과제정보
이 논문은 2023학년도 산업통상자원부와 교육부에서 지원하는 부처협업형 인재양성(반도체전공트랙) 사업(P0022194)과 한국연구재단의 지역대학우수과학자 지원사업(2021R1I1A3060334)에 의하여 연구되었음.
참고문헌
- Shivani, D. Kaur, A. Ghosh, and M. Kumar, Mater. Today Commun., 33, 104244 (2022). doi: https://doi.org/10.1016/j.mtcomm.2022.104244
- X. She, A. Q. Huang, O. Lucia, and B. Ozpineci, IEEE Trans. Ind. Electron., 64, 8193 (2017). doi: https://doi.org/10.1109/TIE.2017.2652401
- T. J. Flack, B. N. Pushpakaran, and S. B. Bayne, J. Electron. Mater., 45, 2673 (2016). doi: https://doi.org/10.1007/s11664-016-4435-3
- A. Bindra, IEEE Power Electron. Mag., 2, 42 (2015). doi: https://doi.org/10.1109/MPEL.2014.2382195
- S. J. Pearton, J. Yang, P. H. Cary IV, F. Ren, J. Kim, M. J. Tadjer, and M. A. Mastro, Appl. Phys. Rev., 5, 011301 (2018). doi: https://doi.org/10.1063/1.5006941
- H. J. Yang, H. J. Seul, M. J. Kim, Y. Kim, H. C. Cho, M. H. Cho, Y. H. Song, H. Yang, and J. K. Jeong, ACS Appl. Mater. Interfaces, 12, 52937 (2020). doi: https://doi.org/10.1021/acsami.0c16325
- F. M. Ciou, Y. C. Chang, P. H. Chen, C. Y. Lin, Y. H. Lin, K. H. Chen, F. Y. Jin, Y. S. Lin, W. C. Hung, and K. C. Chang, Semicond. Sci. Technol., 37, 015009 (2021). doi: https://doi.org/10.1088/1361-6641/ac3dd5
- S. K. Park, Y. H. Kim, and J. I. Han, J. Phys. D: Appl. Phys., 42, 125102 (2009). doi: https://doi.org/10.1088/0022-3727/42/12/125102
- P. K. Nayak, J. A. Caraveo-Frescas, Z. Wang, M. N. Hedhili, and H. N. Alshareef, Adv. Electron. Mater., 1, 1500014 (2015). doi: https://doi.org/10.1002/aelm.201500014
- J. W. Hennek, M. G. Kim, M. G. Kanatzidis, A. Facchetti, and T. J. Marks, J. Am. Chem. Soc., 134, 9593 (2012). doi: https://doi.org/10.1021/ja303589v
- T. S. Jung, S. J. Kim, C. H. Kim, J. Jung, J. Na, M. M. Sabri, and H. J. Kim, IEEE Trans. Electron Devices, 62, 2888 (2015). doi: https://doi.org/10.1109/TED.2015.2455558
- M. M. Sabri, J. Jung, D. H. Yoon, S. Yoon, Y. J. Tak, and H. J. Kim, J. Mater. Chem. C, 3, 7499 (2015). doi: https://doi.org/10.1039/C5TC01457C
- J. Lee, K. H. Lim, and Y. S. Kim, Sci. Rep., 8, 13905 (2018). doi: https://doi.org/10.1038/s41598-018-32233-4
- D. J. Kim, D. L. Kim, Y. S. Rim, C. H. Kim, W. H. Jeong, H. S. Lim, and H. J. Kim, ACS Appl. Mater. Interfaces, 4, 4001 (2012). doi: https://doi.org/10.1021/am3008278
- D. J. Kim, Y. S. Rim, and H. J. Kim, ACS Appl. Mater. Interfaces, 5, 4190 (2013). doi: https://doi.org/10.1021/am4002259
- C. H. Kim, Y. S. Rim, and H. J. Kim, ACS Appl. Mater. Interfaces, 5, 6108 (2013). doi: https://doi.org/10.1021/am400943z
- X. Yu, T. J. Marks, and A. Facchetti, Nat. Mater., 15, 383 (2016). doi: https://doi.org/10.1038/nmat4599
- C. H. Choi, Y. W. Su, L. Y. Lin, C. C. Cheng, and C. H. Chang, RSC Adv., 5, 93779 (2015). doi: https://doi.org/10.1039/c5ra16392g
- I. Y. Jo, J. G. Park, J. H. Moon, J. Y. Jung, D. E. Kim, and K. J. Baeg, Org. Electron., 75, 105358 (2019). doi: https://doi.org/10.1016/j.orgel.2019.07.016