• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.159-159
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• 2010

펄스 직류 전원 $BCl_3$/He 플라즈마를 사용하여 GaAs의 건식 식각을 연구하였다. 공정 변수는 가스 유량 (0~100% $BCl_3$ in $BCl_3$/He), 펄스 파워 ($450{\sim}600\;{\nu}$), 펄스 주파수 (100~250 KHz), 펄스 시간 ($0.4{\sim}1.2\;{\mu}s$)이었다. 식각 공정 후 식각률, 포토레지스트에 대한 식각 선택도, 표면 거칠기는 표면 단차 측정기를 이용하였다. 식각 공정 동안 플라즈마 광 특성 분석은 광학 발광분석기 (Optical emission spectroscopy)를 사용하였다. 실험 후 주사 전자 현미경을 이용, 식각 후 시료의 단면과 표면을 관찰하였다. 실험 결과에 의하면 1) 펄스 파워, 주파수, 시간을 고정 ($500\;{\nu}$, $0.7\;{\mu}s$, 200 KHz)하고 10% He 가스가 혼합되어 있는 조건에서 GaAs의 식각률이 순수한 $BCl_3$를 사용한 것보다 높았다. 이를 통해 식각 공정에서 일정량 이하의 He 혼합은 GaAs 식각률을 증가시키는 시너지효과가 있음을 알 수 있었다. 2) 그러나 약 20% 이상의 He 가스의 혼합은 GaAs의 식각 속도를 저하시켰다. 3) 10% He (9 sccm $BCl_3/1$ sccm He), 200 KHz 펄스 주파수, $0.7\;{\mu}s$ 펄스 시간의 조건에서 펄스 파워가 증가함에 따라 GaAs의 식각률 또한 선형적으로 증가하였다. 4) 특히, $600\;{\nu}$의 파워에서 식각률은 ${\sim}0.5\;{\mu}m/min$로 가장 높았다. 5) 표면 단차 측정기와 전자현미경을 이용하여 식각한 GaAs를 분석한 결과 10% He이 혼합되어 있는 조건에서는 우수한 수직 측벽과 매끈한 표면 (RMS roughness <1 nm)을 관찰할 수 있었다. 6) 10% He이 혼합된 $BCl_3$/He 펄스 직류 플라즈마 식각 후 XPS 분석결과에서도 기준 샘플과 비교하였을 때, 공정 후의 GaAs 표면이 화학적으로 깨끗하며 잔류물이 거의 검출되지 않았다. 위의 결과를 정리하였을 때, 펄스 직류 $BCl_3$/He 플라즈마는 GaAs의 식각에서 매우 우수한 공정 결과를 나타내었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제25권9호
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• pp.681-685
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• 2012

We investigated the dry etching characteristics of TiN in $TiN/Al_2O_3$ gate stack using a inductively coupled plasma system. TiN thin film is etched by BCl3/He plasma. The etching parameters are the gas mixing ratio, the RF power, the DC-bias voltages and process pressures. The highest etch rate is in $BCl_3/He$ (25%:75%) plasma. The selectivity of TiN thin film to $Al_2O_3$ is pretty similar with $BCl_3/He$ plasma. The chemical reactions of the etched TiN thin films are investigated by X-ray photoelectron spectroscopy. The intensities of the Ti 2p and the N 1s peaks are modified by $BCl_3$ plasma. Intensity and binding energy of Ti and N could be changed due to a chemical reaction on the surface of TiN thin films. Also we investigated that the non-volatile byproducts such as $TiCl_x$ formed by chemical reaction with Cl radicals on the surface of TiN thin films.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제24권9호
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• pp.718-722
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• 2011

In this work, we investigated to the etching characteristics of the TiN thin film in He/$BCl_3/Cl_2$ plasma. The etch rate was measured by the gas mixing ratio, the RF power, the DC bias voltage and the process pressure. The maximum etch rate in He/$BCl_3/Cl_2$ plasma was 59 nm/min. The etch rate increased as the RF power and the DC-bias voltage was increased. The chemical reaction on the surface of the etched the TiN thin films was investigated with X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The intensity of Ti 2p and N 1s peaks are varied during etching process. A new peak was appeared in He/$BCl_3/Cl_2$ plasma. The new peak was revealed Ti-$Cl_x$ by Cl 2p peak of XPS wild scan spectra analysis.

