• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
• /
• pp.180-180
• /
• 2010

The design and implementation of high rate deposition process and anti-scratch property of silicon oxide film by PECVD with UHF power were investigated according to the effect of UHF input power with HF bias. New regime of high rate deposition of SiOx films by hybrid plasma process was investigated. The dissociation of OMCTS (C8H24Si4O4) precursor was controlled by plasma processes. SiOx films were deposited on polyethylene terephthalate (PET) and polycarbonate substrate by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) using OMCTS with oxygen carrier gas. As the input energy increased, the deposition rate of SiOx film increased. The plasma diagnostics were performed by optical emission spectrometry. The deposition rate was characterized by alpha-step. The mechanical properties of the coatings were examined by nano-indenter and pencil hardness, respectively. The deposition rate of the SiOx films could be controlled by the appropriate intensity of excited neutrals, ionized atoms and UHF input power with HF bias at room temperature, as well as the dissociation of OMCTS.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
• /
• 한국표면공학회 2012년도 춘계학술발표회 논문집
• /
• pp.170-171
• /
• 2012

$Fe_2O_3$, Al, Cr과 Si 분말을 고 에너지 볼 밀링해서 나노분말을 제조한 후 고주파유도 가열 활성 연소합성 장치로 1분 이내의 짧은 시간에 합성 및 소결한 $Al_2O_3+4.65(Fe_{0.43}Cr_{0.17}Al_{0.323}Si_{0.077})$, $Al_2O_3$ + 5.33 ($Fe_{0.375}Cr_{0.11}Al_{0.3}Si_{0.075}$), $Al_2O_3$ + 6.15 ($Fe_{0.325}Cr_{0.155}Al_{0.448}Si_{0.072}$), $Al_2O_3$ + 3.3 ($Fe_{0.6}Cr_{0.3}Al_{0.6}$) 소결체 시편을 $700^{\circ}C$의 온도에서 100시간 동안 공기 중에서 산화 및 $N_2-H_20-H_2S$ 혼합 가스 내에서 황화 부식을 실시하였다. 그 결과 산화 및 황화 부식 후에 ${\alpha}-Al_2O_3$가 표면에 생성되어 보호 피막으로 작용하여 우수한 내식성을 보였다.

• 한국재료학회지
• /
• 제25권7호
• /
• pp.330-335
• /
• 2015

A low thermal expansion ceramic, cordierite ($2MgO{\cdot}2Al_2O_3{\cdot}5SiO_2$), was synthesized using pyrophyllite. Pyrophyllite usually consists of $SiO_2$ and $Al_2O_3$, which are the main components of cordierite. $MgCO_3$ and $Al(OH)_3$ were added in various amounts to pyrophyllite and fired for synthesis and sintering. ${\alpha}$-cordierite crystallized from $1000^{\circ}C$ with mixing of 20 wt% $MgCO_3$ and 1.7 wt% $Al(OH)_3$, and un-reacted cristobalite was also detected with the cordierite. As the temperature was increased to $1400^{\circ}C$, the cordierite yield was gradually increased. Powder compacts of the synthesized cordierite were sintered between $1250^{\circ}C{\sim}1400^{\circ}C$; the sintered samples showed a low thermal expansion coefficient of $2.1{\times}10^{-6}/^{\circ}C$ and typical sintering behavior. It is anticipated that it will be possible to synthesize cordierite ceramics on a mass production scale using the mineral pyrophyllite.

