A total of 616 observations (308 in B, 308 in V) to. V523 Cas was made on three nights from October 19 to 21 in 1999 using the 1.8m telescope with 2K CCD camera of the Bohyunsan Optical Astronomy Observatory of KAO. With our data we constructed the BV light curves and determined 4 times of minimum light. We also obtained physical parameters of the system by combined analysis of both light and radial velocity curves using the Wilson-Devinney code.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
/
v.17
no.11
/
pp.1167-1173
/
2004
This paper reports the variations of varistor voltage, nonlinear exponent, leakage current, and dissipation factor against surge stress of ZnO-P $r_{6}$$O_{11}$-CoO-C $r_2$$O_3$-E $r_2$$O_3$(ZPCCE)-based varistors manufactured with the variations of sintering temperature. It was found that the variations of electrical parameters against surge stressing current of 100 A/$\textrm{cm}^2$(8x20 ${\mu}\textrm{s}$) is not so large under the surge stress of 700 times. Among varistors, specially the varistor sintered at 134$0^{\circ}C$ exhibited the smallest variations, with %$\Delta$$V_{lmA}$=+0.23%, %$\Delta$$\alpha$=+0.23%, %$\Delta$$I_{L}$=0%, %$\Delta$tan$\delta$=-6.94%. The clamping voltage ratio( $V_{c}$/ $V_{lmA}$) of all varistors was less than 2.2.2.2.2.2.2.
Characteristics of delta-V requirements for deploying an impactor from a mother-ship at different orbital altitudes are analyzed in order to prepare for a future lunar CubeSat impactor mission. A mother-ship is assumed to be orbiting the moon with a circular orbit at a 90 deg inclination and having 50, 100, 150, 200 km altitudes. Critical design parameters that are directly related to the success of the impactor mission are also analyzed including deploy directions, CubeSat flight time, impact velocity, and associated impact angles. Based on derived delta-V requirements, required thruster burn time and fuel mass are analyzed by adapting four different miniaturized commercial onboard thrusters currently developed for CubeSat applications. As a result, CubeSat impact trajectories as well as thruster burn characteristics deployed at different orbital altitudes are found to satisfy the mission objectives. It is concluded that thrust burn time should considered as the more critical design parameter than the required fuel mass when deducing the onboard propulsion system requirements. Results provided through this work will be helpful in further detailed system definition and design activities for future lunar missions with a CubeSat-based payload.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
/
2004.05b
/
pp.142-145
/
2004
In this paper, we researched the dielectric properties and voltage dependence on slice XLPE sheet from 22[kV] and 154[kV] power cable. studied effect for impurities and water for semiconductive shied through a dielectric properties experiment to estimate performance of insulating material in power cable. Capacitance and $tan{\delta}$ of 22[kV], 154[kV] were 52/42 pF and $7.4{\times}10^{-4}$, $2.1510^{-4}$, respectively. In these results, the trend was increased with the increase of temperature. The $tan{\delta}$ of XLPE/semiconductive layer and XLPE/water/semiconductive layer were increased as compared with that of XLPE. dielectric properties reliability of $tan{\delta}$ was small.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
/
v.19
no.12
/
pp.1085-1091
/
2006
The microstructure, electrical properties, and its stability of (Pr, Co, Cr, La)-doped ZnO varistors were investigated at different sintering temperatures in the range of $1230{\sim}1300^{\circ}C$. As the sintering temperature increased, the sintered density increased from 5.50 to $5.77g/cm^3$, the varistor voltage decreased from 777.9 to 108.0 V/mm, the nonlinear coefficient decreased from 77.0 to 7.1, and the leakage current increased from $0.4{\mu}A\;to\;50.6{\mu}A$. On the other hand, the donor concentration increased from $0.90{\times}10^{18}\;to\;2.59{\times}10^{18}/cm^3$ and the barrier height decreased from 1.89 to 0.69 eV with increasing temperature. The stability of nonlinear electrical properties was obtained from sintering temperature of $1260^{\circ}C$. The varistors sintered at $1260^{\circ}C$ marked the high electrical stability, with $%{\Delta}V_{1mA}=+1.9%,\;%{\Delta}a=10.6%,\;and\;%{\Delta}I_L=+20%$ for DC accelerated aging stress state of $0.95V_{1mA}/150^{\circ}C/24h$.
In this paper, we investigate the fractional p&q-Kirchhoff type system $$\{M_1([u]^p_{s,p})(-{\Delta})^s_pu+V_1(x){\mid}u{\mid}^{p-2}u\\{\hfill{10}}={\ell}k^{-1}F_u(x,\;u,\;v)+{\lambda}{\alpha}(x){\mid}u{\mid}^{m-2}u,\;x{\in}{\Omega}\\M_2([u]^q_{s,q})(-{\Delta})^s_qv+V_2(x){\mid}v{\mid}^{q-2}v\\{\hfill{10}}={\ell}k^{-1}F_v(x,u,v)+{\mu}{\alpha}(x){\mid}v{\mid}^{m-2}v,\;x{\in}{\Omega},\\u=v=0,\;x{\in}{\partial}{\Omega},$$ where ${\Omega}{\subset}{\mathbb{R}}^N$ is an unbounded domain with smooth boundary ${\partial}{\Omega}$, and $0<s<1<p{\leq}q$ and sq < N, ${\lambda},{\mu}>0$, $1<m{\leq}k<p^*_s$, ${\ell}{\in}R$, while $[u]^t_{s,t}$ denotes the Gagliardo semi-norm given in (1.2) below. $V_1(x)$, $V_2(x)$, $a(x):{\mathbb{R}}^N{\rightarrow}(0,\;{\infty})$ are three positive weights, $M_1$, $M_2$ are continuous and positive functions in ${\mathbb{R}}^+$. Using variational methods, we prove existence of infinitely many high-energy solutions for the above system.
