Fig. 1. Schematic diagram of the designed X-band GaN power amplifier MMIC. 그림 1. 설계된 X-대역 GaN 전력 증폭기의 회로도
Fig. 2. Chip photograph of the fabricated two-stage GaN power amplifier MMIC. 그림 2. 제작된 2단 GaN 전력 증폭기의 칩 사진
Fig. 3. Photograph of the test fixture for the fabricated two- stage GaN power amplifier MMIC. 그림 3. 제작된 2단 GaN 전력 증폭기 성능 검증을 위한 측정 치구 사진
Fig. 4. Measured S-parameters characteristics of the fabricated two-stage GaN power amplifier MMIC. 그림 4. 제작된 2단 GaN 전력 증폭기의 S-parameters 특성 측정 결과
Fig. 5. Measured output power characteristics of the fabricated two-stage GaN power amplifier MMIC. 그림 5. 제작된 2단 GaN 전력 증폭기의 출력 전력 특성 측정 결과
Fig. 6. Measured output power and power gain characteristics of the fabricated two-stage GaN power amplifier MMIC. 그림 6. 제작된 2단 GaN 전력 증폭기의 출력 전력 특성과 전력 이득 측정 결과
Fig. 7. Measured drain current characteristics of the fabricated two-stage GaN power amplifier MMIC. 그림 7. 제작된 2단 GaN 전력 증폭기의 드레인 전류 특성 측정 결과
Fig. 8. Measured output power and power gain characteristics of the fabricated two-stage GaN power amplifier MMIC. 그림 8. 제작된 2단 GaN 전력 증폭기의 출력 전력 특성과 전력 이득 측정 결과
Table 1. The comparison of the developed X-band GaN power amplifier MMICs with other reported data. 표 1. 개발된 X-band GaN 전력 증폭기의 특성 비교
References
- D. Runton, et al., "History of GaN : High-Power RF Gallium Nitride (GaN) from Infancy to Manufacturable Process and Beyond," IEEE Microwave Magazine, vol.14, no.3, pp.82-466, 2013. DOI: 10.1109/MMM.2013.2240853
- R. Pengelly, et al., "A Review of GaN on SiC High Electron-Mobility Power Transistors and MMICs," IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol.60, no.6, pp.1764-1783, 2013. DOI: 10.1109/TMTT.2012.2187535
- S. D'Angelo, et al., "A GaN MMIC chipset suitable for integration in future X-band space borne radar T/R module Frontends," in Proc. of 2016 21st International Conference on Microwave, Radar and Wireless Communications (MIKON), pp.1-4, 2016. DOI: 10.1109/MIKON.2016.7492014
- D. Shin, et al., "X-band GaN MMIC power amplifier for the SSPA of a SAR system," in Proc. of 2017 IEEE International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT), pp.93-95, 2017. DOI: 10.1109/RFIT.2017.8048093
- Y. Lien, et al., "GaN technologies for applications from L- to Ka-band," in Proc. of 2017 IEEE International Conference on Microwaves, Antennas, Communications and Electronic Systems (COMCAS), pp.1-5, 2017. DOI: 10.1109/COMCAS.2017.8244831
- "APA091030D," Ace technologies corp., [internet], http://www.rfmiso.com.
- "CMPA801B025D," Cree Inc., [internet], http://www.cree.com.
- "TGA2624," Qorvo Inc., [internet], http://www.qorvo.com.
- "CHA8610-99F," United Monolithic Semi., [internet], http://www.ums-gaas.com