• Title/Summary/Keyword: $AFM_1$

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Effect of sputtering conditions on the exchange bias and giant magnetoresistance in Si/Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/FeMn/Ta spin valves (스파터링 조건이 FeMn계 top 스핀 밸브의 exchange bias 및 자기적 특성에 미치는 영향)

  • Kim, K.Y.;Shin, K.S.;Han, S.H.;Lim, S.H.;Kim, H.J.;Jang, S.H.;Kang, T.
    • Journal of the Korean Magnetics Society
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    • v.10 no.2
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    • pp.67-73
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    • 2000
  • Top spin valve samples with a structure Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/FeMn/Ta were deposited on a Si(100) substrate by changing d.c. magnetron sputtering conditions and the exchange-bias and magnetic properties of samples were investigated. The Exchange field, H$\_$ex/ increased with increase of sputtering power of FeMn from 30 to 150 W and CoFe from 30 to 100 W deposited on the Cu, the increase of H$\_$ex/ was found due to the improvement of preferred orientation of (111) FeMn phase from XRD results. In the case of Cu, H$\_$ex/ decreased with the increase of sputtering pressure ranging from 1 to 5 mTorr. The relationship between exchange field and resistance was investigated, spin valve samples with a large exchange field showed the lower resistance, which was strongly dependent on the good crystallinity and grain size increase as well as lower scattering effects. The Cu thickness was changed from 22 to 38 $\AA$ for Si/Ta/NiFe/CoFe/Cu(t), 30 W/CoFe, 100 W/FeMn, 100 W/Ta spin valve structures, MR ratio of 6.5 % and exchange field of about 190 Oe were obtained for the sample with Cu of 22 $\AA$ thickness. The increase of exchange field with decrease of Cu thickness was explained by FM/AFM spin-spin interaction.

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Fabrication and characterization of tilted R-plane sapphire wafer for nonpolar a-plane GaN (경사각을 갖는 비극성 a-GaN용 R-면 사파이어 기판의 제조 및 특성)

  • Kang, Jin-Ki;Kim, Young-Jin
    • Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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    • v.21 no.5
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    • pp.187-192
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    • 2011
  • Tilt angle of r-plane wafer is a one of the important factors related with the quality of the GaN epi, so the fine control of the tilt angle is important for the growing of high quality non-polar a-GaN epi. We prepared the R-plane sapphire wafers with slight tilt angles for nonpolar a-plane GaN. The target tilt angles of ${\alpha}$ and ${\beta}$ were 0, -0.1, -0.15, -0.2, -0.4, $-0.6^{\circ}$ and -0.1, 0, $0.1^{\circ}$, respectively. The tilt angles of sliced R-plane sapphire wafers were measured by x-ray and the statistical evaluation of reliability of tilt angles of wafers were performed. The tolerance of the tilt angle was ${\pm}0.03^{\circ}$. R-plane sapphire wafers have relatively large distributions of BOW and TTV data than c-plane sapphire wafers due to the large anisotropy of R-plane. As the tilt angle ${\alpha}$ was increased from -0.1 to $-0.6^{\circ}$, the step widths and heights were decreased from 156 nm to 26 nm and 0.4 nm to 0.2 nm, respectively. The growth and qualities of GaN epi seems to be largely affected by the change of step structure of R-plane sapphire wafers with tilt angle.

