Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.4
no.2
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pp.55-62
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1997
P2O3-PbO-SiO2-Al2O3계 조성을 이용하여 저온에서 소결이 가증하며 열팽창계수와 유전율이 낮은 회로기판용 glass ceramics를 제조하고자 하였다. 155$0^{\circ}C$에서 2시간 동안 용 융하여 제조한 모유리의열팽창 거동을 확인하기 위하여 TMA로 열분석을 실시하였으며 이 유리를 분말화하여 80$0^{\circ}C$에서 열처리 하였다. 이때 cristobalite 형성억제제로 Ga2O3를 사용 하였으며 Ga2O3 첨가량에 따른 억제 영향을 XRD를 통행 확인하였다. Ga2O3를 첨가한 유리 분말로 pellet을 제조하여 열처리를 하였고 소결시편의 표면을 SEM을 통해 관찰하였다. 열 처리한 pellet에 silver paste를 screen printing하여 유전율을 측정하였으며 조성에 따른 유 전율의 변화를 확인하였다.
In this study, the microstructural characteristics such as primary silicon, eutectic silicon, $SiC_p$ dispersion behavior, compound amount and Si solubility in $Al/SiC_p$ composite fabricated by the squeeze casting under various conditions were investigated systematically. As applied pressure(MPa) increases, cooling rate and compound amount are increased. In gravity casting, the cooling rate of hypereutectic composite is slower than of hypoeutectic composite by exothermic reaction of primary Si crystallization. But the cooling rate of hypereutectic composite is faster than that of hypoeutectic composite fabricated by same applied pressure, because amount of primary Si crystallization in hypereutectic composite was decreased, on the contrary, primary ${\alpha}-Al$ in hypoeutetic composite was increased due to increase of Si solubility in matrix by applied pressure. The crystalized primary silicon in hypereutectic composite fabricated by squeeze casting become more fine than that in non-pressure casting This is because mush zone became narrow due to increase of Si content of eutectic composition by pressure and time for growth of primary silicon got shorter according to applied pressure. It is turned out that eutectic temperature and liquidus are decreased by the increasing of squeeze pressure in all the composite due to thermal unstability of matrix owing to increasing of Si solubility in matrix by the increasing of applied pressure, as indicated in thermal anaiysis(DSC) results.
Kaolinite [$Al_2Si_2O_5(OH)_4$] was successfully synthesized by a hydrothermal process from amorphous $Al(OH)_3$ and $SiO_2$ at $230^{\circ}C$ under the pressure of $30 kg/cm^2$. The experiments were performed varying temperatures ($180{\sim}280^{\circ}C$), pressure ($10{\sim}60kg/cm^2$), chemistry ($Al_2O_3/SiO_2 = 0.5{\sim}0.38$) and pH ($0.3{\sim}9.5$) of the solution. The autoclaving was carried out in a closed stainless steel vessel. Kaolinite appears from the starting composition of $Al_2O_3/SiO_2= 0.5$ with boehmite and was stable as a single phase with the composition of $Al_2O_3/SiO_2=0.45$. Boehmite was a stable phase below $200^{\circ}C$ for the 240 h period of autoclaving, but kaolinite appeared even in 20 h at $230^{\circ}C$. The single kaolinite phase of a good crystallinity was observed at pH ranging 2 to 6. That indicates that pH is one of the most critical parameters for the successful formation of kaolinite. The optimal molar ratio of $Al_2O_3$ to $SiO_2$ was determined to be 0.45. The XRD pattern of the synthesized kaolinite coincided with that of natural one and its morphology was the cluster type of the kaolinite crystals (diameter = ${\sim}3{\mu}m$), irrespective of starting material, composition and temperature.
Jang, Eunseok;Baek, Sanghun;Jang, Byung Yeol;Lee, Jeong Chul;Park, Sang Hyun;Rhee, Young Woo;Cho, Jun-Sik
한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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2011.05a
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pp.128.2-128.2
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2011
스테인레스 스틸 유연기판 위에 플라즈마 화학기상 증착법 (plasma enhanced chemical vapor deposition)을 이용하여 nip 구조의 미세결정질 실리콘 박막 태양전지 (microcrystalline silicon thin film solar cell)를 제조하고 i ${\mu}c$-Si:H광 흡수층과 p ${\mu}c$-Si:H 사이에 i a-Si:H 버퍼 층을 삽입하여 i/p 계면특성을 개선하고 이에 따른 태양전지 성능특성 변화를 조사하였다. ${\mu}c$-Si:H 박막으로 이루어진 i/p 계면에서의 구조적, 전기적 결함은 태양전지 내에서 생성된 캐리어의 재결합과 shunt resistance 감소를 초래하여 개방전압 (open circuit voltage) 및 곡선 인자 (fill factor)를 감소시키는 것으로 알려졌다. 제조된 미세결정질 실리콘 박막 태양전지는 SUS/Ag/ZnO:Al/n ${\mu}c$-Si:H/i ${\mu}c$-Si:H/p ${\mu}c$-Si:H 구조로 제작되었으며 i/p 계면 사이의 i a-Si;H 버퍼층 두께를 변화시키고 이에 따른 태양전지의 특성을 조사하였다. 태양전지의 구조적, 전기적 특성 변화는 Scanning Electron Microscope (SEM), UV-visible-nIR spectrometry, Photo IV와 Dark IV를 통하여 조사하였다.
