Device quality indium tin oxide (ITO) films are deposited on glass substrates and ultra-thin diamond-like carbon films are deposited as a buffer layer on ITO by a pulsed Nd:YAG laser at 355 nm and 532 nm wavelength. ITO films deposited at room temperature are largely amorphous although their optical transmittances in the visible range are > 90%. The resistivity of their amorphous ITO films is too high to enable an efficient organic light-emitting device (OLED), in contrast to that deposited by a KrF laser. Substrate heating at $200^{\circ}C$ with laser wavelength of 355 nm, the ITO film resistivity decreases by almost an order of magnitude to $2{\times}10^{-4}\;{\Omega}\;cm$ while its optical transmittance is maintained at > 90%. The thermally induced crystallization of ITO has a preferred <111> directional orientation texture which largely accounts for the lowering of film resistivity. The background gas and deposition distance, that between the ITO target and the glass substrate, influence the thin-film microstructures. The optical and electrical properties are compared to published results using other nanosecond lasers and other fluence, as well as the use of ultra fast lasers. Molecularly doped, single-layer OLEDs of ITO/(PVK+TPD+$Alq_3$)/Al which are fabricated using pulsed-laser deposited ITO samples are compared to those fabricated using the commercial ITO. Effects such as surface texture and roughness of ITO and the insertion of DLC as a buffer layer into ITO/DLC/(PVK+TPD+$Alq_3$)/Al devices are investigated. The effects of DLC-on-ITO on OLED improvement such as better turn-on voltage and brightness are explained by a possible reduction of energy barrier to the hole injection from ITO into the light-emitting layer.
In this study, we examined the chemical properties and microbial community characteristics in 25 controlled horticultural soils (CHS) sampled from Gyeongnam Province by fatty acid methyl ester (FAME) method. The electrical conductivity of watermelon CHS was significantly (p < 0.05) higher than those of red pepper CHS, pumpkin CHS, and strawberry CHS. The amounts of total FAMEs, total bacteria, gram-negative bacteria, gram-positive bacteria, and fungi were significantly (p < 0.05) higher in red pepper CHS than those in strawberry CHS and pumpkin CHS. In addition, higher (p < 0.05) ratios of cy19:0 to $18:1{\omega}7c$ were detected in tomato CHS than those in watermelon CHS, pumpkin CHS, and red pepper CHS. This implied that microbial communities of tomato CHS were stressed more than other species of cultivation soils. Actinomycetes community in red pepper CHS was significantly (p < 0.05) higher than those in tomato CHS, strawberry CHS, and watermelon CHS. Differences in soil microbial community composition were highly associated with cultivated crop species which might result from the management inputs such as fertilizer, herbicide, and irrigation.
Kim, Woo-Hee;Lee, Han-Bo-Ram;Heo, Kwang;Hong, Seung-Hun;Kim, Hyung-Jun
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2009.05a
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pp.22.2-22.2
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2009
Currently, metal silicides become increasingly more essential part as a contact material in complimentary metal-oxide-semiconductor (CMOS). Among various silicides, NiSi has several advantages such as low resistivity against narrow line width and low Si consumption. Generally, metal silicides are formed through physical vapor deposition (PVD) of metal film, followed by annealing. Nanoscale devices require formation of contact in the inside of deep contact holes, especially for memory device. However, PVD may suffer from poor conformality in deep contact holes. Therefore, Atomic layer deposition (ALD) can be a promising method since it can produce thin films with excellent conformality and atomic scale thickness controllability through the self-saturated surface reaction. In this study, Ni thin films were deposited by thermal ALD using bis(dimethylamino-2-methyl-2-butoxo)nickel [Ni(dmamb)2] as a precursor and NH3 gas as a reactant. The Ni ALD produced pure metallic Ni films with low resistivity of 25 $\mu{\Omega}cm$. In addition, it showed the excellent conformality in nanoscale contact holes as well as on Si nanowires. Meanwhile, the Ni ALD was applied to area-selective ALD using octadecyltrichlorosilane (OTS) self-assembled monolayer as a blocking layer. Due to the differences of the nucleation on OTS modified surfaces toward ALD reaction, ALD Ni films were selectively deposited on un-coated OTS region, producing 3 ${\mu}m$-width Ni line patterns without expensive patterning process.
