References
- J. G. Kim, S. C. Kang, E. J. Shin, D. Y. Kim, J. H. Lee, and Y. S. Lee, Appl. Chem. Eng., 23, 47 (2012).
- P. S. Su and T. T. Pan, Mat. Chem. Phys., 125, 351 (2001). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.matchemphys.2010.11.001]
- S. H. Lee and J. S. Im, S. C. Kang, and T. S. Bae, Chem. Phys. Lett., 497, 191 (2010). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.cplett.2010.08.002]
- J. G. Park and K. J. Lee, J. Kor. Inst. Met. & Mater., 13, 38 (2000).
- G. Wiegleb and J. Heitbaum, Sens. Act. B, 17, 93 (1994). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/0925-4005(94)87035-7]
- D. E. Williams, Sens. Act. B, 57, 1 (1999). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/S0925-4005(99)00133-1]
- S. Iijima, Nature, 38, 556 (1991).
- K. Lee, J. W. Lee, K. Y. Dong, and B. K. Ju, Sens. Act. B: Chem., 135, 214 (2008). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.snb.2008.08.031]
- S. M. Lee, K. H. An, Y. H. Lee, G. Seifert, and T. Frauenheim, J. Am. Chem. Soc., 123, 5059 (2001). [DOI: http://dx.doi.org/10.1021/ja003751+]
- S. Sharma, S. Hussain, S. Singh, and S. S. Islam, Sens. Act. B: Chem., 194, 213 (2014). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.snb.2013.12.050]
- J. Suehiro, H. Imakiire, S. Hidaka, W. Ding, G. Zhou, K. Imsaka, and M. Hare, Sens. Act. B: Chem., 114, 943 (2006). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.snb.2005.08.043]
- H. J. Yoon, D. H. Jun, J. H. Yang, Z. Zhou, S. S. Yang, and M.M.C. Cheng, Sens. Act. B: Chem., 157, 310 (2011). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.snb.2011.03.035]
- S. Ji, H. Wang, T. Wang, and D. Yan, Adv. Mater., 25, 1755 (2013). [DOI: http://dx.doi.org/10.1002/adma.201204134]
- E. H. Espinosa, R. Ionescu, C. Bittencourt, A. Felten, R. Erni, G. Van Tendeloo, J. J. Pireaux, and E. Llobet, Thin Solid Films, 515, 8322 (2007). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2007.03.017]
- T. Ueda, S. Katsuki, N. Heidari Abhari, T. Ikegami, F. Mitsugi, and T. Nakamiya, Surf. Coat. Technol., 520, 5325 (2008). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.surfcoat.2008.06.009]
- H. S. Kim and K. U. Jang, J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng., 26, 325 (2013).
- J. S. Yang, H. Y. Seong, M. J. Keum, Y. W. Park, C. H. Ka, and K. H. Kim, Trans. KIEE, 7, 18 (2001).
- J. O. Lee, Chem. Eng. Mater., 12, 13 (2009).
- H. S. Kim, S. H. Lee, and K. U. Jang, J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng., 26, 707 (2013).
- B. A. Albiss, W. A. Safhaneh, I. Jumah, and I. M. Obaidat, Sens. J. IEEE, 10, 1807 (2010). [DOI: http://dx.doi.org/10.1109/JSEN.2010.2049739]
- E. Ahn, H. Jung, N. L. Hung, D. Oh, H. Kim, and D. Kim, Kor. J. Mater. Res., 19, 11 (2009). [DOI: http://dx.doi.org/10.3740/MRSK.2009.19.11.631]
- M. K. Kwon and Y. T. Hong, J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng., 22, 38 (2009).
- J. Zhang, S. Wang, Y. Wang, M. Xu, H. Xia, S. Zhang, W. Huang, X. Guo, and S. Wu, Sens. Act. B: Chem., 139, 411 (2009). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.snb.2009.03.014]
- L. Wang, S. Wang, H. Zhang, Y. Wang, J. Yang, and W. Huang, New J. Chem., 38, 2530 (2014). [DOI: http://dx.doi.org/10.1039/c3nj01562a]
- A. Abdellah, A. Abdelhalim, F. Loghin, P. Kohler, Z. Ahmad, G. Scarpa, and P. Lugli, Sens. J. IEEE, 13, 4014 (2013). [DOI: http://dx.doi.org/10.1109/JSEN.2013.2265775]