참고문헌
- F. Bonaccorso, Z. Sun, T. Hasan, and A. C. Ferrari, Nat. Photon. 4, 611 (2010). https://doi.org/10.1038/nphoton.2010.186
- R. R. Nair, P. Blake, A. N. Grigorenko, K. S. Novoselov, T. J. Booth, T. Stauber, N. M. Peres, and A. K. Geim, Science. 320, 1308 (2008). https://doi.org/10.1126/science.1156965
- D. Prezzi, D. Varsano, A. Ruini, A. Marini, and E. Molinari, Phys. Rev. B. 77, 041404 (2008).
- A. C. Neto, F. Guinea, N. M. Peres, K. S. Novoselov, and A. K. Geim, Rev. Mod. Phys. 81, 109 (2009). https://doi.org/10.1103/RevModPhys.81.109
- K. S. Novoselov, S. V. Morozov, T. M. Mohinddin, L. A. Ponomarenko, D. C. Elias, R. Yang, I. I. Barbolina, P. Blake, T. J. Booth, D. Jiang, J. Giesbers, E. W. Hill, and A. K. Geim, Phys. Status Solidi B. 244, 4106 (2007). https://doi.org/10.1002/pssb.200776208
- K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, M. I. Katsnelson, I. V. Grigorieva, S. V. Dubonos, and A. A. Firsov, Nature. 438, 197 (2005). https://doi.org/10.1038/nature04233
- C. Lee, X. Wei, J. W. Kysar, and J. Hone, Science. 321, 385 (2008). https://doi.org/10.1126/science.1157996
- F. Ding, H. Ji, Y. Chen, A. Herklotz, K. Dorr, Y. Mei, A. Rastelli, and O. G. Schmidt, Nano Lett. 10, 3453 (2010). https://doi.org/10.1021/nl101533x
- S. Ghosh, I. Calizo, D. Teweldebrhan, E. P. Pokatilov, D. L. Nika, A. A. Balandin, W. Bao, F. Miao, and C. N. Lau, Appl. Phys. Lett. 92, 151911 (2008). https://doi.org/10.1063/1.2907977
- A. A. Balandin, S. Ghosh, W. Bao, I. Calizo, D. Teweldebrhan, F. Miao, and C. N. Lau, Nano Lett. 8, 902 (2008). https://doi.org/10.1021/nl0731872
- K. S. Kim, Y. Zhao, H. Jang, S. Y. Lee, J. M. Kim, K. S. Kim, J. H. Ahn, P. Kim, J. Y. Choi, and B. H. Hong, Nature. 457, 706 (2009). https://doi.org/10.1038/nature07719
- S. Bae, H. Kim, Y. Lee, X. Xu, J. S. Park, Y. Zheng, J. Balakrishnan, T. Lei, H. R. Kim, Y. I. Song, Y. J. Kim, K. S. Kim, B. Ozyilmaz, J. H. Ahn, B. H. Hong, and S. Iijima, Nat. Nanotechnol. 5, 574 (2010). https://doi.org/10.1038/nnano.2010.132
- J. Han, J. Y. Lee, and J. S. Yeo, Carbon. 105, 205 (2016). https://doi.org/10.1016/j.carbon.2016.04.039
- Y. Wang, X. Chen, Y. Zhong, F. Zhu, and K. P. Loh, Appl. Phys. Lett. 95, 209 (2009).
