• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2000년도 춘계총회,특별강연,심포지움,연구발표회
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• pp.45.1-45.1
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• 2000

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1994년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1239-1242
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• 1994

We have characterized XeCl excimer-laser-induced crystallization of thin amorphous silicon films deposited by PECVD (${\alpha}-Si:H$) and LPCVD(${\alpha}-Si$). The electrical and optical properties and surface roughness of crystallized thin films have been measured. The dc conductivities, crystallinity and surface roughness of the films increased as the laser energy density and shot density were increased. Also, we have investigated the effects of 2-step annealing employing SPC and ELA. The properties of 2-step annealed films were better than those of films annealed by ELA only.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제31권10호
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• pp.2961-2966
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• 2010

Reduction of carbonyl compounds such as aldehydes, ketones, $\alpha,\beta$-unsaturated enals and enones, $\alpha$-diketones and acyloins was carried out readily with $NaBH_3CN$ in the presence of wet $SiO_2$ as a neutral media. The reactions were performed at solvent-free conditions in oil bath (70 - $80^{\circ}C$) or under microwave irradiation (240 W) to give the product alcohols in high to excellent yields. Regioselective 1,2-reduction of conjugated carbonyl compounds took place in a perfect selectivity without any side product formation.

• 한국재료학회지
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• 제27권10호
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• pp.544-551
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• 2017

In order to develop a new commercial Al-12%Si casting alloy with improved physical properties, we investigated the effect of adding Sr and TiB to the alloy. Al-12%Si alloys were prepared by die casting at $660^{\circ}C$. The eutectic temperature of the Sr-modified Al-12%Si alloy decreased to $9^{\circ}C$ and the mushy zone region increased. The shape of the Si phase changed from coarse acicula to fine fiber with the addition of Sr. The addition of TiB in the Al-12%Si alloy reduced the size of the primary ${\alpha}$-Al and eutectic Si phases. When Sr and TiB were added together, it worked more effectively in refinement and modification. The density of twins in the Si phase-doped Sr increased and the width of the twins was refined to 5 nm. These results are related to the impurity induced twinning(IIT) growth.

• 한국자기학회지
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• 제7권6호
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• pp.293-298
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• 1997

기계적합금법으로 Fe$_{5}$Si$_{x}$B$_{5-x}$ 분말을 제조하고, Si 치환에 따른 합성상의 변화 및 합성분말의 자기적 성질을 XRD, TEM, Mossbauer spectroscopy, VSM 등으로 조사하였다. 각 출발 원소들은 milling 초기에 .alpha. -Fe 구조로 고용되어 비정질(amorphous) 상태로 되며, 기계적합금화가 진행됨에 따라 최종 안정상이 석출되었다. Fe$_{5}$B$_{5}$ 조성의 경우(x=0) 250시간 볼밀 처리한 후 800 .deg. C에서 2시간 열처리하면 FeB와 Fe$_{2}$B 상이 혼재된 구조가 얻어 진다. B의 일부를 Si으로 치환하면 Fe$_{2}$B 상의 생성이 억제되는 반면에 여분의 Si이 Fe$_{5}$SiB$_{2}$, Fe$_{2}$Si$_{0.4}$B$_{0.6}$ 상 및 상자성 상을 형성한다. FeB 상은 800 .deg. C에서 열처리한 후에도 결정성이 높지 않아서 넓은 범위의 초미세자장 값을 갖는 반면에, 다른 상들은 결정화가 이루어져 일정한 초미세자장 값을 보였다. 포화자화 값은 Fe$_{2}$B 상이 가장 많이 함유된 Fe$_{5}$B$_{5}$ 조성에서 가장 크게 나타났다.다.

• 한국자기학회지
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• 제13권2호
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• pp.64-69
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• 2003

Si 기판 위에 $\alpha$-Fe$_2$O$_3$을 하지층으로 하는 Ba-ferrite 박막을 pulsed laser deposition system으로 제조하여 결정학적 및 자기적 성질을 X선 회절, SEM, Mossbauer 분광법 및 VSM을 사용하여 연구하였다. $\alpha$-Fe$_2$O$_3$박막은 Si 기판위에 PLD를 이용하여 기판온도 400 $^{\circ}C$, 산소압력 0.1 Torr로 5분간 증착 하였고 그 위에 두께를 달리하여 Ba-ferrite 박막을 제조하였다. Ba-ferrite 결정은 가늘고 긴 모양의 결정립들로 형성되었으며 두께에 따라 그 모양과 상태가 변화하였다. Mossbauer 분광법으로부터 Ba-ferrite 결정내의 Fe 원자의 스핀 방향은 두께가 얇을수록 하지층의 영향으로 기판에 수직으로 정렬하려는 경향을 보이고 있음을 확인하였다. 자기이력곡선의 각형비 역시 두께가 얇을수록 더 크며 이러한 특성은 수평에 비하여 수직의 경우가 더 강하게 나타났다. 보자력 역시 같은 경향을 보이나 포화자화의 값은 수평의 경우에 더 큰 값을 나타내었다. 결정구조는 Magnetoplumbite로서 두께가 작아질수록 결정상수 $\alpha$는 감소하고 c는 증가하는 경향을 보였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제46권6호
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• pp.662-667
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• 2009

