distribution ratio for Co(Ⅱ) complex in a basic solution and twofold for Cu(Ⅱ) complex in a wide pH range. And the extractability was also augmented from about 90 to 99 for Co(Ⅱ) and from 95 to 99 for Cu(Ⅱ) in a given period. The extraction rate constants were $k_1\;:\;1.2{\times}10^5$, $k_2\;:\;1.34{\times}10^{17}\; mol^{-1}dm^3s^{-1}$ in case of Co(Ⅱ) and$k_1\;:\;1.1{\times}10^8$, $k_2\;:\;2.83{\times}10^{10}\; mol^{-1}dm^3s^{-1}$ in case of Cu(Ⅱ) on the extraction of dithizonate complexes into chloroform solution.
In this study, hierarchical mesoporous CuO spheres, ZnO flowers, and heterojunction CuO/ZnO nanostructures were fabricated via a facile hydrothermal method. The as-prepared materials were characterized in detail using various analytical methods such as powder X-ray diffraction, micro Raman spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy, field-emission scanning electron microscopy, and transmission electron microscopy. The obtained results are consistent with each other. The H2S-sensing characteristics of the sensors fabricated based on the CuO spheres, ZnO flowers, and CuO/ZnO heterojunction were investigated at different temperatures and gas concentrations. The sensor based on ZnO flowers showed a maximum response of ~141 at 225 ℃. The sensor based on CuO spheres exhibited a maximum response of 218 at 175 ℃, whereas the sensor based on the CuO/ZnO nano-heterostructure composite showed a maximum response of 344 at 150 ℃. The detection limit (DL) of the sensor based on the CuO/ZnO heterojunction was ~120 ppb at 150 ℃. The CuO/ZnO sensor showed the maximum response to H2S compared with other interfering gases such as ethanol, methanol, and CO, indicating its high selectivity.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.21
no.2
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pp.91-97
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2014
With Pb-free solder joints containing Sn-Ag-Cu-based ternary alloys (Sn-1.0 wt.%Ag-0.5Cu and Sn-4.0Ag-0.5Cu) and Sn-Ag-Cu-In-based quaternary alloys (Sn-1.0Ag-0.5Cu-1.0In, Sn-1.2Ag-0.5Cu-0.4In, Sn-1.2Ag-0.5Cu-0.6In, and Sn-1.2Ag-0.7Cu-0.4In), fracture-mode change, shear strengths, and fracture energies were observed and measured under a high-speed shear test of 500 mm/s. The samples in each composition were prepared with as-reflowed ones or solid-aged ones at $125^{\circ}C$ to 500 h. As a result, it was observed that ductile or quasi-ductile fracture modes occurs in the most of Sn-Ag-Cu-In samples. The happening frequency of a quasi-ductile fracture mode showed that the Sn-Ag-Cu-In joints possessed ductile fracture properties more than that of Sn-3.0Ag-0.5Cu in the high-speed shear condition. Moreover, the Sn-Ag-Cu-In joints presented averagely fracture energies similar to those of Sn-Ag-Cu joints. While maximum values in the fracture energies were measured after the solid aging for 100 h, clear decreases in the fracture energies were observed after the solid aging for 500 h. This result indicated that reliability degradation of the Sn-Ag-Cu-In solder joints might accelerate from about that time.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2000.11a
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pp.291-294
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2000
The crystallization behavior and dc Conductivities of CuO-P$_2$O$_{5}$ -Nb$_2$O$_{5}$ -V$_2$O$_{5}$ glasses prepared by quenching on the copper plate were investigated. The conductivities of the glasses were range from 10$^{-5}$ s.$cm^{-1}$ / at room temperature, but the conductivities of the glass-ceramics were 10$^{-3}$ s.$cm^{-1}$ / increased by 10$^2$order. The crystalline product in the glass-ceramics was CuV$_2$O$_{6}$ . The linear relationship between in($\sigma$T) and T$^{-1}$ suggested that the electrical conduction in the present glass-ceramics would be due to a small polaron hopping mechanism.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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