- J. Shen, Y. Zhu, X. Yang, and C. Li, Chem. Commun. 48, 3686 (2012). https://doi.org/10.1039/c2cc00110a
- Y. Shao, J. Wang, H. Wu, J. Liu, I. A. Aksay, and Y. Lin, Electroanalysis. 22, 1027 (2010). https://doi.org/10.1002/elan.200900571
- F. Schwierz, Nat. Nanotechnol. 5, 487 (2010). https://doi.org/10.1038/nnano.2010.89
- I. Meric, M. Y. Han, A. F. Young, B. Ozyilmaz, P. Kim, and K. L. Shepard, Nat. Nanotechnol. 3, 654 (2008). https://doi.org/10.1038/nnano.2008.268
- F. Xia, D. B. Farmer, Y.-m. Lin, and P. Avouris, Nano Lett. 10, 715 (2010). https://doi.org/10.1021/nl9039636
- L. Wang, I. Meric, P. Y. Huang, Q. Gao, Y. Gao, H. Tran, T. Taniguchi, K. Watanabe, L. M. Campos, D. A. Muller, J. Guo, P. Kim, J. Hone, K. L. Shepard, and C. R. Dean, Science. 342, 614 (2013). https://doi.org/10.1126/science.1244358
- L. D. Carr, and M. T. Lusk, Nature Nanotechnol. 5, 316 (2010). https://doi.org/10.1038/nnano.2010.93
- Q. Zheng, Y. Geng, S. Wang, Z. Li, and J. K. Kim, Carbon. 48, 4315 (2010). https://doi.org/10.1016/j.carbon.2010.07.044
- C. Wang, Y. Liu, L. Lan, and H. Tan, Nanoscale. 5, 4454 (2013). https://doi.org/10.1039/c3nr00462g
- P. Sutter, J. T. Sadowski, and E. Sutter, Phys. Rev. B. 80, 245411 (2009). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.80.245411
- S. Y. Zhou, G. H. Gweon, A. Fedorov, P. First, W. De Heer, D. H. Lee, F. Guinea, A. C. Neto, and A. Lanzara, Nat. Mater. 6, 770 (2007). https://doi.org/10.1038/nmat2003
- M. Ishigami, J. H. Chen, W. G. Cullen, M. S. Fuhrer, and E. D. Williams, Nano Lett. 7, 1643 (2007). https://doi.org/10.1021/nl070613a
- A. Pirkle, J. Chan, A. Venugopal, D. Hinojos, C. W. Magnuson, S. McDonnell, L. Colombo, E. M. Vogel, R. S. Ruoff, and R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. 99, 122108 (2011). https://doi.org/10.1063/1.3643444
- D. W. Yue, C. H. Ra, X. C. Liu, D. Y. Lee, and W. J. Yoo, Nanoscale. 7, 825 (2014).
- G. Giovannetti, P. Khomyakov, G. Brocks, V. M. Karpan, J. van den Brink, and P. J. Kelly, Phys. Rev. Lett. 101, 026803 (2008). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.101.026803
- K. Nagashio and A. Toriumi, Jpn. J. Appl. Phys. 50, 070108 (2011). https://doi.org/10.7567/JJAP.50.070108
- C. W. Chen, F. Ren, G. C. Chi, S. C. Hung, Y. P. Huang, J. Kim, I. I. Kravchenko, and S. J. Pearton, J. Vac. Sci. Technol., B. 30, 060604 (2012). https://doi.org/10.1116/1.4754566
- W. Li, Y. Liang, D. Yu, L. Peng, K. P. Pernstich, T. Shen, A. R. Hight Walker, G. Cheng, C. A. Hacker, C. A. Richter, Q. Li, D. J. Gundlach, and X. Liang, Appl. Phys. Lett. 102, 183110 (2013). https://doi.org/10.1063/1.4804643
- S. K. Hong, S. M. Song, O. Sul, and B. J. Cho, Carbon Lett. 14, 171 (2013). https://doi.org/10.5714/CL.2013.14.3.171
- A. D. Franklin, S. J. Han, A. A. Bol, and V. Perebeinos, IEEE Electron Device Lett. 33, 17 (2012). https://doi.org/10.1109/LED.2011.2173154
- A. Hsu, H. Wang, K. K. Kim, J. Kong, and T. Palacios, IEEE Electron Device Lett. 32, 1008 (2011). https://doi.org/10.1109/LED.2011.2155024
- Q. Gao and J. Guo, APL Mater. 2, 056105 (2014). https://doi.org/10.1063/1.4876635
- A. Krasheninnikov and F. Banhart, Nat. Mater. 6, 723 (2007). https://doi.org/10.1038/nmat1996
- J. Han, J. Y. Lee, J. Choe, and J. S. Yeo, RSC Adv. 6, 76273 (2016). https://doi.org/10.1039/C6RA13344D
- O. Lehtinen, I. L. Tsai, R. Jalil, R. R. Nair, J. Keinonen, U. Kaiser, and I. V. Grigorieva, Nanoscale. 6, 6569 (2014). https://doi.org/10.1039/c4nr01918k
- A. Meersha, H. B. Variar, K. Bhardwaj, A. Mishra, S. Raghavan, N. Bhat, and M. Shrivastava, IEEE IEDM, 5.3.1 (2016).