The supersonic flows around tandem cavities were investigated by two-dimensional and three-dimensional numerical simulations using the Reynolds-Averaged Navier-Stokes (RANS) equation with the k- ω turbulence model. The flow around a cavity is characterized as unsteady flow because of the formation and dissipation of vortices due to the interaction between the freestream shear layer and cavity internal flow, the generation of shock and expansion waves, and the acoustic effect transmitted from wake flow to upstream. The upwind TVD scheme based on the flux vector split with van Leer's limiter was used as the numerical method. Numerical calculations were performed by the parallel processing with time discretizations carried out by the 4th-order Runge- Kutta method. The aspect ratios of cavities are 3 for the first cavity and 1 for the second cavity. The ratio of cavity interval to depth is 1. The ratio of cavity width to depth is 1 in the case of three dimensional flow. The Mach number and the Reynolds number were 1.5 and $4.5{\times}10^5$, respectively. The characteristics of the dominant frequency between two- dimensional and three-dimensional flows were compared, and the characteristics of the second cavity flow due to the first cavity flow was analyzed. Both two dimensional and three dimensional flow oscillations were in the 'shear layer mode', which is based on the feedback mechanism of Rossiter's formula. However, three dimensional flow was much less turbulent than two dimensional flow, depending on whether it could inflow and outflow laterally. The dominant frequencies of the two dimensional flow and three dimensional flows coincided with Rossiter's 2nd mode frequency. The another dominant frequency of the three dimensional flow corresponded to Rossiter's 1st mode frequency.
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.60
no.2
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pp.344-348
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2011
A layer of $TiO_2$ thin film less than ~200nm in thickness, as a blocking layer, was deposited by 13.56 MHz radio frequency magnetron sputtering method directly onto the anode electrode to be isolated from the electrolyte in dye-sensitized solar cells (DSCs). This is to prevent the electrons from back-transferring from the electrode to the electrolyte ($I^-/{I_3}^-$). The presented DSCs were fabricated with working electrode of F:$SnO_2$(FTO) glass coated with blocking $TiO_2$ layer, dye-attached nanoporous $TiO_2$ layer, gel electrolyte and counter electrode of Pt-deposited FTO glass. The effects of blocking layer were studied with respect to impedance and conversion efficiency of the cells. The, electrochemical impedances of DSCs using this electrode were $R_1$: 13.9, $R_2$: 15.0, $R_3$: 10.9 and $R_h$: $82{\Omega}$. The $R_2$ impedance related by electron movement from nanoporous $TiO_2$ to TCO showed lower than that of normal DSCs. The photo-conversion efficiency of prepared DSCs was 5.97% ($V_{oc}$: 0.75V, $J_{sc}$: 10.5 mA/$cm^2$, ff: 0.75) and approximately 1% higher than general DSCs sample.
Kim, Woo-Su;Yoon, Cheol;Oh, Soon-Soo;Kang, Suk-Youb;Park, Hyo-Dal
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.14
no.5
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pp.1270-1276
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2010
In this paper, Quad-Band small antenna for GSM850, GSM900, DCS1800, DCS1900 is designed and fabricated. The antenna achieved the size reduction of over 67.9 % than the conventional PIFA(Planar Inverted-F Antenna) by using a MD(Magneto-Dielectric) material. A simple feeding microstrip line is used to feed the antenna from a $50{\Omega}$ coaxial line, which is capacitively coupled to the grounded patch structure for broadband characteristics. The impedance bandwidth the proposed antenna shows good results as broadband characteristics of 1341 MHz (801 ~ 2142 MHz) in VSWR < 3 (${\leq}\;-6\;dB$) and the gain is -6.67 ~ 4.25 dBi in the operating frequency.
Kim, Hyeon-Beom;Kim, Dong-Ho;Lee, Gun-Hwan;Kim, Kang-Ho
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.43
no.3
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pp.148-153
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2010
Transparent conducting films having a hybrid structure of GZO/Metal/GZO were prepared on glass substrates by sequential deposition using DC magnetron sputtering. Silver, copper, aluminum and zinc thin films were used as the intermediate metal layers in the hybrid structure. The electrical and optical properties of hybrid transparent conducting films were investigated with varying the thickness of metal layer or GZO layers. With increasing the metal thickness, hybrid films showed a noticeable improvement of the electrical conductivity, which is mainly dependent on the electrical property of the metal layer. GZO(40 nm)/Ag(10 nm)/GZO(40 nm) film exhibits a resistivity of $5.2{\times}10^{-5}{\Omega}{\cdot}cm$ with an optical transmittance of 82.8%. For the films with Zn interlayer, only marginal reduction in the resistivity was observed. Furthermore, unlike other metals, hybrid films with Zn interlayer showed a decrease in the resistivity with increasing the GZO thickness. The optimal thickness of GZO layer for anti-reflection effect at a given thickness of metal (10 nm) was found to be critically dependent on the refractive index of the metal. In addition, x-ray diffraction analysis showed that the insertion of Ag layer resulted in the improvement of crystallinity of GZO films, which is beneficial for the electrical and optical properties of hybrid-type transparent conducting films.