The stochiometric mix of evaporating materials for the $CdGa_2Se_4$ single crystal thin films was prepared from horizontal furnace. To obtain the single crystal thin films, $CdGa_2Se_4$ mixed crystal was deposited on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by the Hot Wall Epitaxy (HWE) system. The source and substrate temperature were $630^{\circ}C$ and $420^{\circ}C$, respectively. The crystalline structure of single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction (DCXD). The carrier density and mobility of $CdGa_2Se_4$ single crystal thin films measured from Hall effect by van der Pauw method are $8.27{\times}10^{17}cm^{-3}$, $345\;cm^2/V{\cdot}s$ at 293 K, respectively. From the photocurrent spectrum by illumination of perpendicular light on the c-axis of the $CuInSe_2$ single crystal thin film, we have found that the values of spin orbit splitting ${\Delta}So$ and the crystal field splitting ${\Delta}Cr$ were 106.5 meV and 418.9 meV at 10 K, respectively. From the photoluminescence measurement on $CdGa_2Se_4$ single crystal thin film, we observed free excition ($E_x$) existing only high quality crystal and neutral bound exiciton ($D^{\circ}$, X) having very strong peak intensity. Then, the full-width-at -half-maximum(FWHM) and binding energy of neutral donor bound excition were 8 meV and 13.7 meV, respectivity. By Haynes rule, an activation energy of impurity was 137 meV.
This paper presents an incremental delta-sigma analog-to-digital converter (ADC) for a single-electrode capacitive touch sensor. The second-order cascade of integrators with distributed feedback (CIFB) delta-sigma modulator with 1-bit quantization was fabricated by a $0.18-{\mu}m$ CMOS process. In order to achieve a wide input range in this incremental delta-sigma analog-to-digital converter, the shielding signal and the digitally controlled offset capacitors are used in front of a converter. This circuit operated at a supply voltage of 2.6 V to 3.7 V, and is suitable for single-electrode capacitive touch sensor for ${\pm}10-pF$ input range with sub-fF resolution.
Mono-oxo-bridged binuclear molybdenum(V) complex, $[Mo_2O_3(Phen)_2(NCS)_4]$ produces di-oxo-bridged binuclear molybdenum(V) complex, $[Mo_2O_4(Phen)_2(NCS)_2]$ in water + co-solvent, where the co-solvent are acetone, acetonitrile and N,N-dimethylformamide. The rate of conversion of $[Mo_2O_3(Phen)_2(NCS)_4]\;into\;[Mo_2O_4(Phen)_2(NCS)_2]$ has been measured by spectrophotometric method. Temperature was $10^{\circ}C$ to $40^{\circ}C$ and pressure was varied up to 1500 bar. The rate constants are increased with increasing water mole fraction and decreased with increasing concentration of hydrogen ion. The order of oxygen ring formation reaction rate in various cosolvent is as follows, ACT > AN > DMF which is agreed with solvent dielectric constants. The observed negative activation entropy ($[\Delta}S^{\neq}$), activation volume($[\Delta}V^{\neq}$) and activation compressibility coefficient(${\Delta}{\beta}^{\neq}$) values show that the solvent water molecule is strongly attracted to the complex at transition state. From these results, the oxygen ring formation reaction of $[Mo_2O_3(Phen)_2(NCS)_4]$ is believed association mechanism.
Yong Woon Shin;Hyun Sook Baek;Jae-Kyung Yang;Jineun Kim;Moo Lyong Seo
Journal of the Korean Chemical Society
/
v.47
no.2
/
pp.121-126
/
2003
Tris(2-cyclohexylaminoethyl)amine (L) was synthesized by the Schiff base condensation reaction of tris(2-aminoethyl)amine with cyclohexanone, followed by reduction. The thermodynamic characteristics, mole ratio and formation constant of [Zn(II)-L] complex were measured by the cyclic voltammetry and isothermal titration. In the case of Zn(II), well-defined cathodic and anodic peak were obtained at -1.02V and -0.48V vs Ag/AgCl , respectively. For the [Zn(II)-L] complex, both peaks were obtained at -1.19V and -0.45V vs Ag/AgCl, respectively. In addition, the peak height gradually increases as the scan rate increases, suggesting that the currents obtained were diffusion - controlled. The mole ratio and stability constant of the complex measured cyclic voltammerty were 1:1 and logK$_f$= 5.8, respectively. And the mole ratio and stability constant of the complexe calculated by isothermal titration method was 1:1 and logK =5.4, respectively. ${\Delta}$H, ${\Delta}$G and T${\Delta}$S for the complex formation were -53.0 kJ/mol, -31.1 kJ/mol, and -21.9 J/K at 25 ${\circ}$C, respectively.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.