초록
본 연구에서는 HgTe 나노입자 박막 수평열전 플랫폼에 via를 형성하여 나노입자 박막 양단의 온도 차이를 극대화하였다. HgTe 나노입자 박막은 p-type의 열전 특성을 보였으며, HgTe 나노입자 박막 수평열전소자에서 제백계수는 $290{\mu}V/K$이였다. 또한 피부 위의 via 열전 플랫폼을 통해서 향후 차세대 웨어러블 전자 소자의 구현 가능성을 확인하였다.
In this study, we maximize the temperature difference between the ends of a HgTe nanoparticle(NP) thin film on a thermoelectric platform with a through-substrate via. The thermoelectric characteristics of the HgTe NP thin film show p-type behavior and its Seebeck coefficient is $290{\mu}V/K$. In addition, we demonstrate the possibility of wearable thermoelectric devices transforming body heat into electricity from through-substrate via thermoelectric platforms on human skin.