E2M - 전기 전자와 첨단 소재 (Electrical & Electronic Materials)

  • 제34권3호
  • /
  • Pages.30-35
  • /
  • 2021
  • /
  • 2982-6268(pISSN)
  • /
  • 2982-6306(eISSN)
한국전기전자재료학회 (The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers)
권호 표지

p형 SnO 트랜지스터 연구 동향

  • 남수지 (한국전자통신연구원 플렉시블전자소자연구실)
  • 발행 : 2021.06.01
PDF 다운로드
⟨ 이전 논문 다음 논문 ⟩

초록

키워드

참고문헌

  1. K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Nature 432, 488 (2004). https://doi.org/10.1038/nature03090
  2. M. Lee, J. W. Jo, Y. J. Kim, S. Choi, S. M. Kwon, S. P. Jeon, A. Facchetti, Y. H. Kim, and S. K. Park, Adv. Mater. 30, 1804120 (2018). https://doi.org/10.1002/adma.201804120
  3. M. G. Kim, M. G. Kanatzidis, A. Facchetti, and T. J. Marks, Nat. Mater. 10, 382 (2011). https://doi.org/10.1038/nmat3011
  4. S. Nam, J. H. Yang, S. H. Cho, J. H. Choi, O. S. Kwon, E. S. Park, S. J. Lee, K. I. Cho, J. Jang, and C. S. Hwang, J. Mater. Chem. C 4, 11298 (2016). https://doi.org/10.1039/C6TC03977D
  5. A. Liu, H. Zhu, W. T. Park, S. J. Kim, H. Kim, M. G. Kim, and Y. Y. Noh, Nat. Commun. 11, 4309 (2020). https://doi.org/10.1038/s41467-020-18006-6
  6. C. Zhao, C. Tan, D. H. Lien, X. Song, M. Amani, M. Hettick, H. Y. Y. Nyein, Z. Yuan, L. Li, M. C. Scott and A. Javey, Nat. Nanotech. 15, 53 (2020). https://doi.org/10.1038/s41565-019-0585-9
  7. G. Hautier, A. Miglio, G.Ceder, G. M. Rignanese, and X. Gonze, Nat. Commun. 4, 2292 (2013). https://doi.org/10.1038/ncomms3292
  8. K. Yim, Y. Youn, M. Lee, D. Yoo, J. Lee, S. H. Cho, and S. Han, npj Comput. Mater. 4, 17 (2018). https://doi.org/10.1038/s41524-018-0073-z
  9. J. H. Bae, Ji. H.Lee, S. P.Park, T. S. Jung, H. J. Kim, Do. Kim, S. W. Lee, K. S. Park, S. Y. Yoon, I.B. Kang, and H. J. Kim, ACS Appl. Mater. Interfaces 12, 38350 (2020). https://doi.org/10.1021/acsami.0c09243
  10. F. Shan, A. Liu, H. Zhu, W. Kong, J. Liu, B. Shin, E. Fortunato, R. Martins, and G. Liu, J. Mater. Chem. C 4, 9438 (2016). https://doi.org/10.1039/C6TC02137A
  11. A. Liu, H. Zhu, Z. Guo, Y. Meng, G. Liu, E. Fortunato, R. Martins, and F. Shan, Adv. Mater. 29, 1701599 (2017). https://doi.org/10.1002/adma.201701599
  12. E. Fortunato, R. Barros, P. Barquinha, V. Figueiredo, S. H. K. Park, C. S. Hwang, and R. Martins, Appl. Phys. Lett. 97, 052105 (2010). https://doi.org/10.1063/1.3469939
  13. J. A. Caraveo-Frescas, P. K. Nayak, H. A. AlJawhari, D. B. Granato, U. SchwingenschlOgl, and H. N. Alshareef, ACS Nano, 7, 5160 (2013). https://doi.org/10.1021/nn400852r
  14. C. W. Shih, A. Chin, Ch. F. Lu, and W. F. Su, Sci. Rep. 8, 889 (2018). https://doi.org/10.1038/s41598-017-17066-x
  15. C. W. Zhong, H. C. Lin, Ko. C. Liu, and T. Y. Huang, IEEE Elect. Dev. Lett. 36, 1053 (2015). https://doi.org/10.1109/LED.2015.2465144
  16. T. Kim, B. Yoo, Y. Youn, M. Lee, A. Song, K. B. Chung, S. Han, and J. K. Jeong, ACS Appl. Mater. Interfaces, 11, 40214 (2019). https://doi.org/10.1021/acsami.9b12186
  17. P. C. Chen, Y. C. Chiu, G. L. Liou, Z. W. Zheng, C. H. Cheng, and Y. H. Wu, IEEE Electron Device Lett. 38, 210 (2017). https://doi.org/10.1109/LED.2016.2646378
  18. Y. Jang, I. W. Yeu, J. S. Kim, J. H. Han, J. H. Choi, and C. S. Hwang, Adv. Electron. Mater. 5, 1900371 (2019). https://doi.org/10.1002/aelm.201900371
  19. M. G. Chae, S. H. Han, B. K. Park, T. M. Chung, and J. H. Han, Appl. Sur. Sci. 547, 148758 (2021). https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2020.148758
  20. K. Okamura, B. Nasr, R. A. Branda, H. Hahn, J. Mater. Chem. 22, 4607 (2012). https://doi.org/10.1039/c2jm16426d
  21. M. Napari, T. N. Huq, D. J. Meeth, M. J. Heikkila, K. M. Niang, H.Wang, T. Iivonen, H. Wang, M. Leskela, M. Ritala, A. J. Flewitt, R. L. Z. Hoye, and J. L. MacManus-Driscoll, ACS Appl. Mater. Interfaces, 13, 4156 (2021). https://doi.org/10.1021/acsami.0c18915
  22. I. C. Chiu, Y. S. Li, M. S. Tu, and I. C. Cheng, IEEE Electron Device Lett. 35, 1263 (2014). https://doi.org/10.1109/LED.2014.2364578