Acknowledgement
이 연구는 2022년도 정부(산업통상자원부)의 재원으로 한국산업기술진흥원의 지원을 받아 수행된 연구임 (P0017011 및 P0020966, 2022년 산업혁신인재성장지원사업).
References
- J. A. Rodriguez, C. Zhou, T. Graf, R. Bailey, M. Wiegand, T. Wang, M. Ball, H. C. Wen, K. R. Udayakumar, S. Summerfelt, T. San, and T. Moise, 2016 IEEE 8th International Memory Workshop (IMW). (Paris, France, 2016) pp. 15-18. [DOI: https://doi.org/10.1109/IMW.2016.7495274]
- T. S. Boscke, J. Muller, D. Brauhaus, U. Schroder, and U. Bottger, Appl. Phys. Lett., 99, 102903 (2011). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.3634052]
- M. H. Park, Y. H. Lee, H. J. Kim, Y. J. Kim, T. Moon, K. D. Kim, J. Muller, A. Kersch, U. Schroeder, T. Mikolajick, and C. S. Hwang, Adv. Mater., 27, 1811 (2015). [DOI: https://doi.org/10.1002/adma.201404531]
- S. J. Kim, J. Mohan, S. R. Summerfelt, and J. Kim, JOM, 71, 246 (2019). [DOI: https://doi.org/10.1007/s11837-018-3140-5]
- H. J. Kim, Y. An, Y. C. Jung, J. Mohan, J. G. Yoo, Y. I. Kim, H. Hernandez-Arriaga, H. S. Kim, J. Kim, and S. J. Kim, Phys. Status Solidi RRL, 15, 2100028 (2021). [DOI: https://doi.org/10.1002/pssr.202100028]
- H. A. Hsain, Y. Lee, M. Materano, T. Mittmann, A. Payne, T. Mikolajick, U. Schroeder, G. N. Parsons, and J. L. Jones, J. Vac. Sci. Technol. A, 40, 010803 (2022). [DOI: https://doi.org/10.1116/6.0001317]
- H. Chen, X. Zhou, L. Tang, Y. Chen, H. Luo, X. Yuan, C. R. Bowen, and D. Zhang, Appl. Phys. Rev., 9, 011307 (2022). [DOI: https://doi.org/10.1063/5.0066607]
- S. J. Kim, D. Narayan, J.-G. Lee, J. Mohan, J. S. Lee, J. Lee, H. S. Kim, Y.-C. Byun, A. T. Lucero, C. D. Young, S. R. Summerfelt, T. San, L. Colombo, and J. Kim, Appl. Phys. Lett., 111, 242901 (2017). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.4995619]
- B. Y. Kim, H. W. Park, S. D. Hyun, Y. B. Lee, S. H. Lee, M. Oh, S. K. Ryoo, I. S. Lee, S. Byun, D. Shim, D.-Y. Cho, M. H. Park, and C. S. Hwang, Adv. Electron. Mater., 8, 2100042 (2022). [DOI: https://doi.org/10.1002/aelm.202100042]
- J. Mohan, H. Hernandez-Arriaga, Y. C. Jung, T. Onaya, C.-Y. Nam, E.H.R. Tsai, S. J. Kim, and J. Kim, Appl. Phys. Lett., 118, 102903 (2021). [DOI: https://doi.org/10.1063/5.0035579]
- T. Onaya, T. Nabatame, N. Sawamoto, A. Ohi, N. Ikeda, T. Nagata, and A. Ogura, Microelectron. Eng., 215, 111013 (2019). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.mee.2019.111013]
- S. J. Kim, Y. C. Jung, J. Mohan, H. J. Kim, S. M. Rho, M. S. Kim, J. G. Yoo, H. R. Park, H. Hernandez-Arriaga, J.-H. Kim, H. T. Kim, D. H. Choi, J. Jung, S. M. Hwang, H. S. Kim, H. J. Kim, and J. Kim, Appl. Phys. Lett., 119, 242901 (2021). [DOI: https://doi.org/10.1063/5.0075466]
- S. Migita, H. Ota, K. Shibuya, H. Yamada, A. Sawa, T. Matsukawa, and A. Toriumi, Jpn. J. Appl. Phys., 58, SBBA07 (2019). [DOI: https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab00f6]
- D. Lehninger, T. Ali, R. Olivo, M. Lederer, T. Kampfe, K. Mertens, and K. Seidel, 2020 Joint Conference of the IEEE International Frequency Control Symposium and International Symposium on Applications of Ferroelectrics (IFCS-ISAF) (Keystone, CO, USA, 2020) pp. 19-23. [DOI: https://doi.org/10.1109/IFCS-ISAF41089.2020.9234879]
- S. J. Kim, J. Mohan, H. S. Kim, S. M. Hwang, N. Kim, Y. C. Jung, A. Sahota, K. Kim, H.-Y. Yu, P.-R. Cha, C. D. Young, R. Choi, J. Ahn, and J. Kim, Materials, 13, 2968 (2020). [DOI: https://doi.org/10.3390/ma13132968]
- International Roadmap for Devices and Systems (IRDS), 2020.
- S. J. Kim, J. Mohan, J. Lee, J. S. Lee, A. T. Lucero, C. D. Young, L. Colombo, S. R. Summerfelt, T. San, and J. Kim, Appl. Phys. Lett., 112, 172902 (2018). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.5026715]
- M. H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim, T. Moon, K. D. Kim, Y. H. Lee, S. D. Hyun, and C. S. Hwang, J. Mater. Chem. C, 3, 6291 (2015). [DOI: https://doi.org/10.1039/C5TC01074H]
- J. Hur, N. Tasneem, G. Choe, P. Wang, Z. Wang, A. I. Khan, and S. Yu, Nanotechnology, 31, 505707 (2020). [DOI: https://doi.org/10.1088/1361-6528/aba5b7]
- S. J. Kim, J. Mohan, H. S. Kim, J. Lee, S. M. Hwang, D. Narayan, J.-G. Lee, C. D. Young, L. Colombo, G. Goodman, A. S. Wan, P.-R. Cha, S. R. Summerfelt, T. San, and J. Kim, Appl. Phys. Lett., 115, 182901 (2019). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.5126144]
- Y. Xu, Y. Yang, S. Zhao, T. Gong, P. Jiang, S. Lv, H. Yu, P. Yuan, Z. Dang, Y. Ding, Y. Wang, Y. Chen, Y. Wang, J. Bi, and Q. Luo, IEEE Trans. Electron Devices, 69, 430 (2022). [DOI: https://doi.org/10.1109/TED.2021.3126283]