• 대한의생명과학회지
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• 제12권2호
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• pp.57-63
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• 2006

Deazaadenosine analogs such as 3-deazaadenosine (DZA), 3-deazaaristeromycin (DZAri) and ara-3-deazaadenine (DZAra-A) were developed as inhibitors of S-adenosylhomocysteine (Ado-Hcy) hydrolase (EC 3.3.1.1). These analogs were reported to induce apoptosis in human and murine leukemic cells. But, the mechanism involved in this apoptosis was not clarified yet. In the present study, we analyze the apoptosis induced by deazaadenosine analogs in human cervival cancer cell line, HeLa and the effect of Bcl-2 on this apoptosis. Whereas neither DZAri nor DZAra-A showed inhibitory effect on HeLa cell growth, DZA induced apoptosis in HeLa cells accompanied by cytochrome c release and activation of various caspases such as caspase-2,-8,-9 and -3. In HeLa-bcl-2 cell line, a stable transfectant of HeLa cell to overexpress Bcl-2, cytochrome c release, activation of all these caspases and the resulted apoptosis by DZA were completely prevented. By in vitro assay of cytochrome c release, in addition, DZA induced cytochrome c release from purified mitochondria of HeLa-pcDNA3 cells, but not HeLa-bcl-2 cells, even in the absence of cytosolic fraction. Therefore, it can be suggested that DZA might damage directly mitochondria leading to activate intrinsic pathway of caspase and thus induce apoptosis. DZA-induced apoptosis in HeLa cells may be in a bcl-2-inhibitable manner and irrelative of Ado-Hcy hydrolase.

• 생명과학회지
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• 제20권4호
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• pp.572-577
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• 2010

본 연구에서 60 주령된 쥐를 대상으로 8 주간 트레드밀 운동강도와 근섬유 유형에 따른 apoptosis 관련 인자를 연구하였다. 결론적으로 노후된 쥐의 apoptosis 관련 인자는 운동강도와 근육유형에 따라 차이가 났다. EDL이 Soleus보다 apoptosis인자의 변화가 운동강도에 의해 더 민감하게 나타났다. 또한 casepase-3의 발현은 고강도 운동에서 나타났으나 DNA 절편화는 나타나지 않았기에 실질적인 apoptosis는 발생되지 않았다. 이는 노후된 개체의 운동 수행방법으로 고강도 운동은 적합하지 않으며, 고강도 운동상태를 지속할 경우 근섬유의 apoptosis를 유도할 가능성이 있다는 것을 시사한다. 그러므로 추후 실험에서는 운동시간과 빈도에 의한 apoptosis의 time-course impact 관찰과 외재적 경로(caspase independent apoptosis)에서의 apoptosis 관련 단백질 변화에 대한 연구를 통하여 노화에 의한 근손실의 원인 규명이 요구된다.

• 대한한방부인과학회지
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• 제23권3호
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• pp.38-55
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• 2010

