• 전기의세계
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• v.24 no.6
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• pp.39-44
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• 1975

발광반도체로 사용하는 재료는 주로 화합물반도체로 최근 주입형 발광 다이오드가 미소 전력으로 동작하고 수명이 길명 신뢰성이 높다는 장점때문에 실용화가 급진전되었다. 이중 GaAs를 사용한 적외발광 다이오드는 비교적 일찍 부터 개발되어 각종 발광소자와 조합하여 이용되었고 더욱 기술의 개발로 GaP, GaAl$_{1-x}$ Asx GaAsrxPx를 사용한 적외발광 다이오드를 중심으로 표시광원이나 수자, 문자 표시 소자로서 이미 양산화 단계를 이루어 다방면에 실용화가 이룩되고 있다. 또 최근 보다 많은 정보를 표시하기 위하여 적색 이외 가시다이오드의 개발이 요망되고 Gap, SiC, NaN등의 녹색발의 실현이 주목되고 있다. 이와같이 전기 에너지가 광에너지로 변환되는 것은 첫째 물질을 고온으로 가열할 때 그 물질에서 발생하는 열복사로서 전구 SiC에서 나오는 광이 이에 속하고 둘째로 아아크 방전, 그로우 방전을 이용한 영사기의 광원을 들 수 있고 셋째 루미네선스로 음극 루미네선스와 광루미네선스 및 EL 루미네선스 등이 있다. EL. 루미네선스도 전기에너지를 광에너지로 직접변환 하므로 변환효율이 높은 것이 특징으로 여기서는 EL 루미네선스에 관해 논하기로 한다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.2 no.5
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• pp.353-359
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• 1992

Thermal oxidation and plasma enhanced chemical vapor deposition of tantalum oxide thin films on p-type (100) Si substrates were studied to examine the dielectric nature of T$a_2O_5$ as a Al/T$a_2O_5$/p-Si capacitor. Microstructure and dielectric properties of the capacitors were investigated by XRD, AES, high frequency C-V analyzer, I-V meter and TEM. XRD analysis showed that the structure of T$a_2O_5$ films were amorphous, but the films were crystallized to hexagonal $\delta$-T$a_2O_5$ by 65$0^{\circ}C$ thermal oxidation treatment. It was found that the stoichiometry of the films was more or less close to 2 : 5. Leakage current density and relative dielectric constant of thermal oxidation T$a_2O_5$ film at 60$0^{\circ}C$ was 5.0${ imes}10^{-6}$/A/c$m^2 and 31.5, respectively. In the case of PECVD T$a_2O_5$film deposited at 0.47W/c$m^2 they were 2.5${ imes}10^{-5}$/A/$ extrm{cm}^2$ and 24.0, respectively. The morphology of the films and interfaces were investigated by TEM.

• Journal of Korean Society for Atmospheric Environment
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• v.20 no.3
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• pp.317-330
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• 2004

The Purpose of this study was to develop the P $M_{2.5}$ source Profiles, which are mass abundances (fraction of total mass) of a chemical species in P $M_{2.5}$ source emissions. The source categories studied were soil, road dust, gasoline and diesel vehicles, industrial source, municipal incinerator, coal-fired power plant, biomass burning, and marine. The chemicals analyzed were ions. elements. and carbons. From this study, soil source had the crustal components such as Si, hi, and Fe. In the case of road dust. Si, OC, Ca, Fe had large abundances. The abundant species were S $O_4$$^{2-}$, C $l^{[-10]}$ , N $H_4$$^{+}$, and EC in the gasoline vehicle and EC, OC, C $l^{[-10]}$ , and S $O_4$$^{2-}$ in the diesel vehicle. The main components were S $O_4$$^{2-}$, S N $H_4$$^{+}$, and EC in the industrial source using bunker C oil as fuel, C $l^{[-10]}$ , N $H_4$$^{+}$, Fe, and OC in the municipal incinerator source, and Si, Al, S $O_4$$^{2-}$, and OC in the coal -fired power plant source. In the case of biomass burning, OC, EC, and C $l^{[-10]}$ were mainly emitted. The main components in marine were C $l^{[-10]}$ , N $a^{+}$, and S $O_4$$^{2-}$.EX> 2-/.

