• 한국진공학회지
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• 제2권4호
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• pp.486-490
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• 1993

Cd4SnSea6 & Cd4SnSe6 : Co2+ single crystals were grown by the chemical transport reaction (CTR) method. The grown single crystlas crrystallize in the monoclinic structrue and have the direct band gaps. The energy gaps of them are 1.68eV for Cd4SnSea6 & Cd4SnSe6 : Co2+ at 293K. The impurity opticla absorption peaks due to cobalt dped with impurity appear at 4879cm-1, 5392cm-1 and 6247 com-1, and are attributed to the electron transitions between the split energy levels of Co2+ ion sited at Td symmetry of Cd4SnSe6 single crystal.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 학술대회 논문집 전문대학교육위원
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• pp.94-97
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• 2002

CdS and $CdS:Co^{2+}$ single crystals were grown by CTR method using iodine as transport material. The grown single crystals have defect chalcopyrite structure with direct band gap. The optical energy band gap was decreased according to add of Co-impurity. We can observed the Co-impurity optical absorption peaks assigned to the $Co^{2+}$ ion sited at the $T_d$ symmetry lattice and we consider that they were attributed to the electron transitions between energy levels of ions.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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• pp.607-608
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• 2005

In this paper, author describe the undoped and $Co^{2+}$(0.5mole%) doped $Cd_4SnSe_6$ single crystals were grown by the chemical transport reaction(CTR) method. The grown single crystals crystallize in the monoclinic structure of space group Cc and have the direct band gap structure. The energy gaps of them are 1.68 eV for $Cd_4SnSe_6$ and 1.50 eV for $Cd_4SnSe_6:Co^{2+}$ at 300K respectively.

• 한국진공학회지
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• 제10권1호
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• pp.16-21
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• 2001

4원 화합물 반도체인 $Ag_2CdSnSe_4$ 및 $Ag_2CdSnSe_4$:$CO^{2+}$ 단결정을 화학수송법으로 성장시켜 광학적 특성을 조사하였다. 성장된 결정들은 wurtzite 결정구조로서 격자상수는 각각 a = 4.357 $\AA$, c = 7.380 $\AA$($Ag_2CdSnSe_4$:$CO^{2+}$)이었다. 298k에서의 광 흡수 측정으로부터 구한 에너지 띠 간격은 순수한 $Ag_2$CdSnSe의 경우 1.21eV, cobalt 불순물로 첨가한 $Ag_2CdSnSe_4$의 경우 1.02ev이었으며, cobalt를 불순물로 첨가함에 따라 190meV의 에너지 띠 간격의 감소를 보였다. $Ag_2CdSnSe_4$ 결정의 광 흡수 스펙트럼에서 4개의 흡수 피크들을 관측하였으며, 이들 피크 들은 $T_d$결정장내에서 스핀 - 궤도결합효과에 의한 $Co^{2+}$ 이온의 분리된 준위사이의 전자전이에 의한 것으로 설명되었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제14권7호
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• pp.539-545
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• 2001

Undoped and Co$^{2+}$ $\alpha$-Ga$_2$S$_3$ thin films were grown by spray pyrolysis method. It has been found that these thin films have a monoclinic structure and direct optical energy gap and indirect were located to 3.477eV and 3.123 eV at 10K respectively. In the photoluminescence due to a D0A(donor-acceptor) pair recombination were observed at 502 nm and 671 nm for the $\alpha$-Ga$_2$S$_3$ thin film, where is excited by the 325 nm-line of He-Cd laser. These peaks are identified to be corresponding to the electron transition between the energy levels of Co$^{2+}$ ion sited a the T$_{d}$ symmetry point in the $\alpha$-Ga$_2$S$_3$;Co$^{2+}$ thin film. film.

• 전기학회논문지P
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• 제52권2호
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• pp.68-73
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• 2003

$Zn_4SnSe_6$ and $Zn_4SnSe_6:Co^{2+}$ single crystals were grown by the chemical transport reaction(CTR) method. They were crystallized in the monoclinic structure. These temperature dependence of the optical energy gap were closely investigated over the temperature range 10[K]~300[K]. The direct energy gaps of $Zn_4SnSe_6$ and $Zn_4SnSe_6$:$Co^{2+}$ single crystals were given by 2.146[eV] and 2.042[eV] at 300[K]. The temperature dependence of the optical energy gap is well presented by the Varshni equation.