The pretreatment condition for uniform distribution of SiC whisker in A2O3-SiCw composites has been determined and the mechanical properties of the composites with various whisker contents have been measured. Good dispersion of the whisker can be obtained in a solution of pH=10.45 by ball milling and ultrasonic treatment. The relative density of hot pressed composites decreases with the whisker content up to 40vol%, but is found to be satisfactory, over 98% for all samples. The mechanical property of the composites is sensitive to the whisker dispersion. Uniform distributjion of the whisker is critical in order to guarantee good mechanical property.The samples containing 20~30vol% whisker show the best mechanical property within the studied range.
The variation of the microstructures and the mechanical properties with varying vacuum hot pressing temperature and pressure was investigated in PyM processed 20 vol%) SiCw/ 2124Al composites. As increasing the vacuum hot pressing temperature, the aspect ratio of whiskers and density of composites increased due to the softening of 2124Al matrix with the increased amount of liquid phase. The tensile strength of composite increased with increasing vacuum hot pressing temperature up to $570^{\circ}C$ and became saturated above $570^{\circ}C$, To attain the high densification of composites above 99%, the vacuum hot pressing pressure was needed to be above 70 MPa. However, the higher vacuum hot pressing pressure above 70 MPa was not effective to increase the tensile strength due to the reduced aspect ratio of SiC whiskers from damage of whiskers during vacuum hot pressing. A phenomenological equation to predict the tensile strength of $SiC_w$/2124AI composite was proposed as a function including two microstructural parameters, i.e. density of composites and aspect ratio of whiskers. The tensile strength of $SiC_w$/2124AI were found more sensitive to the porosity than other P/M materials due to the higher stress concentration and reduced load transfer efficiency by the pores locating at whisker/matrix interfaces.
In order to improve the performance of green emitting phosphors for plasma display panel, the $Zn_2SiO_4:Mn,Al$ phosphors were synthesized using sol-gel technique and studied using SEM and VUV photoluminescence spectrometer. pH values of the starting solutions (pH = 0.5$\~$2.34) were controled by HCl as the catalysis of hydrolysis and wet gels were dried at $80^{\circ}C$ and $120^{\circ}C$, respectively. We investigated the effects of pH and drying temperatures during sol-gel processes. The results indicated that the phosphor prepared at pH = 1 showed the maximum emission intensity in both drying conditions and the effect of pH of the starting solution on morphology were increased with particle size as HCl and phosphor dried at high temperature showed more spherical and smaller particles than at low.
Park, Jongbok;Lee, Taegyu;Lee, Donghyun;Cho, Seungchan;Lee, Sang-Kwan;Hong, Soon Hyung;Ryu, Ho Jin
Composites Research
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v.33
no.5
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pp.235-240
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2020
In this study, in order to improve the impact resistance of the B4C tile-inserted B4Cp/Al7075 hybrid composite, a control method of the B4C/Al7075 interface was developed and the characteristics of the controlled interface were analyzed. B2O3, Ni, and Si were coated on the B4C tile surface using additional thermal oxidation, electroless plating, and plasma spraying. The coated B4C tile is inserted into the B4Cp/Al7075 composite material using the liquid pressurization method. Interfacial energy, bonding strength, and impact resistance were measured to analyze the effect of the coating. All coatings enhanced interfacial energy, bonding strength, and impact resistance, and in particular, it was confirmed that the impact resistance increased by 86.8% when B2O3 coating was used. This study is significant in developing and analyzing a core surface treatment method that improves the performance of B4C/Al series composites, which are attracting attention as next-generation lightweight amour and bulletproof materials.
Characteristics of microstructures, mechanical properties and formability of two Al-20Si-5Fe-2Ni alloys produced by gas atomizing (P/M) and spray forming (S/F) respectively were compared at temperatures up to $560^{\circ}C$. Room temperature hardness values and tensile strengths of both alloys were increased in accordance with temperature after heat treatment above $300^{\circ}C$. The highest values of hardness and tensile strength of both alloys were obtained at $490^{\circ}C$. It was interpreted that increase in hardness and tensile strength according to heating temperature between $300{\sim}490^{\circ}C$ was mainly related to increase in internal stress between Al matrix and reprecipitated particles. S/F alloys showed better formability and wear property than P/M alloys due to the homogenity of microstructures above $300^{\circ}C$.
The stoichiometric mixture of evaporating materials for the $CaAl_2Se_4$: Co single crystal thin film was prepared from horizontal furnace. Using extrapolation method of X-ray diffraction patterns for the polycrystal $CaAl_2Se_4$, it was found orthorhomic structure whose lattice constant $a_0$, $b_0$ and $c_0$ were 6.4818, $11.1310{\AA}$ and $11.2443{\AA}$, respectively. To obtain the $CaAl_2Se_4$: Co single crystal thin film, $CaAl_2Se_4$: Co mixed crystal was deposited on throughly etched Si (100) by the HWE (Hot Wall Epitaxy) system. The source and substrate temperature were $600^{\circ}C$ and $440^{\circ}C$ respectively. The crystalline structure of $CaAl_2Se_4$: Co single crystal thin film was investigated by the double crystal X-ray diffraction (DCXD). Hall effect on this sample was measured by the method of Van der Pauw and studied on carrier density and mobility depending on temperature. From Hall data, the mobility was likely to be decreased by impurity scattering in the temperature range 30 K to 100 K and by lattice scattering in the temperature range 100 K to 293 K. The temperature dependence of the energy band gap of the $CaAl_2Se_4$: Co obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, $E_g(T)=3.8239eV-(4.9823{\times}10^{-3}eV/K)T_2/(T+559K)$. The open-circuit voltage, short current density, fill factor, and conversion efficiency of $p-Si/p-CaAl_2Se_4$: Co heterojunction solar cells under $80mW/cm^2$ illumination were found to be 0.42 V, $25.3mA/cm^2$, 0.75 and 9.96%, respectively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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