• Journal of the Korean Society for Heat Treatment
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• v.12 no.2
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• pp.99-107
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• 1999

The graphitization is affected by the addition of small amount of the elements(such as Si, Al, Ni, B, Cr and Mn etc.) and the pre-treatment(such as cold rolling). Boron is well known element to accelerate the graphitization of cementite in high carbon steels. Also, cold rolling is known to accelerate the graphitization. But the graphitization nucleation mechanism by cold rolling is few reported. Therefore the effect of cold rolling in Fe-0.5%C-1.0%Si-0.47%Mn-0.005%B steel on the graphitization is investigated quantitatively using hardness test, optical microscope and scanning electron microscope, neutron induced microscopic radiography. The nucleation of graphite in cold-rolled Fe-0.5%C-1.0%Si-0.47%Mn-0.005%B steel is formed at void which is formed at pearlite/pearlite boundary by cold rolling. But the effect of cold rolling on graphitization in boron addition steel is more effective than that of no boron addition steel due to segregation of BN at void in boron addition steel.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.251-251
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• 2011

본 연구에서는 Zr이 도핑 된 ZnSnO (ZZTO) 기반의 물질을 액상공정을 이용하여 합성하고, 박막트랜지스터를 제작하였다. 출발 물질로써 지르코늄 클로라이드 (ZrCl4), 아연 아세테이트 디하이드레이트 ($Zn(CH_3COO)_2{\cdot}2H_3O$), 틴 클로라이드 ($SnCl_2$)를 아연과 주석 프리커서의 비율을 4:7로 고정하고, 지르코늄 프리커서의 몰비를 변형시켜 제작하였다. 제작된 솔루션은 0.25몰의 몰 농도로 고정하였다. 솔벤트로는 2-메톡시에탄올 (2-methoxyethanol)을 사용하였으며, 준비된 솔루션은 $0.2{\mu}m$ 필터를 이용하여 필터링을 실시하였다. Heavily doped p+ Si 기판에 열적 산화법을 이용하여 120 nm 두께의 $SiO_2$를 성장시킨 것을 게이트 및 게이트 절연막으로 이용하였으며, 스핀코팅을 이용하여 ZZTO 박막을 코팅하였다. 코팅 된 기판은 $300^{\circ}C$에서 $500^{\circ}C$ 사이로 2시간 열처리를 실시하였으며, 마지막으로 소오스/드레인을 스퍼터링법으로 Al을 증착하였다. Zr 함량비, 열처리 온도, 제작된 솔루션의 온도에 따른 박막단계를 파악하기 위해 X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), thermogravimetry differential thermal analyzer (TG-DTA), X-ray diffractometer (XRD), high-resolution transmission electron microscopy (HR-TEM), Hall-effect measurement, UV-Vis spectroscopy 분석을 실시하였으며, 제작된 소자는 semiconductor analyzer (HP4156C)를 이용하여 측정하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.139-139
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• 2010

금속 실리사이드 나노입자는 열적 및 화학적 안정성이 뛰어나고, 절연막내에 일함수 차이에 따라 깊은 양자 우물구조가 형성되어 비휘발성 메모리 소자를 제작할 수 있다. 그러나 단일 $SiO_2$ 절연막을 사용하였을 경우 저장된 전하의 정보 저장능력 및 쓰기/지우기 시간을 향상시키는 데 물리적 두께에 따른 제한이 따른다. 본 연구에서는 터널장벽 엔지니어링을 통하여 물리적인 두께는 단일 $SiO_2$ 보다는 두꺼우나 쓰기/지우기 동작을 위하여 인가되는 전기장에 의하여 상대적으로 전자가 느끼는 상대적인 터널 절연막 두께를 감소시키는 방법으로 동작속도를 향상 시킨 $SiO_2/Si_3N_4/SiO_2$ 및 $Si_3N_4/SiO_2/Si_3N_4$ 터널 절연막을 사용한 금속 실리사이드 나노입자 비휘발성 메모리를 제조하였다. 제조방법은 우선 p-type 실리콘 웨이퍼 위에 100 nm 두께로 증착된 Poly-Si 층을 형성 한 이후 소스와 드레인 영역을 리소그래피 방법으로 형성시켜 트랜지스터의 채널을 형성한 이후 그 상부에 $SiO_2/Si_3N_4/SiO_2$ (2 nm/ 2 nm/ 3 nm) 및 $Si_3N_4/SiO_2/Si_3N_4$ (2 nm/ 3 nm/ 3 nm)를 화학적 증기 증착(chemical vapor deposition)방법으로 형성 시킨 이후, direct current magnetron sputtering 방법을 이용하여 2~5 nm 두께의 $WSi_2$ 및 $TiSi_2$ 박막을 증착하였으며, 나노입자 형성을 위하여 rapid thermal annealing(RTA) system을 이용하여 $800{\sim}1000^{\circ}C$에서 질소($N_2$) 분위기로 1~5분 동안 열처리를 하였다. 이후 radio frequency magnetron sputtering을 이용하여 $SiO_2$ control oxide layer를 30 nm로 증착한 후, RTA system을 이용하여 $900^{\circ}C$에서 30초 동안 $N_2$ 분위기에서 후 열처리를 하였다. 마지막으로 thermal evaporator system을 이용하여 Al 전극을 200 nm 증착한 이후 리소그래피와 식각 공정을 통하여 채널 폭/길이 $2{\sim}5{\mu}m$인 비휘발성 메모리 소자를 제작하였다. 제작된 비휘발성 메모리 소자는 HP 4156A semiconductor parameter analyzer와 Agilent 81101A pulse generator를 이용하여 전기적 특성을 확인 하였으며, 측정 온도를 $25^{\circ}C$, $85^{\circ}C$, $125^{\circ}C$로 변화시켜가며 제작된 비휘발성 메모리 소자의 열적 안정성에 관하여 연구하였다.