Porous SiC candle filter preforms were fabricated by extrusion and ramming process. To fabricate SiC candle filter preform, commercially available 85 ${\mu}m\;{\alpha}-$-SiC powder and 44 ${\mu}m$ mullite, CaC$O_3$ powder were used as the starting materials. The candle type preforms were fabricated by vacuum extrusion and ramming process, and sintered at $1400{^{\circ}C}$ 2 h in air atmosphere. The effect of forming method on porosity, density, strength (flexural and compressive strength) and microstructure was investigated. Also, corrosion test of the sintered candle filter specimens as forming method was performed at $600{^{\circ}C}$ in IGCC syngas atmosphere. The sintered SiC filter which was formed by ramming process has more higher density and exhibit higher strength than extruded filter. Its maximum density and 3-point bending strength were 2.00 g/$cm^3$ and 45 MPa, respectively.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제49권2호
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• pp.92-97
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• 2000

The mechanical and electrical properties of the hot-pressed and annealed $\beta$-SiC+39vol. %ZrB2 electroconductive ceramic composites were investigated by adding 1, 2, 3wt% Al2O3+Y2O3(6:4wt%) of the liquid forming additives. In this microstructures, no reactions were observed between $\beta-SiC$ and ZrB2. The relative density is over 90.8% of the theoretical density and the porosity decreased with increasing Al2O3+Y2O3 contents. Phase analysis of the composites by XRD revealed $\alpha-SiC(6H, 4H)$, ZrB2 and $\beta-SiC$(15R). Flexural srength showed the highest of 315.5MPa for composites added with 3wt% Al2O3+Y2O3 additives as room temperature. Owing to crack deflection and crack bridging of fracture toughness mechanism, the fracture toughness showed 5.5MPa.m1/2 and 5.3MPa.m1/2 for composites added with 2wt% and 3wt% Al2O3+Y2O3 additives respectively at room temperature. The area fraction of the elongated SiC grain in the etched surface of sample showed 65% and 65.1% for composite added with 2wt% and 3wt% Al2O3+Y2O3 additives respectively. The electrical resistivity at room temperature. The electrical resistivity of the composites wall all positive temperature coefficient(PTCR) against temperature up to $700^{\circ}C$.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제19권2호
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• pp.41-45
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• 2012

백색 LED용 산질화물계 녹색발광 형광체를 합성하고, 광특성을 분석하였다. $SrSi_2O_{2-{\delta}}N_{2+2/3{\delta}}:Eu^{2+}$의 조성을 갖는 $SrSi_2O_2N_2:Eu^{2+}$ 경우 합성조건에 따라서 N/O비 ($\delta$)가 변하고 있었다. 수소 분위기로 $1700^{\circ}C $에서 합성된 시편이 Eu의 농도가 5 mol%일 때 $Eu^{2+}$의 $5d{\rightarrow}4f$ 전이에 의한 545 nm 근처에서의 가장 높은 녹색 발광강도를 얻을 수 있었다. $Ca_{0.5m-0.005}Yb_{0.005}Si_{12-(m+n)}Al_{m+n}O_nN_{16-n}$의 조성을 갖는 $Ca-{\alpha}-SiAlON:Yb^{2+}$는 m = 3 (n = 0.15)에서 잘 발달된 결정성과 균일한 크기를 갖는 입자를 얻을 수 있었고, 이 것이 550 nm 근처에서 가장 높은 녹색 발광을 하고 있었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제7권2호
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• pp.207-215
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• 1997

Ionized Cluster Beam Deposition(ICBD)방법을 이용하여 Si(100)기판과 TiN(60 nm)/Si(100)기판위에 Al 박막을 증착하였다. 증착된 Al 박막의 증착특성은 $\alpha$-step, four-point-probe, XRD, SEM, AES 측정장치를 가지고 조사해 보았다. 도가니 온도가 증가함에 따라 Al 박막의 증착속도는 증가하였고 비저항 값은 감소하였다. 도가니 온도가 $1800^{\circ}C$인 경우 가속전압이 증가함에 따라 연속적이며 평평한 박막이 형성되고 비저항이 감소되었다. 최소의 비저항 값은 Si 기판에서는 가속전압이 4 kV일 때 3.4 $\mu \Omega \textrm {cm}$, TiN 기판에서는 가속전압이 2kV일 때 3.6 $\mu \Omega \textrm {cm}$. AES 분석결과 형성된 박막내에서는 불순물이 존재하지 않는 것을 알 수 있었다. 따라서 Al 박막의 비저항은 박막충의 미세구조에 의해 영향을 받는다.