• 대한화학회지
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• 제16권6호
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• pp.373-377
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• 1972

미량 구리의 sodium diethyl dithiocarbamate의 chelate를 ethyl acetate로 추출하고 이 추출액을 구리(원자번호 29번)의 이웃원소인 아연(원자번호 30번) 분말에 흡착시켰다. 추출액을 날려보낸 뒤에 $250kg/cm^2$ 으로 압축성형하여 구리의 $K_{\alpha}2(2{\theta}_{LiF} = 45.08^{\circ})$에서 형광 X-선을 측정한 결과 구리 $10{\mu}g$까지 측정할 수 있었으며 표준물질첨가법에 의하여 상대오차를 ${\pm}10$%이내로 낮출수가 있었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제35권3호
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• pp.239-244
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• 1998

출발원료인 ferric nitrate와 ethylene glycol를 사용하여 iron complex를 제조하였으며 이를 $350^{\circ}C$ 이상의 온도에서 열처리하여 200nm 이하의 미세한 입자 크기를 갖는 ${\alpha}-Fe_2O_3$ 분말을 얻었다. 또한 열분석 X-선 회절 분석 및 적외선 분광 분석을 통하여 제조된 iron complex의 분해 mechanism에 대하여 조사하였고, 출발원료의 조성비 및 반응온도에 따른 입자 크기 및 형상의 변화 양상을 전자현미경 분석과 비표면적 분석을 통하여 조사하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제25권6호
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• pp.245-251
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• 2015

본 연구에서는 $Fe_2O_3$-Mg계 혼합분말을 사용하여 연자성 복합재료를 제조하기 위하여 기계적 합금화법(MA)을 적용하였다. 초미세 조직을 가진 연자성 ${\alpha}$-Fe/MgO 복합재료를 얻기 위하여 X선 회절, 열분석 및 자기특성 측정을 통하여 최적 볼밀조건 및 열처리 조건을 조사하였다. $Fe_2O_3$와 순금속 Mg의 혼합분말을 30분 동안 MA 처리한 결과. ${\alpha}$-Fe 기지에 MgO가 분산된 ${\alpha}$-Fe/MgO 복합분말을 얻을 수 있었다. MA 분말시료의 자화값은 볼밀처리 시간에 따라 증가하여 MA 5시간 시료에서 69.5 emu/g의 최대값이 관찰되었다. 또한 MA 처리에 의하여 ${\alpha}$-Fe의 결정립 미세화와 함께 보자력이 증가하는 자기경화 현상이 관찰되었다. MA 분말시료의 벌크화를 위하여 소결온도 $800{\sim}1000^{\circ}C$, 압력 60 MPa에서 SPS 소결을 실시하였다. X선 회절 결과로부터, 5시간 MA 처리한 분말을 $800^{\circ}C$에서 SPS 소결시킨 ${\alpha}$-Fe/MgO 연자성 복합재료의 경우 ${\alpha}$-Fe상 평균 결정립 크기가 110 nm임을 알 수 있었다.

• 센서학회지
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• 제13권4호
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• pp.282-286
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• 2004

${\alpha}-Fe_{2}O_{3}$ films were prepared by ultrasonic spray pyrolysis (USP) on $SiO_{2}$ coated Si wafers using iron acetylacetonate as an iron precursor. The crystallographic properties and surface morphologies of the films were characterized by X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM), respectively. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) was carried out to determine the Fe oxidation states. In order to observe stability of the films to temperature, the resistance variation of the films with an ambient temperature was measured. The effects of substrate temperature on the structural and electrical properties of the ${\alpha}-Fe_{2}O_{3}$ films were studied. The films were densified from the substrate temperature of $350^{\circ}C$. The grain size of the films grown at $400^{\circ}C$ was shown to be increased abruptly comparing with that of $350^{\circ}C$. The films showed a low resistance variation between the ambient temperature of $300^{\circ}C$ and $350^{\circ}C$.

• 한국결정성장학회지
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• 제17권2호
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• pp.52-56
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• 2007

본 연구에서는 초고진공(UHV, ultra high vacuum) 분자선 에피성장(MBE, molecular beam epitaxy) 시스템을 제작하여, ZnSe/GaAs[001]을 증착하였고, 증착된 박막의 특성을 SEM(scanning electron microscopy), AFM(atomic force microscopy)으로 조사하여, 분자층 단위의 조밀하고 균일한 표면특성을 보이고 있음을 확인할 수 있었다 XRD(x-ray diffractometer)를 이용하여, GaAs[001]기판의 XRD peak 위치와 ZnSe 박막의 XRD peak 위치가 각자 일치함을 확인할 수 있었다. PL(photoluminescence)로는 대략 437nm에서 발광하는 것이 관측되었으며, 2인치 ZnSe 박막의 PL mapping을 측정하였다.

• 한국주조공학회지
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• 제26권2호
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• pp.85-91
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• 2006

Inclusions in Ti investment castings are generally known to have detrimental effects on the performance of the castings. However, actual inclusions are infrequent and hard to be located. As a result, it is extremely difficult to obtain sufficient amount of fatigue test specimens of titanium investment castings having inclusions in the gage section. Thus, in-depth research of the adverse influence of inclusions is also hindered. To address this problem, a new casting methodology of specimens containing hard alpha inclusions was developed in this study. To guarantee successful introduction of an inclusion and casting, a carefully designed mold with 8 legs and a special tool were employed. After solidification, castings were cut, and X-ray radiography determined that the inclusions were successfully incorporated into the castings. The castings were further prepared to obtain multiple test specimens and they were fatigue-tested consecutively. Fractography analysis confirmed that fatigue cracks initiated at the hard alpha inclusion. In a nonlinear regression model, the fatigue life can be modeled as an exponential function with a negative exponent of the cross-sectional area of an inclusion. The fatigue life of Ti specimens containing inclusions is inversely proportional to the cross-sectional area of an inclusion.