• 한국지하수토양환경학회지:지하수토양환경
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• 제6권2호
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• pp.15-22
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• 2001

방사성동위원소인 $^{14}C$(반감기 5,730년)는 삼중수소와 함께 수리지질학에서 지하수의 체류시간을 평가할 수 있는 유용한 도구로 활용된다. 그러나 국내에서는 $^{14}C$ 분석을 위한 전처리 기술의 부재로 인하여 오랜 체류시간을 지닌 국내 지하수 및 수문체계에 대한 평가가 이루어지지 뜻하였다. 그동안 $^{14}C$은 주로 벤젠합성법을 이용하여 분석되었지만, 실험과정이 복잡하고 많은 시간이 요구되어 지하수연구에 제한적으로 이용되어 왔다. 최근에 이산화탄소의 직접흡수법을 이용한 $^{14}C$분석법이 개발되었으며, 국내 지하수연구에도 적용될 수 있는 $^{14}C$ 분석법을 확립하였다. 분석과정 및 결과의 신뢰성을 위하여 국제인정기관(CSIRO, 호주)과의 교차분석을 수행하였다. 앞으로 $^{14}C$ 분석은 국내 심부지하수의 유동 연구에 매우 유용하게 활용될 수 있을 것으로 기대된다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1599-1602
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• 2002

$Zn_4SnSe_6$ and $Zn_4SnSe_6:Co^{2+}$ single crystals were by the chemical transport reaction method. They crystallized in the monoclinic structure. The direct energy band gaps of the $Zn_4SnSe_6$ and $Zn_4SnSe_6:Co^{2+}$ single crystals at 289K were found to be 2.146eV and 2.042eV. Optical absorption due to impurity in the $Zn_4SnSe_6:Co^{2+}$ single crystal was observed and described as originating from the electron transition between energy leveles of $Co^{2+}$ sited at $T_d$ symmetry point.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 추계학술대회 논문집
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• pp.1-6
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• 2004

In this paper author describe the undoped and $Co^{2+}$ (0.5mole%)doped $Cd_4GeS_6$ single crystals were grown by the chemical transporting reaction(CTR) method using high purity(6N) Cd, $GeS_2$, S elements. It was found from the analysis of X-ray diffraction that the undoped and $Co^{2+}$(0.5mole%) doped $Cd_{4}GeS_{6}$ compounds have a monoclinic structure in space grop Cc. The optical energy band gap was direct band gap and temperature dependence of optical energy gap was fitted well to Varshni equation. Impurity optical absorption peaks due to the doped cobalt in the $Cd_4GeS_6:Co^{2+}$ single crystal were observed at 3593cm-1, 5048cm-1, 5901cm-1, 7322cm-1, 12834cm-1, 13250cm-1, 14250cm-1，and 14975cm-1 at 11.3K.

• 대한화학회지
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• 제51권4호
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• pp.331-338
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• 2007

분석 시약으로 2-hydroxy-3-methoxy benzaldehyde thiosemicarbazone (HMBATSC)를 사용하여 코발트 (II) 정량을 위하여 빠르고 간단하고 민감한 분광광도법을 개발하였다. 액상에서 금속이온이 pH 6.0에서 HMBATSC와 갈색의 착물을 형성하였다. 이 착물은 375 nm와 390 nm에서 두 개의 최대 흡수 피크를 보였다. 375 nm에서 많은 흡 수를 보였고, 반면 390 nm에서는 분명한 흡수를 보이지 않았다. Beer's 법칙에서 Co(II)는 0.059-2.357 μg ml-1 범위를 보였다. 이 방법의 몰 흡수와 Sandall's 민감도는 각각 2.74×104 l mol-1 cm-1와 0.0024 μg cm-2 였다. 여러 가지 다른 이온들에 간섭에 대해서도 연구하였다. 화학양론적으로 착체는 1:2 [Co(II)- HMBATSC] 이 였다. 이차 유도 분광광도 법에 의한 Co(II)의 정량방법에 대해서도 제안하였다. 제안된 방법을 alloy steels, 비타민 B12와 생물학 시료에 있는 Co(II)의 정량에 적용하였다.