Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.9
no.2
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pp.231-239
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1999
The microstructure of ceramic composite has been found to be governed by the type and amount of the secondary phase, the sintering aid, and the sintering conditions such as sintering temperature, pressure and holing time. Moreover, tribological properties are strongly dependent on microsturcture of composite and operating conditions. In this study, silicon nitride with various amount of magnesia as a sintering aid were prepared and sintered by a hot pressing (HP) technique. Microstructure, mechanical properties (hardness, strength, and fracture toughness), and tribological properties in different environments of $Si_{3}N_{4}$ (in air, water, and paraffine oil) were investigated as a function of MgO content in $Si_{3}N_{4}$. As increasing the amount of MgO in $Si_{3}N_{4}$, the glassy phase in the grain boundaries enlarged the $\beta$-phase elongated grains, and also degraded the Hertzian contact damage resistance. Tribological behaviors in air was seemed to be determined by fracture toughness of $Si_{3}N_{4}$, and those in water and paraffin oil was seemed to be determined by hardness as well as strength. Since glassy grain-boundary phase (MgO) in $Si_{3}N_{4}$ expected to be reacted with water during sliding, such tribochemical reaction reduced wear. In paraffin oil under a higher applied load, the initial sliding dominated wear rate because of Hertzian contact damage.
Proceedings of the Korea Association of Crystal Growth Conference
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2000.06a
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pp.151-163
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2000
A polymerized organic-inorganic complexation route is introduced for the synthesis of oxide ceramic powders. Polyvinyl alcohol was used as the organic carrier for precursor ceramic gel. Porous and soft powders, which have a high specific surface area, were obtained after calcinating the aerated precursors. The PVA content and its degree of polymerization had a significant influence on the homogeneity of the final powder. In particular, attrition milling process with the porous powder resulted in ultra-fine particles. In the case of the preparation of cordierite powder, nano-size powder, which has a high specific surface area of 181 ㎡/g, was obtained by the milling process. The complexation route was also applied to the synthesis of unstable phase in room temperature like beta-cristobalite, high temperature form of silica.
Directional solidification of Al-Ti peritetic alloys was carried out using Upward Continuous Casting Process. The morphology of a solid-liquid interface and solidification microstructures were investigated under various crystal growing conditions. The experimental results were compared with those attained by the Bridgman method. The cell spacing of the Al-Ti peritetic alloys and the primary dendrite arm spacing of the Al-Ti peritetic alloys decreased with an increase in pulling speed. The primary ${\beta}$ phase of the Al-Cr and Al-Ti peritectic alloys did not appear in solidification microstructures because of the depleted solute contents in the melt ahead of the solid-liquid interface.
Park, Mie-Hwa;Yoo, Hyun-Jun;Yun, Soon-Il;Lim, Eun-Ju;Lee, Kie-Jin;Cha, Deok-Joon;Lee, Young-San
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.17
no.6
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pp.641-646
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2004
We report the changes of the microwave reflection coefficients S$_{11}$ of copper(II)-phthalocyanine (CuPc) thin films by using a near-field microwave microscope(NSMM) in order to understand the phase transition of CuPc. For a NSMM system, a high-quality microstrip resonator coupled with a dielectric resonator was used. CuPc thin films were prepared on the pre-heated glass substrates using a thermal evaporation method. The reflection coefficients S$_{11}$ of CuPc thin films were changed by the dependence on the substrate pre-heating temperatures. By comparing reflection coefficient S$_{11}$ and crystal structures, we found the phase transition of CuPc thin films from $\alpha$-phase to $\beta$-phase at the substrate heating temperature 200 $^{\circ}C$./TEX>.
The crystal and defect structures of U $O_{x}$(x=2.0, 2.03, 2.14, 2.19, 2.20 and 2.26) were analysed by rietveld refinement and the results were compared to the U-O phase diagram. Neutron diffraction data were collected in the temperature range of RT~100$0^{\circ}C$. The specimens of x=2.14, 2.19, and 2.20 consisted of two phase: $UO_{2+x}$(Fm3m, a≒5.4$\AA$) and $U_4$$O_{9}$(I43d, a≒21.8$\AA$). The proportion of the $UO_{2+x}$(Fm3m) phase increased with increasing the temperature. The variation of the proportion of the two phases with temperature in the U $O_{2.2}$ and U $O_{2.18}$ samples showed some deviation from the expected values from the phase diagram especially at the high temperature range. The phase transitions ${\gamma}$longrightarrow$\beta$longrightarrow$\alpha$ of $U_4$$O_{9}$ were discussed in relation with the phase separation.eparation.ion.