• 한국주조공학회지
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• 제18권6호
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• pp.550-554
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• 1998

The microstructures of rapidly solidified binary Ti-Al alloys containing $45{\sim}58\;at%Al$ have been studied using C/S (carbon/sulfur), N/O (nitrogen/oxygen) analyser, X-ray fluorescence spectrometer (XRF), X-ray diffractometer (XRD), optical microscope (OM) and scanning electron microscope (SEM). The phases present in the alloys and their distribution were found to be a sensitive function of Al content. Essentially single-phase (${\gamma}$) microstructures were observed to alloys with 45 at%Al, 55 at%Al and 58 at%Al. In other content alloys, two phase (${\alpha}_2$, ${\gamma}$) microstructures were observed. The 48 at%Al, 52 at%Al alloys contain (${\gamma}+{\alpha}_2$) phase and ${\alpha}_2$ phase. These results indicate that rapid solidification affect the solidification path, then metastable phase forming during solidification.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.256-256
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• 2008

We report epitaxial growth of ZnO thin films on (100) single-crystalline $LaAlO_3$ (LAO) substrates using pulsed laser deposition (PLD) at different substrate temperatures (400~$800^{\circ}C$). The structural and electrical properties of the films have been investigated by means of X-ray diffraction (XRD), atomic force microscope (AFM), transmission line method (TLM). The poly-crystalline of $\alpha$- and c-axis oriented ZnO film was formed at lower deposition temperature ($T_s$) of $400^{\circ}C$. At higher $T_s$, however, the films exhibit single-crystalline of $\alpha$-axis orientation represented by ZnO[$\bar{1}11$ || LAO <001>. The electrical properties of ZnO thin films depend upon their crystalline orientation, showing lower electrical resistivity values for $\alpha$-axis oriented ZnO films.

• 한국결정학회지
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• 제8권1호
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• pp.20-25
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• 1997

고분해도의 X-선 산란을 위해 두 실험 방법이 개발됐다. 그 방법들은 (1) 2-결정 회절 스펙트로메터 (DCD)설치와 (2) 3-결정 회절 스펙트로메터 (TCD) 설치였다. Si(511)-시료(hkl)의 DCD배열로 Si(333), Si(004), GaAs(004)의 rocking curve를 그렸다. 또한 단일체 단색 평행기와 $K_{\alpha1}$ 선택기를 포함하는 Si(111)-Si(111)-Si(511)-sample(hkl)의 TCD배열로 Si(333), Si(004) 그리고 GaAs(004)의 rocking curve를 그렸다. DCD와 TCD에 의한 rocking curve의 FWHM의 차이가 논의됐다. DCD에 의한 $In_{0.037}Ga_{0.0963}As/GaAs$의 (004) 및 (115) 반사 토포그라프가 행해졌다.

• Radiation Oncology Journal
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• 제27권4호
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• pp.218-227
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• 2009

목 적: 전립샘암 세포주 DU 145에서 엑스선과 중성자선에 의한 HIF-$1\alpha$와 아포프토시스 발현의 차이를 비교함으로써 엑스선과 중성자선의 방사선생물학적 차이의 기전을 알아보고자 한다. 대상 및 방법: 누드 마우스에 DU 145 전립샘암 세포주를 주입한 후 2 Gy 엑스선, 10 Gy 엑스선, 0.6 Gy 중성자선, 3.3 Gy 중성자선을 각각 조사했다. 엑스선을 조사한 군과 중성자선을 조사한 군에서 HIF-$1\alpha$, Bcl-2, Bax, 아포프토시스 발현 정도를 면역조직화학 염색과 western blotting을 이용하여 비교하였다. 아포토시스의 정도는 terminal deoxynucleotidyl biotin-dUTP nick end labeling (TUNEL) 염색을 이용하여 비교하였다. 결 과: 방사선 조사 1일째, X선을 조사한 군과 비교했을 때, 중성자선을 조사한 군에서 HIF-$1\alpha$와 Bcl-2의 발현은 감소하였고, Bax와 아포프토시스 세포의 수는 증가하였다. Bcl-2/Bax 비는 중성자선을 조사한 군에서 의미 있게 감소하였다. 이러한 HIF-$1\alpha$, Bcl-2, Bax, Bcl-2/Bax 비, 아포프토시스 발현의 차이는 방사선 조사 5일째에도 동일하게 유지되어 나타났다. 또한, HIF-$1\alpha$ 발현은 방사선 조사 5일째 Bcl-2 (p=0.031), Bax (p=0.037), TUNEL (p=0.016) 발현과 연관성을 보였다. 결 론: 중성자선 조사한 경우 엑스선에 비해 HIF-$1\alpha$와 Bcl-2 발현, Bcl-2/Bax 비가 감소하고, Bax 발현은 증가하였다. 중성자선 치료의 광자선과 다른 방사선생물학적인 반응은 HIF-$1\alpha$와 그로 인한 아포프토시스 관련 단백질 발현의 차이와 연관성이 있을 것으로 생각한다.