Pure copper, Cu-1.1wt%Cd and ACSR(Aluminum Conductor Steel Reinforced) have been used as catenary materials of the electric railway system. Since these materials may be exposed to the corrosive environments like polluted air, acid rain and sea water, it is important to investigate the corrosion rates in various corrosive environments. The aqueous corrosion characteristics of catenary materials in aerated acid, neutral and alkali solutions were studied by using immersion corrosion tests, electrochemical measurements and analytical techniques. In order to examine corrosion characteristics according to the dissolved oxygen content, pH, chloride ion concentration ion, and the addition of Cd to Cu, a series of tests such as potentiodynamic polarization, a.c impedance spectroscopy and galvanic corrosion tests were carried out with these materials. Results showed that the addition of Cd to Cu and chloride ion in the solution have an adverse effects on the resistance to corrosion. Additionally, Galvanic currents between Al and steel wires of ACSR were confirmed by using ZRA(zero resistance ammeter) method.
An optode for cadmium ion determination has been designed by immobilization of dithizone on triacetylcellose membrane. When the optode membrane is introduced into a real samples containing cadmium, there is a color change from green to red, making it possible to use the change in absorbance at 611 nm as the analytical signal. The sensor could be used in the range of 0.3-3 ${\mu}g\;ml^{-1}$ (2.67-26.67 ${\mu}M$) of $Cd^{2+}$ ions with a limit of detection of 0.025 ${\mu}g\;ml^{-1}$ (25 ng $ml^{-1}$). The response time of optode is within 15 min depending on the concentration of $Cd^{2+}$ ions. It can be easily and completely regenerated by dilute EDTA solution. The effect of different possible interfering species has been examined and was shown the optode has a good selectivity. The results obtained for the determination of cadmium ion in polluted soil and water samples using the proposed optode was found to be comparable with the well-established atomic absorption method.
Copper ion induced photoluminescence (PL) quenching dynamics and recovery of the PL by zinc ions were investigated for CdSe based nanocrystals. When copper ions were added, CdSe quantum dots showed fast and dramatically PL quenching whereas PL of CdSe nanorod gradually decreased. In the presence of zinc ions, the PL of CdSe/CdS (core/shell) nanocrystals that have quenched by copper ions was efficiently recovered. It showed that the PL intensity of nanocrystals increased by 50% in a solution containing 1 μM zinc ions. The PL intensity was increasing with increasing zinc ions, and could be described by Langmuir binding isotherm model. We showcase that the CdSe based nanocrystals can be used as fluorescence turn-on sensor.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.6
no.5
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pp.229-232
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2005
Direct characterization of band alignment at chemical bath deposition $(CBD)-CdS/Cu_{0.93}(In_{1-x}Ga_x)Se_2$ has been carried out by photoemission spectroscopy (PES) and inverse photoemission spectroscopy (IPES). Ar ion beam etching at the condition of the low ion kinetic energy of 400 eV yields a removal of surface contamination as well as successful development of intrinsic feature of each layer and the interfaces. Especially interior regions of the wide gap CIGS layers with a band gap of $1.4\~1.6\;eV$ were successfully exposed. IPES spectra revealed that conduction band offset (CBO) at the interface region over the wide gap CIGS of x = 0.60 and 0.75 was negative, where the conduction band minimum of CdS was lower than that of CIGS. It was also observed that an energy spacing between conduction band minimum (CBM) of CdS layer and valance band maximum (VBM) of $Cu_{0.93}(In_{0.25}Ga_{0.75})Se_2$ layer at interface region was no wider than that of the interface over the $Cu_{0.93}(In_{0.60}Ga_{0.40})Se_2$ layer.
Cd4SnSea6 & Cd4SnSe6 : Co2+ single crystals were grown by the chemical transport reaction (CTR) method. The grown single crystlas crrystallize in the monoclinic structrue and have the direct band gaps. The energy gaps of them are 1.68eV for Cd4SnSea6 & Cd4SnSe6 : Co2+ at 293K. The impurity opticla absorption peaks due to cobalt dped with impurity appear at 4879cm-1, 5392cm-1 and 6247 com-1, and are attributed to the electron transitions between the split energy levels of Co2+ ion sited at Td symmetry of Cd4SnSe6 single crystal.