• 생명과학회지
• /
• 제21권9호
• /
• pp.1301-1309
• /
• 2011

비만은 중성지방이 체내에 과잉으로 축적되어 지방 본래의 에너지 저장과 대사조절의 기능을 정상적으로 하지 못하는 상태를 말한다. 본 연구진은 siRNA 방법을 이용하여 Wingless-type MMTV integration site (WNT)/${\beta}$-catenin pathway에 의한 지방축적 조절에서 중요한 역할을 하는 유전자를 확인하고자 하였다. WNT/${\beta}$-catenin pathway에 속한 유전자 중 ${\beta}$-catenin을 siRNA기법을 통하여 knock down 한 후 adipogenesis의 핵심 조절자인 peroxisome proliferator-activated receptor (PPAR)${\gamma}$, CCAAT/enhancer binding protein (C/EBP)${\alpha}$의 mRNA와 단백질 발현 변화를 확인해 보았다. 그 결과 ${\beta}$-catenin유전자의 knock down에 의하여 PPAR${\gamma}$, CEBP${\alpha}$의 유전자 및 단백질 발현이 유의하게 증가함을 확인하였다. WNT/${\beta}$-catenin pathway에서 ${\beta}$-catenin의 상위 조절자인 LRP6와 DVL2의 knock down에 의한 adipogenesis 조절 유무를 분석하였으나 유의적인 영향을 미치지 못하는 것으로 발견되었다. 이는 ${\beta}$-catenin이 상위 조절자들의 영향을 받기 보다는 독립적인 기작으로 PPAR${\gamma}$, CEBP${\alpha}$의 mRNA, 단백질 발현의 조절함으로써 adipogenesis의 negative regulator의 기능을 하는 것으로 판단된다. 또한 290명의 한국인을 대상으로 비만의 대표적인 표지인자인 혈중 중성지방 농도와 혈중 콜레스테롤 농도에 대한 ${\beta}$-catenin 유전자의 단일염기다형성(SNP)과의 연관성을 통계 분석해보았다. 그 결과 프로모터 부분에 위치한 4종류의 SNP 중에서 transcription개시 지점으로부터 -10,288위치에 존재하는 C>T polymorphism인 rs7630377이 유의하게 혈중 중성지방 농도와 연관성이 있음을 확인할 수 있었다. 본 연구의 결과는 ${\beta}$-catenin이 세포 수준에서 뿐 아니라 인체에서도 지방축적에 유의적인 영향을 미치고 있음을 제시하고 있다.

• 자원리싸이클링
• /
• 제19권5호
• /
• pp.31-43
• /
• 2010

석탄가스화 복합발전 시스템의 집진설비용 다공성 탄화수소 캔들 필터 제조를 위해 래밍성형과 진공 압출성형 공정에 외해 캔들필터 성형체를 제조하였다. 다양한 입도를 갖는 탄화규소 분말을 출발원료로 하였으며, 비점토계 무기 소결조제로 뮬라이트와 칼슘 카보네이트 분말을 사용하였다. 래밍성형과 진공 압출성형에 의한 캔들 필터 성형체들은 대기 분위기 $1400^{\circ}C$에서 2시간 소성하여 제조하였다. 캔들 필터 성형공정과 출발원료 입도가 소결된 다공성 캔들 필터 지지층의 기공율, 밀도, 강도 (굽힘강도, 압축강도)와 미세구조에 미치는 영향을 조사하였다. 래밍성형 공정에 외한 제조원 다공성 탄화규소 캔들 필터 소결체가 압출성형된 필터에 비해 높은 밀도 및 강도를 나타내고 있었으며, 그 최고 값은 각각 $2.0\;g/cm^3$과 45 MPa이었다. 한편 캔들 필터 지지층의 장기 내식성 평가 예측을 위하여 소결된 시편에 대해 석탄가스화 복합발전 $600^{\circ}C$의 모사 합성가스 분위기에서 2400시간 부식실험을 수행하였다.

• 한국자기학회지
• /
• 제17권5호
• /
• pp.198-204
• /
• 2007

비정질 FeCuNbSiB 리본 합금의 파쇄분말을 $1{\sim}3\;{\mu}m$의 두께로 편상화한 다음, $375{\sim}525^{\circ}C$의 온도범위에서 1 h 동안 열처리한 후 폴리머 중에 분산시켜 준마이크로파 대역의 전자파 노이즈 억제용 복합 시트를 제조하였다. 이 때 어닐링 온도가 복합 시트의 전자파 전송손실(전력손실)에 미치는 영향을 조사한 결과, $425{\sim}475^{\circ}C$에서 열처리하여 부분 나노결정 구조를 얻었을 때 가장 높은 전력손실 값을 나타내었으며, ${\alpha}-Fe$상으로 결정화 정도를 더 높여 보다 우수한 연자성을 얻게 되는 $525^{\circ}C$에서의 열처리에 의해서는 오히려 전력손실 특성이 저하되었다. 이와 같은 전자파 흡수 특성의 어닐링 온도 의존성은 각각 $425{\sim}475^{\circ}C$에서 나타나는 높은 복소 투자율의 허수항(${\mu}"$) 및 $525^{\circ}C$에서의 큰 투과 파라미터($S_{21}$)에 그 주된 원인이 있는 것으로 판단되었다. 한편 열처리하지 않은 비정질 상태에서는 ${\mu}"$ 값이 작아 매우 낮은 전력손실을 나타내었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 1998년도 제14회 학술발표회 논문개요집
• /
• pp.24-24
• /
• 1998

