References
- R. J. Gaboriaud, F. Paumier, F. Pailloux, and P. Guerin, Mater. Sci. Eng. B, 109, 34 (2004). [DOI: http://org/10.1016/j.mseb.2003.10.023]
- L. Kang, B. H. Lee, W. Qi, Y. Jem, R. Nich, S. Gopalan, K. Onishi, and J. C. Leen, IEEE Electron. Dev. Lett., 21, 181 (2000). https://doi.org/10.1109/55.830975
- K. Pelhos, V. M. Donnelly, A. Kornblit, M. L. Green, R. B. Van Dover, L. Manchanda, Y. Hu, M. Morris, and E. Bower, J. Vac. Sci. Technol. A, 19, 1361 (2001). [DOI: http://org/10.1116/1.1349721]
- E. S. Lee, Trans. Electr. Electron. Mater., 12, 68 (2011). [DOI: https://doi.org/10.4313/TEEM.2011.12.2.68]
- H. Chakraborty, A. Sinha, S. Chabri, and N. Bhowmik, Trans. Electr. Electron. Mater., 14, 121 (2013). [DOI: http://org/10.4313/TEEM.2013.14.3.121]
- M. Stavrev, D. Fischer, A. Preu, B. C. Wenzel, and N. Mattern, Microelectro. Eng., 33, 269 (1997). [DOI: http://org/10.1016/S0167-9317(96)00054-8]
- J. Zhang, F.H.B. Lima, M. H. Shao, K. Sasaki, J. X. Wang, J. Hanson, and R. R. Adzic, J. Phys. Chem B, 109, 22701 (2005). [DOI: http://org/10.1021/jp055634c]
- C. Q. Jiao, R. Nagpal, and P. Haaland, Chem. Phys. Lett., 265, 242 (1997). [DOI: http://org/10.1016/S0009-2614(96)01419-4]
- G. H. Kim, C. I. Kim, and A. M. Efremov, Vacuum, 79, 231 (2005). [DOI: http://org/10.1016/j.vacuum.2005.03.012]
- W. S. Hwang, J. Chen, W. J. Yoo, and V. Bliznetsov, J. Vac. Sci. Technol. A, 23, 964 (2005). [DOI: http://org/10.1116/1.1927536]
- J. Tonotani, T. Iwamoto, F. Sato, K. Hattori, S. Ohmi, and H. Iwai, J. Vac. Sci. Technol. B, 21, 2163 (2003). [DOI: http://org/10.1116/1.1612517]
- K. J. Park, K. H. Kim, W. M. Lee, H. Chae, I. S. Han, and H. D. Lee, Trans. Electr. Electron. Mater., 10, 35 (2009). [DOI: http://org/10.4313/TEEM.2009.10.2.035]
- H. J. Lee, B. S. Kwon, H. W. Kim, S. I. Kim, D. G. Yoo, J. H. Boo, and N. E. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., 47, 6960 (2008). [DOI: http://org/10.1143/JJAP.47.6960]
- M. H. Shin, S. W. Na, N. E. Lee, T. K. Oh, J. Kim, and T. Lee, J. Ahn, Jpn. J. Appl. Phys., 44, 5811 (2005). [DOI: http://org/10.1143/JJAP.44.5811]
- H. K. Chiu, T. L. Lin, Y. Hu, K. C. Leou, H. C. Lin, M. S. Tsai, and T. Y. Huang, J. Vac. Sci. Technol. A, 19, 455 (2001). [DOI: http://org/10.1116/1.1342866]
- M. Efremov, D. P. Kim, and C. I. Kim, J. Vac. Sci. Technol. B, 75, 133 (2004).
- E. Jud, M. Tang, and Y. M. Chiang, J. Appl. Phys., 103, 114108 (2008). [DOI: http://org/10.1063/1.2937900]
- E. Atanassova, G. Tyuliev, A. Paskaleva, D. Spassov, and K. Kostov, Appl. Surf. Sci., 225, 86 (2004). [DOI: http://org/10.1016/j.apsusc.2003.09.040
- X. Zhao, N. P. Magtoto, and J. A. Kelber, Thin Solid Films, 478, 188 (2005). [DOI: http://org/10.1016/j.tsf.2004.10.042]
- N. Kirchner, K. H. Hallmeier, R. Szargan, T. Raschke, C. Radehaus, and G. Wittstock, Electroanalysis, 19, 1023 (2007). [DOI: http://org/10.1002/elan.200703832]
- S.H.N. Lim, D. G. McCulloch, M.M.M. Bilek, D. R. McKenzie, J. Plessis, M. V. Swain, and R. Wuhrer, Surf. Coat. Technol., 201, 396 (2006). [DOI: http://org/10.1016/j.surfcoat.2005.11.141]