Characteristics of the Diamond Thin Film as the SOD Structure

  • Lee, You-Seong;Lee, Kwang-Man;Ko, Jeong-Dae;Baik, Young-Joon;Chi, Chi-Kyu
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 1999.07a
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    • pp.58-58
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    • 1999
  • The diamond films which can be applied to SOD (silicon-on-diamond) structure were deposited on Si(100) substrate using CO/H2 CH4/H2 source gases by microwave plasma chemical vapor deposition(MPCVD), and SOD structure have been fabricated by poly-silicon film deposited on the diamond/Si(100) structure y low pressure chemical vapor deposition(LPCVD). The phase of the diamond film, surface morpholog, and diamond/Si(100) interface were confirmed by X-ray diffraction(XRD), scanning electron microscopy(SEM), atomic force microscopy(AFM), and Raman spectroscopy. The dielectric constant, leakage current and resistivity as a function of temperature in films are investigated by C-V and I-V characteristics and four-point probe method. The high quality diamond films without amorphous carbon and non-diamond elements were formed on a Si(100), which could be obtained by CO/H2 and CH4/H2 concentration ratio of 15.3% and 1.5%, respectively. The (111) plane of diamond films was preferentially grown on the Si(100) substrate. The grain size of the films deposited by CO/H2 are gradually increased from 26nm to 36 nm as deposition times increased. The well developed cubo-octahedron 100 structure nd triangle shape 111 are mixed together and make smooth and even film surface. The surface roughness of the diamond films deposited by under the condition of CO/H2 and CH4/H2 concentration ratio of 15.3% and 1.5% were 1.86nm and 3.7 nm, respectively, and the diamond/Si(100) interface was uniform resistivity of the films deposited by CO/H2 concentration ratio of 15.3% are obtained 5.3, 1$\times$10-9 A/cm, 1 MV/cm2, and 7.2$\times$106 $\Omega$cm, respectively. In the case of the films deposited by CH4/H2 resistivity are 5.8, 1$\times$10-9 A/cm, 1 MV/cm, and 8.5$\times$106 $\Omega$cm, respectively. In this study, it is known that the diamond films deposited by using CO/H2 gas mixture as a carbon source are better thane these of CH4/H2 one.

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Deposition and Characterization of Antistiction Layer for Nanoimprint Lithography by VSAM (Vapor Self Assembly Monolayer) (기상 자기조립박막 법을 이용한 나노임프린트용 점착방지막 형성 및 특성평가)

  • Cha, Nam-Goo;Kim, Kyu-Chae;Park, Jin-Goo;Jung, Jun-Ho;Lee, Eung-Sug;Yoon, Neung-Goo
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.17 no.1
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    • pp.31-36
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    • 2007
  • Nanoimprint lithography (NIL) is a new lithographic method that offers a sub-10nm feature size, high throughput, and low cost. One of the most serious problems of NIL is the stiction between mold and resist. The antistiction layer coating is very effective to prevent this stiction and ensure the successful NIL results. In this paper, an antistiction layer was deposited by VSAM (vapor self assembly monolayer) method on silicon samples with FOTS (perfluoroctyltrichlorosilane) as a precursor for making an antistiction layer. A specially designed LPCVD (low pressure chemical vapor deposition) was used for this experiment. All experiments were achieved after removing the humidity. First, the evaporation test of FOTS was performed for checking the evaporation temperature at low pressure. FOTS was evaporated at 5 Tow and $110^{\circ}C$. In order to evaluate the temperature effect on antistiction layer, chamber temperature was changed from 50 to $170^{\circ}C$ with 0.1ml of FOTS for 1 minute. Good hydrophobicity of all samples was shown at about $110^{\circ}$ of contact angle and under $20^{\circ}$ of hysteresis. The surface energies of all samples calculated by Lewis acid/base theory was shown to be about 15mN/m. The deposited thicknesses of all samples measured by ellipsometry were almost 1nm that was similar value of the calculated molecular length. The surface roughness of all samples was not changed after deposition but the friction force showed relatively high values and deviations deposited at under $110^{\circ}$. Also the white circles were founded in LFM images under $110^{\circ}$. High friction forces were guessed based on this irregular deposition. The optimized VSAM process for FOTS was achieved at $170^{\circ}C$, 5 Torr for 1 hour. The hot embossing process with 4 inch Si mold was successfully achieved after VSAM deposition.

Study on Formation of FePd Nano-dot Using Agglomeration of Fe/Au Bilayer (Fe/Au 이중층의 응집현상을 이용한 FePd 나노 점 형성에 관한 연구)

  • Koo, J.K.;Kim, J.M.;Ryua, D.H.;Choi, B.J.;Kim, D.W.;Lee, D.H.;Kim, U.I.;Mitani, S.;J.G., M. Kamiko;Ha, J.G.
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.20 no.1
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    • pp.7-13
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    • 2011
  • [ $L1_0$ ]phase FePd nano-dot structures were successfully fabricated on self-organized Fe/Au bilayers. With atomic force microscopy, it is determined that surface morphologies of initially flat Fe/Au bilayer films were agglomerated and transformed their shape into nano-dots structures with increasing annealing temperature. With this bilayer as a template, FePd multilayers were deposited at various temperatures, i.e. $300^{\circ}C$, $350^{\circ}C$, $400^{\circ}C$, and $450^{\circ}C$. Surface morphologies of FePd superlattice had a near resemblance to self-organized bilayer. According to X-ray diffraction results, it is confirmed that $L1_0$ superlattice structures of FePd were obtained from samples which were annealed above $350^{\circ}C$. Results of X-ray photoelectron spectroscopy depth-profile analysis showed that chemical composition is identical to deposition sequence. As a result, without additional etching processes, fabrication of chemically ordered FePd superlattice nano-dots was achieved.

