• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2003년도 춘계종합학술대회
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• pp.518-521
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• 2003

Bi$_2$Sr$_2$Ca$_{n-1}$Cu$_{n}$O$_{x}$ superconducting thin films have been fabricated by atomic layer-by-layer deposition using IBS(Ion Beam Sputtering) method. During the deposition, 90 mol% ozone gas of typical pressure of 1~9 $\times$ 10$^{-5}$ Torr are supplied with ultraviolet light irradiation for oxidation. XRD and RHEED investigations reveal out that a buffer layer with some different compositions is formed at the early deposition stage of less than 10 units cell and then Bi-2201 oriented along the c-axis is grown.grown.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제5권5호
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• pp.199-203
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• 2004

Superconducting B $i_2$S $r_2$C $a_{n-l}$C $u_{n}$ $O_{x}$(n=2～4) thin films were prepared by single target DC-magnetron sputtering. And, that was compared with the B $i_2$S $r_2$C $a_{n-l}$C $u_{n}$ $O_{x}$(n=1～3) thin film fabricated by using the ion beam sputtering. Phase intergrowth among n=2-3, 3-4 and 4-5 phases was observed. The molar fraction of each phase in the mixed crystal of the deposited films was determined by x-ray diffraction analyses and investigated as a function of $O_2$ gas pressure during sputtering. We investigated the changes of the superconducting properties by molar fraction of each phase. Also, the thin film surface observation was carried out by atomic force microscope. The images show the average particle size decreases, and the distribution density of particles on the film surface was to increase with lower gas pressures. The fabrication conditions for selective growth of the single n=2, 3 and 4 phases in BiSrC $a_{n-l}$C $u_{n}$ $O_{x}$(n=2～4) thin film are discussed.e discussed.ussed.

• 한국세라믹학회지
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• 제40권5호
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• pp.455-459
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• 2003

LPE(Liquid Phase Epitaxial)법을 이용하여 성장시킨 B $i_2$S $r_2$Ca(C $u_{1-x}$ N $i_{x}$ )$_2$ $O_{8+}$$\delta$/ 막(film)을 break junction 법을 이용하여 터널링 분광을 측정하였다. Ni 조성비 $\chi$$_{L}$의 증가에 따라 에너지 간격 2$\Delta$의 크기는 증가하였다. 에너지 간격 2$\Delta$(4.2 K)는 54.4~64 meV, 2$\Delta$/ $k_{B}$ $T_{c}$ $^{zero}$는 7.36~10.14로 BCS 이론에 의한 값 보다 큰 결과를 얻었다. 융액(melting solution) 속의 Ni 조성비 $\chi$$_{L}$의 증가에 따라, 임계온도 $T_{c}$ $^{zero}$와 격자상수 c-축의 길이는 감소하는 경향을 보였다.을 보였다.$^{zero}$와 격자상수 c-축의 길이는 감소하는 경향을 보였다.

• 한국재료학회지
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• 제5권6호
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• pp.723-731
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• 1995

x=0.4-0.6이고 작은 $\delta$값을 갖는 P $b_2$S $r_2$( $Y_{1-x}$ C $a_{x}$)C $u_3$ $O_{8+}$$\delta$/초전도체시료를 제조하였다. 시료가 초전도체로 되기 위하여 작은 $\delta$값을 가져야 하는데 이를 위해 소결 후 직접 낮은 산소분압에서 annealing하면 산화성 상분해가 발생하여 과잉의 2차상이 생성된다. 따라서 제조과정중 산화성 상분해의 양을 줄이기 위하여 두 단계의 annealing 과정을 도입하였다. 즉 100% 아르곤 기체 분위기에서의 소결 후 먼저 100% 산소 분위기하에서 시료를 annealing하여 산화시킨 후 0.1~1.0% 산소분압하에서 annealing하여 작은 $\delta$값을 얻는 것이다. 얻어진 시료의 전기저항 측정결과 80K의 초전도 전이온도( $T_{c}$)가 얻어져 지금까지 이 화합물에서 보고된 결과중 가장 높은 $T_{c}$를 나타내었다. 그러나 본 연구에서 도입한 두단계 annealing 과정에 의해서도 작은 $\delta$값을 얻기 위하여는 약간의 산화성 상분해가 발생하여 깨끗한 초전도 전이과정을 블 수 없었다. 수 없었다..