반도체장비를 포함하는 초고진공장비의 園훌化가 급속히 그리고 절실히 요구되고 있는 것이 현실정이다. 當面해서 실현할 국산진공장비의 대상은 廣範圍하다. 즉, 각종 진공 pump ( (rotary, dry, diffusion, cryo, ion, turbo melecular pump), 진공 chamber, 진공 line, gate valve 를 위 시 한 진공 V머ve, flange, gasket, fl않d야lU, mainpulater 퉁 진공 部品이 다. 진공계 의 핵심 은 適切하고 優良한 진공재료의 선태파 사용이다. 진공장비는 사용자가 원하는 진공도를 원하 는 시간 동안 륨空度를 유지해 주어야 한다. 진공재료 선태의 기준사항은:(1) 기체의 透過성 (2) 薰했훌 (3) 혔體放出특성 - -outgassing과 degassing- (4) 機械的 량훌度 (5) 온도 의존성 (6) 化學톡성 (7) 加I성 및 鎔接 성 (8) 課電특성 (9) 磁氣특성 (10) 高速함子 및 放射線 특성 (11) 經濟성 및 調達생 둥이 다. 우량한 초고진공계재료는 풍부하게 개발되어 왔고, 또 新材料들이 개발되고 있다. 여기에서는 주로 초고진공 내지는 극고진공계의 構造材料, 機能材料, 部品材料 일반파 몇가지 신재료의 특 성에 관해서 記述한다. M Mild SteeHSAE, 1112, 1010, 1020, 1022, etc)., S Stainless SteeHAlSI, 304, 304L, 310, 316, 321, 347): 구조재료, chamber, fl하1ges A Aluminum과 Alloys (1060, 1100, 2014, 4032, 6(뻐1): 구조재료, chamber, flanges, gaskets A AI, Al 떠loy는 SS에 代替하는 역 할올 시 작하고 있다. C Copper, Copper Alloys(C11$\alpha$)0, C26800, C61400, Cl7200): 내장인자, gasket, cryopanel, tubing T Titanium, Ziriconium, Haf띠um 및 Alloys: 특히 Ti은 10n pump 용 getter material 이 외 에 U UHV,XHV용 chamber계로서 관심올 끌고 있다. N Nickel, Nickel Alloys (200, 204, 211, monel, nichrome): 부식 방지 , 전자장치 , 자기 장치 귀 금속(Ag, Au, Pt, Pd, Rh, Ir, Os, Ru): 보조부품, gasket, filament, coating, thermocouple, 접 합부위 T TiC, SiC, zrC, HfC, TaC 둥의 탄화물과, BN, TiN, AlN 동의 질화물, 붕화물이 둥장하고 었 다. 유리: Soda Lime, Borosilicate, Potash Soda Lead: View Port, Chamber envelope C Ceramics: AlZ03, BeO, MgO, zrOz, SiOz, MgOzSiOz, 3Alz032SiOz, Z$textsc{k}$hSiOz S상N4: e electrical, thermal insulators, crucibles, boats, single crystals, sepctr려 windows 저자는 최근 저자들이 발견한 Zr-Ti-Cu-Ni-Be amorphous alloys coated cham뾰r가 radiation p proof로 이용될 수 있는 사실을 점검하고 었다 .. Z.Y. Hua 들은 Cs3Sb를 새로운 photocathode 재료로 보고하고 있다.

• 한국진공학회지
• /
• 제2권4호
• /
• pp.439-454
• /
• 1993

The phase sequence of codeposited Co-Si alloy and Co/si multilayer thin film was investigated by differential scanning calormetry(DSC) and X-ray diffraction (XRD) analysis, The phase sequence in codeposition and codeposited amorphous Co-Si alloy thin film were CoSilongrightarrow Co2Si and those in Co/Si multilayer thin film were CoSilongrightarrowCo2Silongrightarrow and CoSilongrightarrowCo2Si longrightarrowCoSilongrightarrowCoSi2 with the atomic concentration ration of Co to Si layer being 2:1 and 1:2 respectively. The observed phase sequence was analyzed by the effectvie heat of formatin . The phase determining factor (PDF) considering structural facotr in addition to the effectvie heat of formation was used to explain the difference in the first crystalline phase between codeposition, codeposited amorphous Co-Si alloy thin film and Co/Si multilayer thin film. The crystallinity of Co-silicide deposited by multitarget bias cosputter deposition (MBCD) wasinvestigated as a funcion of deposition temperature and substrate bias voltage by transmission electron microscopy (TEM) and epitaxial CoSi2 layer was grown at $200^{\circ}C$ . Parameters, Ear, $\alpha$(As), were calculate dto quantitatively explain the low temperature epitaxial grpwth of CoSi2 layer. The phase sequence and crystallinity had a stronger dependence on the substrate bias voltage than on the deposition temperature due to the collisional daxcade mixing, in-situ cleannin g, and increase in the number of nucleation sites by ion bombardment of growing surface.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 1998년도 제14회 학술발표회 논문개요집
• /
• pp.109-109
• /
• 1998

