• 분석과학
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• 제19권2호
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• pp.131-141
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• 2006

새로운 산소-질소($N_2O_2$)계 네 자리 리간드 N,N'-bis(2-hydroxybenzyl)-ethylenediamine($H-BHE{\cdot}2HBr$)의 브롬산염을 합성하였다. 또한 $H-BHE{\cdot}2HBr$의 페놀기 5-위치에 치환기로 브롬, 염소, 메틸기 및 메톡시기를 가진 $Br-BHE{\cdot}2HBr$, $Cl-BHE{\cdot}2HBr$, $CH_3-BHE{\cdot}2HBr$ 및 $CH_3O-BHE{\cdot}2HBr$을 합성하였다. 그리고 페놀기 대신에 naphthalen-2-ol을 가진 $Nap-BHE{\cdot}2HBr$도 합성하였다. 합성된 리간드들의 양성자 해리는 수용액에서 전위차 적정한 결과 4 단계로 일어났으며, 계산된 각 리간드의 총괄 양성자 해리상수(${\log}{\beta}_p$) 값은 Br-BHE < Cl-BHE < H-BHE < Nap-BHE < $CH_3$-BHE < $CH_3O$-BHE의 순서로 Hammett 상수(${\sigma}_P$) 값의 순서와 비교적 같은 경향을 나타내었다. 전이금속(II) 이온들의 착물의 안정도상수(${\log}K_{ML}$) 값의 크기는 Co(II) < Ni(II) < Cu(II) > Zn(II) > Cd(II) > Pb(II)의 순서이었다. 또한 각 리간드들의 전이금속(II) 이온들의 착물 안정도상수(${\log}K_{ML}$) 값들의 크기 순서도 리간드의 총괄 양성자 해리상수(${\log}{\beta}_p$) 값과 서로 잘 일치하였다.

• 한국진공학회지
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• 제6권3호
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• pp.267-274
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• 1997

고밀도 유도결합 $Cl_2$ 및 HBr/$Cl_2$ 플라즈마를 이용하여 차세대 반도체 집적회로에 사용가능한 STI(Shallow Trench Isolation)구조에서 trench 식각시 trench etch profile 및 격자손상에 영향을 미치는 공정변수의 효과에 대하여 연구하였다. 식각결과 $Cl_2$만을 사용한 경우에는 trench 식각공정 동안 화학적 측면식각의 증가로 인하여 등방성 식각이 얻어지고 이는 유도입력 전력이 증가하고 바이어스 전압이 감소함에 따라 이의 경향이 증가하였다. 측면식각의 정도는 $Cl_2$에 $N_2$ 및 $O_2$의 첨가에 따라 감소하였다. 순수 HBr을 사용한 경우에 있어서는 Br 라디칼이 Cl 라디칼에 비하여 자발적인 실리콘 식각의 민감도가 감소하여 positive angle의 식각형상이 얻어졌으며 HBr내에 $Cl_2$의 증가에 따라 이방성 식각이 얻어졌 다. 물리적인 격자손상을 투과전자현미경으로 관찰한 결과 <$Cl_2/N_2$및 HBr을 함유한 식각가 스를 사용한 경우에 trench표면에서 결함이 관찰되었다.

• 한국진공학회지
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• 제7권2호
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• pp.155-160
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• 1998

256M DRAM급에 해당하는 0.25$\mu\textrm{m}$의 회로선 폭을 가공하기 위해 Arc layer & DUV resist 사용이 필수적이다. Poly-Si 식각시 Arc layer 적용여부 및 resist 종류에 따른 차이 를 TCP-9408 etcher(Lam Research Co.)에서 $Cl_2/O_2, Cl_2/N_2, Cl_2$/HBr 3가지 gas chemistry 를 변화시키면서 조사하였다. 동일한 식각 조건에서 DUV resist사용의 경우에 I-line resist 에 비해 식각 profile이 profile이 positive하고 CD gain도 크게 나왔다. 이것은 resist손실에 의한 polymer생성의 증가가 식각시 측벽 보호막을 강화시키기 때문이다. Arc layer 적용의 경우 Arc layer 식각시 생기는 fluorine계 polymer가 poly-Si 식각시 mask역할을 하므로 CD gain이 증가하는 것으로 나타났다. Gas chemistry에 의한 영향은 $Cl_2/O_2$의 경우가 식각 시 polymer형성을 촉진시켜 positive profile 및 CD gain을 초래하였다. $Cl_2$/HBr의 경우에는 profile이 vertical 하였고 CD gain도 거의 없었다. 또한 dense pattern 과 isolated pattern 사이의 profile 및 CD 차이도 가정 작게 나타났다. HBr gas 사용이 식각시 pattern density 에 따른 측벽 보호막 형성의 불균일성을 최소화 시켜 양호한 특성을 보여주었다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제47권1호
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• pp.79-83
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• 2009