Cho, Bo Hwan;Kim, Seon Cheol;Mun, Sun Hong;Kim, Seung Tae;Ahn, Byung Tae
Current Photovoltaic Research
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v.3
no.1
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pp.32-38
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2015
CIGS solar cell consisted of various films. In this research, we investigated electrode materials in $Cu(In,Ga)Se_2$ (CIGS) cells, including Al-doped ZnO (ZnO:Al), intrinsic ZnO (i-ZnO), and Al films. The sputtered ZnO:Al film with a sputtering power at 200W showed the lowest series resistance and highest cell efficiency. The electrical resistivity of the 200-W sputtered ZnO:Al film was $5.2{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$ by the rapid thermal annealing at $200^{\circ}C$ for 1 min. The electrical resistivity of i-ZnO was not measurable due to its high resistance. But the optical transmittance was highest with less oxygen supply and high efficiency cell was achieved with $O_2/(Ar+O_2)$ ratio was 1% due to the increase of short-circuit current. No significant change in the cell performance by inserting a Ni layer between Al and ZnO:Al films was observed.
The role of nitric oxide (NO) in the hemorrhagic hypotension was examined using a NO synthase inhibitor, $N^{\omega}-nitro-L-arginine$ methyl ester (L-NAME), in conscious rats. The rats were bled at a constant rate (2 ml/kg/min) through a femoral arterial catheter until the mean arterial pressure (MAP) was reduced by 50 mmHg. We studied the responses to hemorrhage under normal condition (Control) and after the pretreatment with 3 doses of L-NAME (1.6, 8, 40 mg/kg i.v. of NOX1.6, NOX8, and NOX40, respectively). Intravenous bolus injection of L-NAME produced a sustained increase in MAP and decrease in heart rate (HR). During hemorrhage, the MAP fell faster in the NOX8 and NOX40-treated groups than in Control group, but the control group showed same response to NOX1.6. HR greatly increased in NOX groups. The recovery from hemorrhagic hypotension was slowed in the control group, which was not treated with L-NAME. In comparison with the control group, NOX8 and NOX1.6-treated groups registered a significant recovery in MAP during the 15 min recovery period, but NOX40 brought about only a slight increase in MAP. NO precursor, L-arginine (150 mg/kg i.v.), produced significant bradycardic responses before and after hemorrhage and significant depressor response only after hemorrhagic hypotension regardless of pretreatment with L-NAME. These data suggest that the role of NO in blood pressure regulation is greater after hemorrhagic hypotension than basal condition, but the effect of NO can be detrimental to the recovery from hemorrhagic hypotension. In addition, the bradycardic response of L-arginine provides indirect evidence that NO may inhibit sympathetic activity, especially after hemorrhagic hypotension.
Explosion and fire cause about 30 reported industrial major accidents a year by ignition source which discharge of electrostatic generated to flammable gas, vapor, dust and mixtures. It brings economically and humanly very large loss that accident was caused by fire and explosion from electrostatic discharge. Thus, it is very important that electrostatic discharge energy is to be control below not to be igniting flammable mixtures. There are two kinds of analysis model for electrostatic discharge, human body model and machine model. Human body model is available the parameter of human's electrical equivalent that capacitance is 100 pF, resistance is $1.5k{\Omega}$. To simulate and visualize the electrostatic discharge from human body need a very expensive and high voltage simulator. In this paper, we measured the value of capacitance and resistance concerned with test materials and sizing of specimen and the value of charged voltage concerned with test specimen and distance to develop an electrostatic charge/discharge simulating tool for teaching with which concerned industrial employee and students. The result of experiments, we conformed that the minimum ignition energy of methane-oxygen mixtures meets well the equation $W=1/2CV^2$, and found out that the insulating material and sizing of equivalent value having human body mode are the poly ethylene of 200 mm and 300 mm of diameter. Developed electrostatic charge/discharge simulating tool has many merits; simple mechanism, low cost, no need of electric power and so on.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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