최근 들어 MOCVD 법으로 성장시킨 GaN, InGaN, AIGaN를 이용한 광소자 ( (LED, LD)와 전자소자(FET, MODFET)에 대한 관심이 고조되면서, MOCVD 법 을 이용한 GaN 중심의 질화물 반도체 성장에 관심이 집중되고 있다. 금번 실험에 사용된 MOCVD 장비는 수직형 MOCVD 장비이다. 특히, wafer c carner를 1$\alpha$)() rpm이상의 고속으로 회전시킬 수 있는 장치로서 원료 가스의 반웅 기 내에서의 흐름을 균일하게 하여 uniformity가 높은 질화물 반도체를 성장시킬 수 있다 .. GaN 에피충은 c-plane 사파이어를 기판으로 하여 11 00 "C 이상의 고온 에서 수소를 이용하여 기판을 cleaning하고, 500 "C 부근에서 핵생성충올 성장시 킨 후 1050 "C에서 trimethylgallium(TMGa)과 NI-h를 이용하여 성장시켰다. n n -GaN를 성장시키기 위해서는 SiH4을 사용하였으며, InGaN의 경우는 t trimethylindium(TMIn)을 In원 료 가스로 하여 635 - 725 "C 범 위 에 서 성 장시 켰 다. 성 장된 undoped GaN, n-GaN, InGaN는 X -ray di잔raction(XRD), H떠l m measurement, Photoluminescence(PU동올 이용하여 결정성과 전기적 및 광학적 특성올 고찰하였다 .. 2ttm 두께로 성장된 undoped G값V박막의 경우 Hall 측정결과 6 6 X lOI6/e며 정도의 낮은 도핑 농도를 보였으며, V!lII ratio(2500 - 5000)증가에 따라 결정성이 향상됨을 GaN (102)면의 X -ray e -rocking분석올 통하여 확인하 였다 .. n-GaN의 경우 SiH4양올 3 - 13 sccm으로 증가시킴에 따라 n -type 도명농 도가 선형적으로 증가하였고, 1017/c며 범위 내로 도평이 된 경우 상온에서 300 e마 N Ns 이상의 high mobility를 얻올 수 있었다 .. PL 관측 결과로부터 Si 도핑으로 인 하여 GaN bandedge emission이 강화됨을 알 수 있었다 .. InGaN 박막의 경우 성 장온도를 낮춤에 따라서 m의 양을 증가시킬 수 있었다. 또한 유량비(TMIn I T TMGa)가 1에 가까운 경 우에서도 온도를 635 "C 정도로 낮훈 경우 410 nm정도에 서 PL bandedge peak올 얻을 수 있었으며, 이 때의 반치폭은 50 meV정도의 낮 은 값을 보였다. 반치폭은 50 meV정도의 낮 은 값을 보였다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
• /
• 제49권9호
• /
• pp.510-515
• /
• 2000

The mechanical and electrical properties of the hot-pressed and annealed $\beta-SiC-TiB_2$ electroconductive ceramic composites were investigated as a function of the liquid forming additives of Al_2O_3+Y_2O_34. The result of phase analysis of composites by XRD revealed $\alpha-SIC(6H)\;TiB_2,\; and YAG(Al5Y3O12) crystal phase. The relative density and the mechanical properties of composites were increased with increasing $Al_2O_3+Y_2O_34 contents because YAG of reaction between $Al_2O_3\; and\; Y_2O_3$ was increased. The Flexural strength showed the highest value of 432.5MPa for composites added with 12wt% $Al_2O_3+Y_2O_34 additives at room temperature. Owing to crack deflection crack bridging phase transition and TAG of fracture toughness mechanism the fracture toughness showed 7.1MPa.m1/2 for composites added with 12wt% $Al_2O_3+Y_2O_34 additives at room temperature. The electrical resistivity and the resistance temperature coefficient showed the lowest of $6.0\times10-4\Omega.cm\; and\; 3.1\times10-3/^{\circ}C4 respectively for composite added with 12wt% \Omega additives at room temperature. The electrical resistivity of the composites was all positive temperature coefficient resistance (PTCR) in the temperature range of $25^{\circ}C\; to\; 700^{\circ}C$.