본 연구에서 고밀도 플라즈마 식각 장치를 사용한 비정질 실리콘 막의 게이트 전극선 형성공정에서 여러 가지 식각 변수가 치수 제어와 식각 속도 및 식각 선택비 등 식각 특성에 미치는 영향을 분석하였다. $Cl_2/HBr/O_2$로 구성된 식각 기체의 전체 유량을 증가시키면 비정질 실리콘의 식각 속도가 증가하나 식각 전후의 형상치수는 변화없이 거의 일정하였다. 전체 유량을 고정시키고 $Cl_2$와 HBr 간의 유량비를 변화시키면 HBr의 유량이 커질수록 비정질 실리콘의 식각 속도가 감소하였다. $O_2$의 유량을 증가시키면 산화막의 식각 속도가 상대적으로 낮아져 식각 선택비를 증가시켜 식각 공정의 안정성을 높이나 게이트 전극선을 경사지게 하는 특성을 보인다. Source power의 증가는 비정질 실리콘 식각 속도의 증가와 더불어 형상치수의 증가를 가져오며, bias power의 증가는 비정질 실리콘과 산화막의 식각 속도를 증가시키나 식각 선택비를 크게 감소시키는 경향을 보였다.

• 한국환경과학회지
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• 제15권8호
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• pp.799-809
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• 2006

Hydrobromic acid salts of new N, N, O tridentate ligands containing phenol, 2-[(2-Methylamino- ethyl- amino)-methyl]-phenol(H-MMP. 2HBr), 5-Bromo-2-[(2-Methylamino-ethylamino)-methyl]-phenol (Br- MMP. 2HBr), 5-Chloro-2-[(2-Methylamino-ethylamino)-methyl]-phenol(Cl-MMP. 2HBr), 5-Methyl-2-[(2-Methylamino-ethylamino)-methyl]-phenol(Me-MMP. 2HBr), 5-Methoxy-2-I(2-Methylamino-ethylamino)- methyl]-phenol(MeO- MMP. 2HBr) and. 1-[(2-Methylamino-ethylamino)- methyl]-naphthalen-2-ol(Nap- MMP. 2HBr) were synthesized. The synthesized ligands were confirmed by C. H. N. atomic analysis, UV-visible and IR spectroscopies, $^1$H NMR, $^{13}$C NMR and mass analysis. The potentiometry study revealed that the proton dissociation constants(logK$_n^H$) of the synthesized ligands and stability constants (logK$_{ML}$, logK$_{LM2}$) of transition metal complexes of Co(II), Ni(II), Cu(II), Zn(II), Cd(II) and Pb(II) ions occurred in three steps and the order of the calculated overall proton dissociation constants(log$\beta_p$) and stability constants (logK$_{ML}$) of ligands was Br-MMP. 2HBr < Cl-MMP 2HBr < H-MMP. 2HBr < Nap-MMP. 2HBr < Me-MMP. 2HBr < MeO-MMP. 2HBr. The order showed a similar trend to that of Hammett substituent constants($\delta_p$). The synthesized ligands usually form 2:1(ML$_2$) complexes with transition metal ions. The order of the stability constants of each transition metal ions was Co(II) < Ni(II) < Cu(II) ;> Zn(II) ;> Cd(II) ;> Pb(II).

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제17권1호
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• pp.1-6
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• 2004

Dry etch characteristics of polysilicon with HBr/O$_2$ inductively coupled plasma (ICP) have been investigated. We determined etch late, uniformity, etch profiles, and selectivity with analyzing the cross-sectional scanning electron microscopy images obtained from top, center, bottom, right, and left positions. The etch rate of polysilicon was about 2500 $\AA$/min, which meets with the mass production for devices. The wafer level etch uniformity was within $\pm$5 ％. Etch profile showed 90$^{\circ}$ slopes without notches. The selectivity over photoresist was between 2:1∼4.5:1, depending on $O_2$ flow rate. The HBr-ICP etching showed higher PR selectivity, and sharper profile than the conventional Cl$_2$-RIE.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제13권8호
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• pp.651-657
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• 2000

The notching effect in etching of undoped amorphous silicon gate had different characteristics and mechanism comparing with reported ones. The undoped amorphous silicon was etched by using HBr gas plasma. First in the region of small line width the potential increased as a result of ions in the exposed surface of oxide and the incident ions between the small line widths were deflected more wide range therefore the depth of notching was shallow and wide. Second in the region of large line width of gate electrons were charged on the top of photoresist and the side of gate a part of ions deflected. The deflected ions were partly charged positive on the side of gate and then these partly charged ions produced potential difference. Therefore ions stored up more at independent line than at dense line and notching became deeper by Br ion bombardments.