Park, Su-Bin;Je, Tae-Wan;Jang, Hui-Yeon;Choi, Su-Min;Park, Mi-Seon;Jang, Yeon-Suk;Moon, Yoon-Gon;Kang, Jin-Ki;Lee, Won-Jae
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.32
no.4
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pp.121-127
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2022
β-Gallium oxide (Ga2O3), an ultra-wide bandgap semiconductor, has attracted great attention due to its promising applications for high voltage power devices. The most stable phase among five different polytypes, β-Ga2O3 has the wider bandgap of 4.9 eV and higher breakdown electric field of 8 MV/cm. Furthermore, it can be grown from melt source, implying higher growth rate and lower fabrication cost than other wide bandgap semiconductors such as SiC, GaN and diamond for the power device applications. In this study, β-Ga2O3 bulk crystals were grown by the edge-defined film-fed growth (EFG) process. The growth direction and the principal surface were set to be the [010] direction and the (100) plane of the β-Ga2O3 crystal, respectively. The spectra measured by Raman an alysis could exhibit the crystal phase an d impurity dopin g in the β-Ga2O3 ingot, and the crystallinity quality and crystal direction were analyzed using high-resolution X-ray diffraction (HRXRD). The crystal quality and various properties of as-grown β-Ga2O3 ribbon was systematically analyzed in order to investigate the spatial variation in entire crystal grown by EFG method.
Glass-ceramics were fabricated by heat-treatment of glass obtained by melting a coal bottom ash with $Li_2O$ addition. The main crystal grown in the glass-ceramics, containing 10 wt% $Li_2O$, was $\beta$-spodumene solid solution, while in $Li_2O$ 20 wt% specimen was mullite, identified using XRD. The activation energy and Avrami constant for crystallization were calculated and showed that bulk crystallization behavior will be predominant, and this expectation agreed with the microstructural observations. The crystal phase grown in $Li_2O$ 10 wt% glass-ceramics had a dendrite-like shaped whereas the shape was flake-like in the 20 wt% case. The thermal expansion coefficient of the $Li_2O$ 10 wt% glass-ceramics was lower than that of the glass having the same composition, owing to the formation of a $\beta$-spodumene phase. For example, the thermal expansion coefficient of $Li_2O$ 10 wt% glass-ceramics was $20\times10^{-7}$, which is enough for application in various heat-resistance fields. But above 20 wt% $Li_2O$, the thermal coefficient expansion of glass-ceramics, on the contrary, was higher than that of the same composition glass, due to formation of mullite.
The composites were fabricated 61vol.% $\beta-SiC$ and 39vol.% $TiB_2$ powders with the liquid forming additives of l2wt% $Al_2O_3+Y_2O_3$ by pressureless annealing at $1700^{\circ}C,\;1750^{\circ}C,\;1800^{\circ}C$ for 4 hours respectively. The result of Phase analysis of composites by XRD revealed $\alpha-SiC$(6H), $TiB_2$, and YAG($Al_5Y_3O_{12}$) crystal phase. The relative density and the Young's modulus showed the highest value of 92.9701% and 92.884Gpa for composites by pressureless annealing temperature $1700^{\circ}C$ at room temperature.
Lee, Seunghyun;Lee, Seoyoung;Jeong, Yongho;Lee, Hyojong;Ahn, Hyungsoo;Yang, Min
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.27
no.1
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pp.1-8
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2017
Catalytic synthesis and properties of ${\beta}-Ga_2O_3$ nanowires grown by metal organic chemical vapor deposition are reported. Au, Ni and Cu catalysts were suitable for the growth of $Ga_2O_3$ nanowires under our experimental conditions. The $Ga_2O_3$ nanowires grown by using Au, Ni and Cu catalysts showed different growth rates and morphologies in each case. We found the $Ga_2O_3$ nanowires were grown by the Vapor-Solid (VS) process when Ni was used as a catalyst while the Vapor-Liquid-Solid (VLS) was a dominant process in case of Au and Cu catalysts. Also, we found nanowires showed different optical properties depend on catalytic metals. On the other hand, for the cases of Ti, Sn and Ag catalysts, nanowires could not be obtained under the same condition of Au, Cu and Ni catalytic synthesis. We found that these results are related to the different characteristics of each catalyst, such as, melting points and phase diagrams with gallium metal.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.3
no.2
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pp.176-184
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1993
The glasses, which the $\beta$-spodumene as the principal crystalline phase could be precipitated, were melted by adding >, $P_2O_5, TiO_2, ZrO_2 in the Li_2O-Al_2O_3-SiO_2$ system. In order to achieve the glass-ceramic body of near-theoritical density by sintering method, the optimum condition of heat treatment, the effect of glass powder size and the properties were investigated by DTA, XRD, bulk density, thermal expansion and SEM. Addition of $P_20_5$ imProved the tendency of sintering and the sample with 9wt% $P_20_5$ content was the most dense OOdy by sintering method. The optimum condition of heat treatmemt was sintered for densitification at $740^{\circ}C$ and crystallized at $950^{\circ}C$. In the optimum condition, the relative density was above 90% and the thermal expansion was negative about $-1{\times}10^{-7}/^{\circ}C$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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