E2M - 전기 전자와 첨단 소재 (Electrical & Electronic Materials)

  • 제35권5호
  • /
  • Pages.18-28
  • /
  • 2022
  • /
  • 2982-6268(pISSN)
  • /
  • 2982-6306(eISSN)
한국전기전자재료학회 (The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers)
권호 표지

금속 할로겐화물 페로브스카이트 기반 전계효과 트랜지스터 소자 연구 동향

  • 조재혁 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 김명길 (성균관대학교 신소재공학과)
  • 발행 : 2022.10.01
PDF 다운로드
⟨ 이전 논문 다음 논문 ⟩

초록

키워드

참고문헌

  1. H. Kim, J. S. Han, J. Choi, S. Y. Kim, and H. W. Jang, Small Methods, 2, 1700310 (2018).
  2. X. Cao, L. Zhi, Y. Jia, Y. Li, K. Zhao, X. Cui, L. Ci, D. Zhuang, and J. Wei, ACS Appl. Mater. Interfaces., 11, 7639 (2019).
  3. J. Li, J. Duan, X. Yang, Y. Duan, P. Yang, and Q. Tang, Nano Energy, 80, 105526 (2021).
  4. H. Min, D. Y. Lee, J. Kim, G. Kim, K. S. Lee, J. Kim, M. J. Paik, Y. K. Kim, K. S. Kim, and M. G. Kim, Nature, 598, 444 (2021)
  5. D. Ma, K. Lin, Y. Dong, H. Choubisa, A. H. Proppe, D. Wu, Y. K. Wang, B. Chen, P. Li, and J. Z. Fan, Nature, 599, 594 (2021)
  6. F. Zhang, H. Zhang, L. Zhu, L. Qin, Y. Wang, Y. Hu, Z. Lou, Y. Hou, and F. Teng, J. Mater. Chem. C, 7, 4004 (2019).
  7. F. Li, W. Yu, X. Guan, and T. Wu, Acc. Mater. Res., 3, 8 (2021).
  8. B. Jeong, L. Veith, T. J. Smolders, M. J. Wolf, and K. Asadi, Adv. Mater., 33, 2100486 (2021).
  9. G. Kieslich, S. Sun, and A. K. Cheetham, Chem. sci., 6, 3430 (2015).
  10. F. Paulus, C. Tyznik, O. D. Jurchescu, and Y. Vaynzof, Adv. Funct. Mater., 31, 2101029 (2021).
  11. L. Mao, C. C. Stoumpos, and M. G. Kanatzidis, J. Am. Chem. Soc. 141, 1171 (2018).
  12. C. R. Kagan, D. B. Mitzi, and C. D. Dimitrakopoulos, Science, 286, 945 (1999).
  13. D. B. Mitzi, C. D. Dimitrakopoulos, and L. L. Kosbar, Chem. Mater., 13, 3728 (2001).
  14. T. Matsushima, S. Hwang, A. S. Sandanayaka, C. Qin, S. Terakawa, T. Fujihara, M. Yahiro, and C. Adachi, Adv. Mater., 28, 10275 (2016).
  15. T. Matsushima, S. Hwang, S. Terakawa, T. Fujihara, A. S. Sandanayaka, C. Qin, and C. Adachi, Appl. Phys. Express, 10, 024103 (2017).
  16. T. Matsushima, F. Mathevet, B. Heinrich, S. Terakawa, T. Fujihara, C. Qin, A. S. Sandanayaka, J. C. Ribierre, and C. Adachi, Appl. Phys. Lett., 109, 253301 (2016).
  17. T. Matsushima, M. R. Leyden, T. Fujihara, C. Qin, A. S. Sandanayaka, and C. Adachi, Appl. Phys. Lett., 115, 120601 (2019).
  18. Y. Mei, C. Zhang, Z. Vardeny, and O. Jurchescu, MRS Commun., 5, 297 (2015).
  19. S. P. Senanayak, B. Yang, T. H. Thomas, N. Giesbrecht, W. Huang, E. Gann, B. Nair, K. Goedel, S. Guha, and X. Moya, Sci. Adv. 3, e1601935 (2017).
  20. A. M. Zeidell, C. Tyznik, L. Jennings, C. Zhang, H. Lee, M. Guthold, Z. V. Vardeny, and O. D. Jurchescu, Adv. Electron. Mater., 4, 1800316 (2018).
  21. N. Cho, F. Li, B. Turedi, L. Sinatra, S. P. Sarmah, M. R. Parida, M. I. Saidaminov, B. Murali, V. M. Burlakov, and A. Goriely, Nat. commun., 7, 1 (2016).
  22. M. Mativenga, J. Ji, N. T. T. Hoang, and F. Haque, Adv. Mater. Interfaces, 7, 1901777 (2020).
  23. S. P. Senanayak, M. Abdi-Jalebi, V. S. Kamboj, R. Carey, R. Shivanna, T. Tian, G. Schweicher, J. Wang, N. Giesbrecht, D. Di Nuzzo, H. Beere, P. Docampo, D. A. Ritchie, D. Farien-jumenez. R. H. Friend, and H. Sirrighaus, Sci. Adv., 6, eaaz4948 (2020).
  24. X. J. She, C. Chen, G. Divitini, B. Zhao, Y. Li, J. Wang, J. F. Orri, L. Cui, W. Xu, and J. Peng, Nat. Electron., 3, 694 (2020).
  25. F. Haque, N. T. T. Hoang, J. Ji, and M. Mativenga, IEEE Electron Device Lett., 40, 1756 (2019).
  26. H. Zhu, A. Liu, K. I. Shim, J. Hong, J. W. Han, and Y. Y. Noh, Adv. Mater., 32, 2002717 (2020).
  27. A. R. b. M. Yusoff, H. P. Kim, X. Li, J. Kim, J. Jang, and M. K. Nazeeruddin, Adv. Mater.. 29, 1602940 (2017).
  28. H. Zhu, A. Liu, K. I. Shim, H. Jung, T. Zou, Y. Reo, H. Kim, J. W. Han, Y. Chen, H. Y. Chu, J. H. Lim, H. J. Kim, and S. Bai Y. Y. Noh, Nat. commun., 13, 1 (2022).
  29. A. Liu, H. Zhu, S. Bai, Y. Reo, T. Zou, M. G. Kim, and Y. Y. Noh, Nat. Electron., 5, 78 (2022).