• Membrane Journal
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• v.9 no.2
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• pp.97-106
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• 1999

A and 2SM-5 type zeoli tic crystal films were synthesized on porous supports from the reaction mixture of 1.9 ${SiO}_2$1.5 $Na_20-Al_2O_3-40$ $H_20$ and $Si0_2$-0.l3 $Na_2O$-52 $H_20$-O.l2 TPAOH composition, respectively. The zeolite films were characterized by XRD and SEM. The 2SM -5 crystals grown on the porous matrix were very closely bound together. It was so difficult to obtain the perfectly intergrown crystals in the case of A-type zeolite and this crystal was transformed into P-type zeolite membrane with a prolonged reaction time. The densely intergrown A type zeolite crystal membrane could be also synthesized by the hydrothermal treatment at 100$^{\cirt}C$ after pressing the reaction mixture without addition of water. The pervaporation performance of the synthesized porous inorganic membranes was investigated for alcohol and water mixtures. A-type zeolite membrane crystallized as a thin film showed the selective \'Jermeability of water from the mixtures through the molecular sieving activity of micropores.

• Proceedings of the Korean Society of Tribologists and Lubrication Engineers Conference
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• 2002.10b
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• pp.313-314
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• 2002

SiCp-reinforced metal matrix composites (MMCs) containing 8 wt % and 16 wt % of $SiC_p-reinforced$ with 30 and $45\;{\mu}m$ in sizes were prepared by a melt stirring-squeeze casting technique. Microstructural observation showed that particle distributions were reasonably well. Turning experiments were carried out on the composites using uncoated and triple-layer coated carbide tools at various cutting speeds under a constant feed rate and depth of cut. Coated tools indicated better performance than uncoated tools for all the materials while the poor surface finish was obtained for coated tools.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.2 no.4
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• pp.455-461
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• 1993

Glass와 실리콘 웨이퍼(p-type(100), $ ho$=6~8$\Omega$-cm)를 기판으로 하여 NiFe/glass , NiFe/Si, NiFe/Al/Si, NiFe/Ti/Si 의 박막을 제작하였다. 하지층으로 사용한 알루미늄과 티타늄은 RF 스퍼터링으로 증착하였으며 퍼럼로이(NiFe) 필름은 60, 80, 90wt%Ni로 조성을 변화시켜 증착하였다. 박막의 포화자화(Ms), 보자력(Hc), 각형비(F)는 sweep time을 1.7분으로 하여 시료 토크마그네토 메터로 측정하였다. 보자력에 영향을 주는 표면조도는 전자주사현미경(SEM)과 표면조도 측정기로써 알아보았다. 실험결과 80wt% Ni 의 퍼멀로이에서 자장 중 열처리(35 Oe,$ 350^{\circ}C$) 후 약 1의 각형비를 나타내었으며 열처리 후 보자력이 떨어짐을 보였다. 자기이방성은 알루미늄을 하지층으로 한 퍼멀로이 박막에서 가장 좋은 값(Ku=-9.60 $\times$106 emu/㎤)을 나타내었다.

• KOREAN JOURNAL OF PACKAGING SCIENCE & TECHNOLOGY
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• v.3 no.2
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• pp.25-31
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• 1996

Various treaments such heating, acid tenting, acid healing, alkaline treating, acid+alkaline renting were attempted to investigate their effects on molar ratio, chemical composition, DTA and specific surface area(SSA) of natural zeolite poder. Molar ratio, Si to AI. of natural zeolite was 4.78, which represented high silica type. Composition of natural zeolite showed that $SiO_2$ was 66.34% $Al_2O_3$ was 13.89%, $Fe_2O_2$ was 1.55% X-ray diffraction showed that main component of natural zeolite was mordenite and clinoptliolite. Differential Thermal Analysis and Thermogravimetry curve of natural zeolite was showed to peak of endothermic peak at $80^{\circ}C$ and it means to the peak of dehydrate reaction, but recristalization was not formed below at $1,000^{\circ}C$. Weight loss during calcination was 16% at $1,000^{\circ}C$. Thermal treatments on SSA of natural zolite powder decreased from $75.2m^2/g\;to\;2.1m^2/g$. In contrast chemical treatments on SSA showed to increase to $300.2m^2/g$(1 N HCl treating), $54.9m^2/g$(1 N NaOH) and $90.9m^2/g$(HCl+NaOH)tudy, it could be proposed to employ acid tret method as packaging materisls for MA packaging.