Characteristics of ITO with surface treatment by N2, O2, Ar Plasma and UV (질소, 산소, 아르곤 플라즈마와 자외선에 의하여 표면 처리한 ITO의 특성)

  • Bae, Gyeong-Tae;Jeong, Seon-Yeong;Gang, Seong-Ho;Kim, Hyeon-Gi;Kim, Byeong-Jin;Ju, Seong-Hu
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2018.06a
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    • pp.90-90
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    • 2018
  • 디스플레이는 다수의 가로 전극과 세로 전극으로 구성되고, 전극에 신호를 주어 동작하도록 하는 원리이다. 이 디스플레이에는 전기가 통하고 투명한 전극이 필수적으로 사용되고 있고, 대표적인 투명 전극으로 ITO (Indium Tin Oxide)가 있다. ITO 박막은 $In_2O_3$에 Sn을 첨가하여 $Sn^{4+}$ 이온이 $In^{3+}$ 이온을 치환하고 이 과정에서 잉여 전자가 전기전도에 기여하는 구조이다. ITO 박막은 표면 처리 방법에 따라 표면 상태가 크게 변화한다. 플라즈마를 이용한 표면 처리는 환경오염이 적으며 강도, 탄성률 등과 같은 재료의 기계적 특성을 변화시키지 않으면서 표면 특성만을 변화시킬 수 있는 방법으로 알려져 있다[1]. UV (Ultraviolet)를 조사한 표면처리는 ITO 표면의 탄소를 제거하고, 표면 쌍극자를 형성하며, 표면의 조성을 변화시킬 수 있으며, 페르미 에너지 준위를 이동시킬 수 있어 ITO의 일함수를 증가시킬 수 있다[2]. ITO에 대한 다양한 연구가 수행되었음에도 불구하고 보다 다양한 관점에서의 연구가 지속될 필요가 있다. 따라서 본 연구에서는 다양한 조건으로 표면 처리한 ITO 표면의 일함수, 면저항, 표면 형상, 평탄도, 접촉각 등에 대해 알아보고자 한다. 세정한 ITO, 세정 후 UV 처리한 ITO (UV 처리 시간 2분, 4분 6분, 8분), 세정 후 $N_2$, $O_2$, Ar의 공정 가스를 사용하여 Plasma 처리한 ITO로 표면 처리 조건을 변화하였다. 표면 처리한 ITO의 특성은 Kelvin Probe를 이용한 일함수, 물방울 형상의 각도를 측정한 접촉각, AFM (Atomic Force Microscope)을 이용한 평탄도, 가시광선 (380~780 nm) 파장에 대한 투과도와 면저항을 측정하였다. 접촉각은 세정한 ITO의 경우 $45.5^{\circ}$에서 세정 후 UV를 조사한 ITO의 경우 UV 8분 조사 시 $27.86^{\circ}$로 감소하였고, $N_2$, $O_2$, Ar 가스를 사용하여 Plasma 처리한 ITO는 모두 $10^{\circ}$ 미만을 나타내었다. 플라즈마 처리에 의하여 접촉각이 현저하게 개선되었다. ITO의 면저항은 표면 처리 조건에 따라 $9.620{\sim}9.903{\Omega}/{\square}$로 그 차이가 매우 적어 표면처리에 의하여 면저항의 변화는 없는 것으로 판단된다. 가시광선 영역에서의 투과도는 공정 조건에 따라 87.59 ~ 89.39%로 그 차이가 적어 표면처리에 의한 변화를 나타내지는 않은 것으로 판단된다. 표면 처리 조건에 따른 평탄도 $R_{rms}$는 세정한 ITO의 경우 4.501 nm로부터 UV 2, 4, 6, 8분 처리한 경우 2.797, 2.659, 2.538, 2.584 nm로 평탄도가 개선되었다. $N_2$, $O_2$, Ar 가스를 사용하여 플라즈마 처리한 ITO의 경우 평탄도 $R_{rms}$는 2.49, 4.715, 4.176 nm로 사용한 가스의 종류에 따라 다른 경향을 나타내었다. 표면 처리 조건에 따른 평탄도 Ra는 세정한 ITO의 경우 3.521 nm로부터 UV 2, 4, 6, 8분 처리한 경우 1.858, 1.967, 1.896, 1.942 nm를, $N_2$, $O_2$, Ar 가스를 사용하여 플라즈마 처리한 ITO의 경우는 1.744, 3.206, 3.251 nm로 평탄도 $R_{rms}$와 유사한 경향을 나타내었다.