Si-immobilized Sargassum horneri was used to study the adsorption characteristics along with maximum adsorption conditions of heavy metal ions, Cd(II) and Ph(II) on the Si-immobilized Sargassum horneri. More amount of Cd(II) and Pb(II) ions on the Si-immobilized Sargassum horneri than Sargassum horneri were adsorbed. And Pb(II) ions were more adsorbed in all algae than Cd(II) ions more effectively in alkaline than in acidity. Recovery ratios of Cd(II) and Pb(II) ions on the Sargassum horneri were 58.0-62.6%, 61.2-64.4% respectively, Si-immobilized Sargassum horneri 56.8-92.7%, 37.8-47.9%. Recovery ratio of Cd(II) ion was higher on the Si-immobilized Sargassum horneri but it of Pb(II) ion was lower on the Si-immobilized Sargassum horneri.
The incubation study was conducted under aerobic and anaerobic conditions to study the release of the kinetically labile forms (i. e. chelating ion or anion forms) of Cd, Cu and Zn in sludge-untreated soil ("Control"), sludge 50 and $100dry\;Mg\;ha^{-1}$ treated soils ("Soil-Sludge mixtures"), and sewage sludge ("Sludge"). The chelating ion and anion exchange membranes were embedded into the samples and incubated for 16 weeks under aerobic and anaerobic condition. The total amounts of chelating ion or anionic forms of Cd were too little to be measured during both aerobic and anaerobic incubation. On the other hand, the total amounts of chelating ion or anionic forms of Cu and Zn slightly increased throughout the incubation period under both incubation conditions. For "Control" and "Soil-Sludge mixtures" treatments, the total amounts of Cu and Zn in chelating ion and anion exchange membrane were little difference between aerobic and anaerobic condition, and the total amounts of chelating ion form of Cu and Zn were not different from the those of anionic form of Cu and Zn. However, for "Sludge" treatment, the total amounts of Cu and Zn in anion and chelating ion exchange membrane were greater under aerobic condition than under anaerobic condition, and the total amounts of chelating ion form of Cu and Zn were greater than those of anion form of Cu and Zn under both incubation conditions.
Cd1-xCoxIn2Se4(X=0.50) 결정을 수직 Bridgman 방법으로 성장시키고 성장된 결정의 결정구조 및 XPS 특성을 연구하였다. 성장된 결정은 pseudocubic 구조이고 격자상수는 a=5.778$\AA$으로 주어졌다. Cd1-xCoxIn2Se4 결정의 각 성분원소인 cadmium cobalt indium 그리고 selenium에 대한 XPS spectrum으 로부터 결합에너지와 결합상태를 조사하였다. Cd1-xCoxIn2Se4결정과 결합하지 안는 각 성분원소인 cadium cobalt imdium 그리고 selenium에 대한 core level의 XPS spectrum과 비교하면 각 성분원소상 이의 결합에 의한 chemical shift 현상 때문에 core level의 결합에너지가 0.10~4.87 eV 차이가 있다. Cd1-xCoxIn2Se4 결정에서 Co 2P3/2 core level의 주 peak와 statellite peak와의 결합에너지 차이로부터 cadmium과 치화된 cobalt는 Co2+ ion으로 Td symmetry 점에 위치함을 알 수 있다.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.49
no.7
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pp.382-387
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2000
The $CdAl_2S_4 and CdAl_2S_4 : Co^{2+}$ single crystals were grown by the chemical transport reaction method using iodine as a transport agent. The $CdAl_2S_4 and CdAl_2S_4 : Co^{2+}$single crystals were crystallized into a defect chalcopyrite structure. The optical energy gap of the $CdAl_2S_4 and CdAl_2S_4 : Co^{2+}$ single crystals was found to be 3.377 eV and 2.924 eV, respectively, at 300 K. Blue emission with peaks in 456nm~466nm at 280K was observed in the $CdAl_2S_4$ single crystal. Optical absorption and emission peaks due to impurities in the $CdAl_2S_4 Co^{2+}$ single crystal were observed and described as originating from the electron transition between energy levels of the $Co^{2+} ion sited at the Td symmetry point.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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