Purpose: This study was designed to find out the anti-cancer effects of Samultang-Gami which was composed of Rehmanniae Radix(RR), Angelicae Gigantis Radix(AGR), Cnidii Rhizoma(CR), Paeoniae Radix(PR), Cortex Moutan Radicis(CMR), Hedyotis Diffusa(HD) and Caesalpinia Sappan on HeLa, HepG2 and AGS cells. Methods: Various cancer cell lines including HeLa, HepG2 and AGS cells, were used. In vitro anti-cancer effects were measured by MTT assay using cancer cell lines treated with various concentrations of 70% ethanol extract of Samultang-Gami. Expression of cell cycle arrest mediators including Bax, Bcl-2, p53 and DARP-1 proteins were measured by Western blot analysis. Results: 1. Samultang-Gami decreased the viability of HeLa and HepG cells in a dosedependent manner. 2. AGR, CMR, PR and HD decreased the viability of HeLa, HepG2 and AGS cells. 3. We could observe that the decreased Bax and Bcl-2 expression level and the increased PARP-1 expression level by Samultang-Gami extracts treated in HeLa cells. 4. We could observe that the decreased Bcl-2 expression level and the increased Bax, p53 and PARP-1 expression level by RR extracts treated in HeLa cells. and also could observe that the reduction of the protein level of Bcl-2, p53 and PARP-1 and the increase of the protein level of Bax by PR in HeLa cells. 5. We could observe that the increased p53 expression level, the decreased PARP-1's that and the unchanged Bax and Bcl-2's that by Samultang-Gami extracts treated in HepG2 cells. 6. We could observe that the reduced Bcl-2 expression level by each of RR extracts and PR extracts in HepG2 cells. 7. The treatment of Samultang-Gami in AGS cells didn't have any effect on the expression level of Bax, Bcl-2, p53 and PARP-1. 8. We could observe that the increased p53 and PARP-1 expression level by each of CR, RR and PR extracts in AGS cells. Conclusion: Taken together, we suggest that Samultang-Gami exhibits cytotoxic effects on HeLa, HepG2 and AGS cells, causing apoptosis. The results showed that Samultang-Gami may do so by regulating the expression of specific target molecules that promote efficient apoptotic cell death in a dose-dependent manner.

• Radiation Oncology Journal
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• 제21권3호
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• pp.222-226
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• 2003

목적: 변이를 보이는 lpr 마우스와 Fas ligand 변이를 보이는 gld 마우스를 이용하여 in vivo에서 Fas와 Fas ligand의 발현이 전리 방사선에 의해 유도되는 apoptosis에서 어떤 역할을 하는지 조사하고자 하였다. 대상 및 방법: Fas의 변이를 보이는 $C57BL/6J-Fas^{lpr}$ 마우스와 대조군인 C57BL/6J 마우스, Fas ligand 변이를 보이는 $C3H/HeJ-Fas^{gld}$ 마우스와 대조군인 C3H/HeJ 마우스를 대상으로 하였다. 마우스는 8주령 웅성으로서 전신 방사선 조사하여 일정 시간 후 비장을 적출하였다. 조직을 hematoxylin-eosin 염색하여 apoptosis 유도 수준을 비교 분석하였다. 또한 apoptosis 조절 물질인 p53, Bcl-2, Bax, Bcl-X_L,\;Bcl-X_S$에 대하여 Western Western blotting을 시행하고 발현수준을 densitometry로 분석하여 관련된 기전을 연구하였다. 결과: 2.5 Gydh k10 Gy 조사시에 $C57BL/6J-Fas^{lpr}$ 마우스와 $C3H/HeJ-Fas^{gld}$ 마우스에서 대조군 비하여 방사선에 의한 apoptosis가 유의하게 감소되는 것으로 나타났다(p<0.05). C57BL/6J 마우스와, C3H/HeJ 마우스에서 10 Gy 방사선 조사 후 Bax가 8시간 째에 각각 3배, 3.3배의 증가를 보였으나 $C57BL/6J-Fas^{lpr}$ 마우스와, $C3H/HeJ-Fas^{gld}$ 마우스에서는 뚜렷한 발현증가가 관찰되지 않았다. 결과: Fas의 변이가 있는 lpr 마우스와 Fas ligand의 변이가 있는 gld 마우스에서 방사선에 의한 apoptosis가 대조군 보다 현저하게 낮으며 이는 방사선에 의한 Bax의 유도가 미약한 것과 연관된 것으로 나타났다. 방사선에 의한 apoptosis 유도에 Fas의 역할이 매우 중요한 것으로 보인다.