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RF-PECVD로 성장시킨 $a-Si_{1-x}C_x:H$ 박막의 증착조건에 따른 광학적 특성 분석

  • 박문기;김용탁;홍병유
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2000.02a
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    • pp.76-76
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    • 2000
  • 최근 비정질 SiC 박막은 열과 광안정도면에서 비정질 Si 박막에 비해 우수하며 공정변수들을조절함으로써 비교적 쉽고 다양하게 광학적.전기적 특성을 얻을 수 있고, 낮은 광흡수계수 및 105($\Omega$cm)1 이상의 높은 전도도를 가지고 있어 Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition(PECVD)을 통해 가전자제어 (Valency electron control)가 가능한 비정질 SiC 박막이 제작된 이래 대한 많은 연구가 진행되고 있다. 결정성이 없는 비정질 물질은 상대적으로 낮은 온도에서 성장이 가능하며, 특히 glow-sidcharge 방식으로 저온에서 성장시킬 수 있음에 따라 유리등과 같은 다른 저렴한 물질을 기판으로 이용, 넓은 면적의 비정질 SiC 박막을 성장시켜 여러 분야의 소자에 응용되고 있다. 비정질 SiC 박막이 넓은 에너지띠 간격을 갖는 물질이라는 점과 화학적 안정성 및 높은 경도, 비정질성에 기인한 대면적 성장의 용이성 등의 장점이외에, 원자의 성분비 변화에 의해 에너지띠 간격(1.7~3.1eV)을 조절할 수 있다는 점은 광전소자의 응용에 큰 잠재성이 있음을 나타낸다. PECVD 방식으로 성장된 비정질 SiC 박막은 태양전지의 Window층이나 발광다이오드, 광센서, 광트랜지스터 등에 응용되어 오고 있다. 본 연구에서는, RF-PECVD(ULVAC CPD-6018) 방법에 의하여 비정질 Si1-xCx 박막을 2.73Torr의 고정된 압력에서 RF 전력(50~300W), 증착온도(150~30$0^{\circ}C$), 주입 가스량 (SiH4:CH4)등의 조건을 다양하게 변화시켜가며 증착된 막의 특성을 평가하였다. 성장된 박막을 X-ray Photoelectron Spectroscopy(XPS), UV-VIS spectrophotometer, Ellipsometry, Atomic Force Microscopy(AFM)등을 이용하여 광학적 밴드갭, 광흡수 계수, Tauc Plot, 그리고 파장대별 빛의 투과도의 변화를 분석하였으며 각 변수가 변화함에 따라 광학적 밴드갭의 변화를 정량적으로 조사함으로써 분자결합상태와 밴드갭과 광 흡수 계수간의상관관계를 규명하였고, 각 변수에 따른 표면의 조도를 확인하였다. 비정질 Si1-xCx 박막을 증착하여 특성을 분석한 결과 성장된 박막의 성장률은 Carbonfid의 증가에 따라 다른 성장특성을 보였고, Silcne(SiH4) 가스량의 감소와 함께 박막의 성장률이 둔화됨을 볼 수 있다. 또한 Silane 가스량이 적어지는 영역에서는 가스량의 감소에 의해 성장속도가 둔화됨을 볼 수 있다. 또한 Silane 가스량이 적어지는 영역에서는 가스량의 감소에 의해 성장속도가 줄어들어 성장률이 Silane가스량에 의해 지배됨을 볼 수 있다. UV-VIS spectrophotometer에 의한 비정질 SiC 박막의 투과도와 파장과의 관계에 있어 유리를 기판으로 사용했으므로 유리의투과도를 감안했으며, 유리에 대한 상대적인 비율 관계로 투과도를 나타냈었다. 또한 비저질 SiC 박막의 흡수계수는 Ellipsometry에 의해 측정된 Δ과 Ψ값을 이용하여 시뮬레이션한 결과로 비정질 SiC 박막의 두께를 이용하여 구하였다. 또한 Tauc Plot을 통해 박막의 optical band gap을 2.6~3.7eV로 조절할 수 있었다.