- J. A. Robinson, M. LaBella, M. Zhu, M. Hollander, R. Kasarda, Z. Hughes, K. Trumbull, R. Cavalero, and D. Snyder, Appl. Phys. Lett. 98, 053103 (2011). https://doi.org/10.1063/1.3549183
- F. Banhart, J. Kotakoski, and A. V. Krasheninnikov, ACS Nano. 5, 26 (2010).
- Y. C. Lin, C. C. Lu, C. H. Yeh, C. Jin, K. Suenaga, and P. W. Chiu, Nano Lett. 12, 414 (2011).
- C. Gong, G. Lee, B. Shan, E. M. Vogel, R. M. Wallace, and K. Cho, J. Appl. Phys. 108, 123711 (2010). https://doi.org/10.1063/1.3524232
- W. S. Leong, C. T. Nai, and J. T. Thong, Nano Lett. 14, 3840 (2014). https://doi.org/10.1021/nl500999r
- W. S. Leong, H. Gong, and J. T. Thong, ACS Nano. 8, 994 (2013).
- X. Chen, Y. J. Park, T. Das, H. Jang, J. B. Lee, and J. H. Ahn, Nanoscale. 8, 15181 (2016). https://doi.org/10.1039/C6NR03318K
- Y. H. Lee, X. Q. Zhang, W. Zhang, M. T. Chang, C. T. Lin, K. D. Chang, Y. C. Yu, J. T. W. Wang, C. S. Chang, L. J. Li, and T. W. Lin, Adv. Mater. 24, 2320 (2012). https://doi.org/10.1002/adma.201104798
- Y. Yu, C. Li, Y. Liu, L. Su, Y. Zhang, and L. Cao, Sci. Rep. 3, 1866 (2013). https://doi.org/10.1038/srep01866
- S. M. Song, T. Y. Kim, O. J. Sul, W. C. Shin, and B. J. Cho, Appl. Phys. Lett. 104, 183506 (2014). https://doi.org/10.1063/1.4875709
- V. Passi, A. Gahoi, J. Ruhkopf, S. Kataria, F. Vaurette, E. Pallecchi, H. Happy, and M. C. Lemme, IEEE, 236 (2016).
- C. Cho, S. K. Lee, J. W. Noh, W. Park, S. Lee, Y. G. Lee, H. J. Hwang, C. G. Kang, M. H. Ham, and B. H. Lee, Appl. Phys. Lett. 106, 213107 (2015). https://doi.org/10.1063/1.4921797
- J. T. Smith, A. D. Franklin, D. B. Farmer, and C. D. Dimitrakopoulos, ACS Nano. 7, 3661 (2013). https://doi.org/10.1021/nn400671z
- H. Y. Park, W. S. Jung, D. H. Kang, J. Jeon, G. Yoo, Y. Park, J. Lee, Y. H. Jang, J. Lee, S. Park, H. Y. Yu, B. Shin, S. Lee, and J. H. Park, Adv. Mater. 28, 864 (2015).