• 대한의생명과학회지
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• 제17권4호
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• pp.291-295
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• 2011

PD98059 is the specific inhibitor of extracellular signaling-regulated kinase (ERK) kinase (MEK). ERK is involved in a mitogen-activated protein kinase (MAPK) cascade controlling cell growth and differentiation. Although the inhibition of ERK is known to induce cell death in various cell lines, this effect is still controversial and the role of PD98059 on the death of HeLa $S_3$ cells, a subclone of the cervical cancer cell line, is not well understood. The apoptosis of HeLa $S_3$ cells increased after the treatment of 50 ${\mu}M$ PD98059. The induction of apoptosis by PD98059 was occurred in a time- and a dose-dependent manners. The expression of Bcl-2 was reduced in accordance with decrease of ERK2 expression. Taken together, these results indicate that PD98059 has a cytotoxicity in HeLa $S_3$ cells and it may be used as a potential target for the treatment of cervical cancer.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.188-189
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• 2007

The etching characteristics of $Al_2O_3$ films using the inductively coupled plasma (ICP) was investigated. The etch gas was the mixture of $BCl_3$ and He. The effect of ICP source and bias powers on etch rate and etch selectivity to polycrystalline Si was investigated in the etch process of $Al_2O_3$. The etch rate of $Al_2O_3$ film was 23nm/min when the source power and bias power were 600W and 60W, respectively. The results also indicated that the etch selectivity to polycrystalline Si could not be enhanced to be higher than 1.0 by changing the ICP source power and bias power, under the experimental conditions used in the present work. Based on plasma parameters extracted from Langmuir probe data, the etching mechanism of $Al_2O_3$ film was discussed in detail.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.221-221
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• 2010

본 실험에서는 축전결합형 고주파 플라즈마와 $BCl_3$와 He의 혼합가스를 이용하여 화합물 반도체인 GaAs와 AlGaAs의 건식식각에 대해 연구하였다. 공정변수로는 첫째, BCl3와 He의 혼합가스 비율을 0%에서 100%까지 변화시켰다. 둘째, 고주파 파워를 50 W에서 200W 까지 변화를 주었고, 셋째, 공정압력을 120 mTorr~300 mTorr 까지 변화시켰다. 식각 실험을 마친 시료는 표면 단차 측정기와, 주사전자현미경을 이용하여 식각률과 선택비, 표면거칠기, 표면형상에 대하여 분석을 진행하였다. 또한, 광학발광분석계 (OES)를 이용하여 건식식각 실험 중 혼합가스에 의해 발생하는 플라즈마의 발광특성에 대한 실시간 분석을 하였다. 결과에 따르면, 1) 혼합가스에서 He의 비율이 20%일 때 GaAs와 AlGaAs 시료의 식각율이 $0.7\;{\mu}m/min$ 와 $0.6\;{\mu}m/min$ 로 가장 높게 나타났다. 2) 감광제에 대한 시료의 선택비 또한 동일 조건에서 GaAs의 경우 1 : 12, AlGaAs의 경우 1:8로 가장 높게 나타났다. 3)고주파 파워의 변화에 따른 식각률의 경우 100 W에서 GaAs 의 경우 $0.6\;{\mu}m/min$, AlGaAs의 경우 $0.5\;{\mu}m/min$ 이었고, 고주파 파워가 증가할수록 식각률은 감소하였다. 4) 감광제에 대한 시료의 식각 선택비의 경우 50 W에서 GaAs 시료가 1:14, AlGaAs 시료가 1:10으로 가장 높은 선택비를 보였고 고주파 전원이 증가할수록 선형적으로 감소하였다. 5) 표면거칠기는 50~100 W 구간에서는 1.0~1.5 nm 으로 큰 증가폭이 없다가 150 W 이상에서는 3.0~5.0 nm 으로 증가하였다. 반응기의 압력이 120 mTorr에서 300 mTorr로 변화할 때 식각률과 선택비는 비교적 선형적으로 감소하였으며, 표면거칠기 또한 증가하였다. 결론적으로 $BCl_3/He$ 고주파 플라즈마에서 약 20%의 He을 포함하고 있을 때 가장 우수한 건식 식각 결과를 얻었다.