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Enhanced Drug Carriage Efficiency of Curcumin-Loaded PLGA Nanoparticles in Combating Diabetic Nephropathy via Mitigation of Renal Apoptosis

  • Asmita Samadder;Banani Bhattacharjee;Sudatta Dey;Arnob Chakrovorty;Rishita Dey;Priyanka Sow;Debojyoti Tarafdar;Maharaj Biswas;Sisir Nandi
    • Journal of Pharmacopuncture
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    • v.27 no.1
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    • pp.1-13
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    • 2024
  • Background: Diabetic nephropathy (DN) is one of the major complications of chronic hyperglycaemia affecting normal kidney functioning. The ayurvedic medicine curcumin (CUR) is pharmaceutically accepted for its vast biological effects. Objectives: The Curcuma-derived diferuloylmethane compound CUR, loaded on Poly (lactide-co-glycolic) acid (PLGA) nanoparticles was utilized to combat DN-induced renal apoptosis by selectively targeting and modulating Bcl2. Methods: Upon in silico molecular docking and screening study CUR was selected as the core phytocompound for nanoparticle formulation. PLGA-nano-encapsulated-curcumin (NCUR) were synthesized following standard solvent displacement method. The NCUR were characterized for shape, size and other physico-chemical properties by Atomic Force Microscopy (AFM), Dynamic Light Scattering (DLS) and Fourier-Transform Infrared (FTIR) Spectroscopy studies. For in vivo validation of nephro-protective effects, Mus musculus were pre-treated with CUR at a dose of 50 mg/kg b.w. and NCUR at a dose of 25 mg/kg b.w. (dose 1), 12.5 mg/kg b.w (dose 2) followed by alloxan administration (100 mg/kg b.w) and serum glucose levels, histopathology and immunofluorescence study were conducted. Results: The in silico study revealed a strong affinity of CUR towards Bcl2 (dock score -10.94 Kcal/mol). The synthesized NCUR were of even shape, devoid of cracks and holes with mean size of ~80 nm having -7.53 mV zeta potential. Dose 1 efficiently improved serum glucose levels, tissue-specific expression of Bcl2 and reduced glomerular space and glomerular sclerosis in comparison to hyperglycaemic group. Conclusion: This study essentially validates the potential of NCUR to inhibit DN by reducing blood glucose level and mitigating glomerular apoptosis by selectively promoting Bcl2 protein expression in kidney tissue.

Synthesis and Characterization of Linear and Branched Copolymers of Poly(ethylene glycol) and $Poly({\varepsilon}-caprolactone)$ (선형 및 분지 구조의 폴리(에틸렌 글리콜)/폴리카프로락톤 공중합체의 합성 및 특성 검토)

  • Hyun Hoon;Kim Moon-Suk;Khang Gil-Son;Rhee John-M.;Lee Hai-Bang
    • Polymer(Korea)
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    • v.30 no.2
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    • pp.146-151
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    • 2006
  • Linear and branched copolymers consisting of poly(ethylene glycol) (PEG) and $Poly({\varepsilon}-caprolactone)$ (PCL) were prepared to compare the characterization of star-shaped copolymers with various molecular architecture. Linear and branched PEG-PCL (1-arm, 2-arm, 4-arm, and 8-arm) copolymers were synthesized by the ring-opening polymerization of ${\varepsilon}-caprolactone$ in the presence of HCl $Et_2O$ as a monomer activator at room temperature. The synthesized copolymers were characterized with $^1H-NMR$, GPC, DSC, and XRD. As a result of the DSC and XRD, each copolymers showed different thermal properties and crystallinity according to the number of ms. The micellar characterization of linear and branched copolymers in an aqueous phase was carried out by using NMR, dynamic light scattering, AM, and fluorescence techniques. The critical micelle concentration (CMC) and diameters of micelles depended on the number of arms. Most micelles exhibited a spherical shape in AFM. In this study, we characterized star-shaped PEG-PCL copolymers and investigated their molecular architecture effect on the various properties. Furthermore, we confirmed that the micelles termed with linear and branched PEG-PCL copolymers have possibility as a potential hydrophobic drug delivery vehicle.