• 한국세라믹학회지
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• 제40권9호
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• pp.886-890
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• 2003

단결정 LiNbO$_3$를 helicon wave plasma 방법으로 식각시 bias power와 CF$_4$, HBr, SR$_{6}$가 혼합된 gas 유량에 따른 식각 속도와 rms roughness 값의 특성을 관찰하였다. 식각된 깊이는 surface profiler로 관찰하였으며 rms roughness 값은 Atomic Force Microscopy (AFM)으로 측정하였다. Bias power 증가함에 따라 500W에서 가장 높은 식각 속도와 가장 평탄한 표면형상을 얻을 수 있었으며, CF$_4$, HBr, SF$_{6}$ gas 유량을 각각 10～30 sccm으로 증가시킴에 따라 식각 속도는 CF$_4$, HBr, SF$_{6}$ gas 유량이 10 sccm, 30 sccm, 10 sccm에서 가장 높게 나타났으며, rms roughness 값은 CF$_4$, HBr, SF$_{6}$ gas 유량이 30 sccm, 10 sccm, 30 sccm에서 가장 낮은 표면 조도를 나타내었다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제1권3호
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• pp.14-17
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• 2000

Giga bit dynamic random access memory(DRAM) requires the capacitor of high dielectric films. Some metal oxides films have been proposed as the dielectric material . And Pt is one of the most promising electrode materials. However very little has been done in developing the etching technologoy Pt film. Therefore, it is the first priority to develop the technology for plasma etching of Pt film. In this study, the dry etching of Pt film was investigated in Inductively Coupled Plasma(ICP) etching system with Cl$_2$/Ar and HBr/Cl$_2$/Ar gas mixing. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) was used in analysis of sidewall residues for the understanding of etching mechanism. We found the etch residues on the pattern sidewall is mainly Pt-Pt, Pt-Cl and Pt-Br compounds, Etch profile was observed by Scanning Electron Spectroscopy(SEM) . The etch rate of Pt film at 10%, Cl$_2$/90% Ar gas mixing ration was higher than at 100%. Ar. Addition of HBr to Cl$_2$/Ar as an etching gas led to generally higher selectivity to SiO$_2$. And the etch residues were reduced at 5% HBr/5% Cl$_2$/90% Ar gas mixing ration. These pages provide you with an examples of the layout and style which we wish you to adopt during the preparation of your paper, Make the width of abstract to be 14cm.

• 한국진공학회지
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• 제7권3호
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• pp.169-175
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• 1998

HBr/$Cl_2/He-O_2$ 반응 기체를 이용한 반응성 이온 식각후, 폴리실리콘 표면에 형성된 잔류막을 x-선 광전자 분광법(x-ray photoelectron spectroscopy, XPS)과 전자 현미경 (scanning electron mocroscopy, SEM)을 이용하여 관찰하였다. 그 결과 잔류물은 패턴된 폴 리실리콘의 맨 윗부분에 자존하고 있었으며, 화학 결합 상태는 실리콘 산화물임이 밝혀졌다. 잔류물인 실리콘 산화물의 형성 메카니즘을 규명하기 위하여 원래의 혼합 기체 성분중 한가 지씩의 반응 기체를 제외시켜 가면서 실험하였다. 비록 플라즈마 성질이 다를지라도, 잔류물 은 산소의 존재하에서 잘 형성됨을 알 수 있었는데, 이는 휘발성이 낮은 실리콘-할로겐 화 합물이 산소에 의해 산화됨으로써 형성되는 것으로 이해하게 되었다. 또한 반응성 이온 식 각후 형성된 잔류층은 소자의 전기적 특성과 후처리 공정에 영향을 미치는 것으로 알려져 있어서, 이를 제거하기 위해 습식과 건식 후처리 공정을 도입하여 비교하였다. 그 결과 건식 공정의 경우 기체에 의해 새로운 잔류물이 형성됨을 XPS를 통하여 관찰하였다. 따라서 잔 류물을 제거하고 깨끗한 표면을 얻기 위해서는 습식 공정이 더 적합함을 알았다.