Effects of hydrogen and ammonia partial pressure on MOCVD $Co/TaN_x$ layer for Cu direct electroplating

  • Park, Jae-Hyeong;Mun, Dae-Yong;Han, Dong-Seok;Yun, Don-Gyu;Park, Jong-Wan
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2012.05a
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    • pp.84-84
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    • 2012
  • 소자가 고집적화 됨에 따라, 비저항이 낮고 electro migration (EM), Stress Migration (SM) 특성이 우수한 구리(Cu)를 배선재료로서 사용하고 있다. 그러나, 구리는 Si과 $SiO_2$의 내부로 확산이 빠르게 일어나, Si 소자 내부에 deep donor level을 형성하고, 누설 전류를 증가시키는 등 소자의 성능을 저하시킬 수 있는 문제점을 가지고 있다. 그러나, electroplating 을 이용하여 증착한 Cu 박막은 일반적으로 확산 방지막으로 쓰이는 TiN, TaN, 등의 물질과의 접착 (adhesion) 특성이 나쁘다. 따라서, Cu CMP 에서 증착된 Cu 박막의 벗겨지거나(peeling), EM or SM 저항성 저하 등의 배선에서의 reliability 문제를 야기하게된다. 따라서 Cu 와 접착 특성이 좋은 새로운 확산방지막 또는 adhesion layer의 필요성이 대두되고 있다. 본 연구에서는 이러한 Cu 배선에서의 접착성 문제를 해결하고자 Metal organic chemical vapor deposition (MOCVD)을 이용하여 제조한 코발트(Co) 박막을 $Cu/TaN_x$ 사이의 접착력 개선을 위한 adhesion layer로 적용하려는 시도를 하였다. Co는 비저항이 낮고, Cu 와 adhesion이 좋으며, Cu direct electroplating 이 가능하다는 장점을 가지고 있다. 하지만, 수소 분위기에서 $C_{12}H_{10}O_6(Co)_2$ (dicobalt hexacarbonyl tert-butylacetylene, CCTBA) 전구체에 의한 MOCVD Co 박막의 경우 탄소, 산소와 같은 불순물이 다량 함유되어 있어, 비저항, surface roughness 가 높아지게 된다. 따라서 구리 전착 초기에 구리의 핵 생성(nucleation)을 저해하고 핵 생성 후에도 응집(agglomeration)이 발생하여 연속적이고 얇은 구리막 형성을 방해한다. 이를 해결하기 위해, MOCVD Co 박막 증착 시 수소 반응 가스에 암모니아를 추가로 주입하여, 수소/암모니아의 분압을 1:1, 1:6, 1:10으로 변화시켜 $Co/TaN_x$ 박막의 특성을 비교 분석하였다. 각각의 수소/암모니아 분압에 따른 $Co/TaN_x$ 박막을 TEM (Transmission electron microscopy), XRD (X-ray diffraction), AES (Auger electron spectroscopy)를 통해 물성 및 조성을 분석하였고, AFM (Atomic force microscopy)를 이용하여, surface roughness를 측정하였다. 실험 결과, $Co/TaN_x$ 박막은 수소/암모니아 분압 1:6에서 90 ${\mu}{\Omega}-cm$의 낮은 비저항과 0.97 nm 의 낮은 surface roughness 를 가졌다. 뿐만 아니라, MOCVD 에 의해 증착된 Co 박막이4-6 % concentration 의 탄소 및 산소 함량을 가지는 것으로 나타났고, 24nm 크기의 trench 기판 위에 약 6nm의 $Co/TaN_x$ 박막이 매우 균일하게 형성된 것을 확인 할 수 있었다. 이러한 결과들은, 향후 $Co/TaN_x$ 박막이 Cu direct electroplating 공정이 가능한 diffusion barrier로서 성공적으로 사용될 수 있음을 보여준다.

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