References
- ITRS, "International technology roadmap for semiconductors, LITHOGRAPHY" (2003).
- N. H. E. Weste and K. Eshraghian, Principles of CMOS Design, 144, Addison Wesley (1993).
- S. Y. Chou, P. R. Krauss and P. J. Renstrom, Appl. Phys. Lett., 67, 3114 (1995). https://doi.org/10.1063/1.114851
- S. Y. Chou, P. R. Krauss and P. J. Renstrom, J. Vac. Sci. Technol. B, 14, 4129 (1996). https://doi.org/10.1116/1.588605
- M. Colburn, S. Johnson, M. Stewart, S. Damle, T. Bailey, B. Choi, M. Wedlake, T. Michaelson, S. V. Sreenvasan, J. Ekertdt and C. G. Willson, Proc. SPIE-Int. Soc. Opt. Eng., 3679, 379 (1999).
- S. Y. Chou, P. R. Krauss and P. J. Renstrom, J. Vac. Sci. Technol. B, 14, 4129, (1996). https://doi.org/10.1116/1.588605
- M. D. Stewart, S. C. Johnson, S. V. Sreenivasan, D. J. Resnick and D. J. Willson, J. Microlith. Microfab. Microsyst., 4, 011002 (2005).
- S. Y. Chou, P. R. Krauss and P. J. Renstrom, Appl. Phys. Lett., 67, 3114 (1995). https://doi.org/10.1063/1.114851
- W. Zhang and S. Y. Chou, Appl. Phys. Lett., 83, 1632 (2003). https://doi.org/10.1063/1.1600505
- S. Y. Chou, P. R. Krauss and P. J. Renstrom, Science, 272, 85 (1996). https://doi.org/10.1126/science.272.5258.85
- K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva and A. A. Firsov, Science, 306, 666 (2004). https://doi.org/10.1126/science.1102896
- A. K. Geim, K. S. Novoselov, Nature Mater., 6, 183 (2007). https://doi.org/10.1038/nmat1849
- K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, M. I. Katsnelson, I. V. Grigorieva, S. V. Dubonos and A. A. Firsov, Nature, 438, 197 (2005). https://doi.org/10.1038/nature04233
- Y. Zhang, Y. W. Tan, H. L. Stormer and P. Kim, Nature, 438, 201 (2005). https://doi.org/10.1038/nature04235
- K. I. Bolotin, K. J. Sikes, Z. Jiang, M. Klima, G. Fudenberg, J. Hone, P. Kim and H. L. Stormer, Solid State Commun., 146, 351 (2008). https://doi.org/10.1016/j.ssc.2008.02.024
- S. V. Morozov, K. S. Novoselov, M. I. Katsnelson, F. Schedin, D. C. Elias, J. A. Jaszczak and A. K. Geim, Phys. Rev. Lett., 100, 016602 (2008). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.100.016602
- A. A. Balandin, S. Ghosh, W. Bao, I. Calizo, D. Teweldebrhan, F. Miao and C. N. Lau, Nano Lett., 8, 902 (2008). https://doi.org/10.1021/nl0731872
- C. Lee, X. Wei, J. W. Kysar and J. Hone, Science, 321, 385 (2008). https://doi.org/10.1126/science.1157996
- R. R. Nair, P. Blake, A. N. Grigorenko, K. S. Novoselov, T. J. Booth, T. Stauber, N. M. R. Peres and A. K. Geim, Science, 320, 1308 (2008). https://doi.org/10.1126/science.1156965
- M. Y. Han, B. Ozyilmaz, Y. B. Zhang and P. Kim, Phys. Rev. Lett., 98, 206805 (2007). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.98.206805
- X. Wang, Y. Ouyang, X. Li, H. Wang, J. Guo and H. Dai, Phys. Rev. Lett., 100, 20 (2008).
- L. Jiao, L. Zhang, L. Ding, J. Liu and H. Dai, Nano Res., 3, 6 (2010).
- X. Li, X. Wang, L. Zhang, S. W. Lee and H. Dai, Science, 319, 5867 (2008).
- S. H. Kang, W. S. Hwang, Z. Lin, S.-H. Kwon and S. W. Hong, Nano Lett., 15, 7913 (2015). https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.5b02946
- K. S. Kim, Y. Zhao, H. Jang, S. Y. Lee, J. M. Kim, K. S. Kim, J.-H. Ahn, P. Kim, J.-Y. Choi and B. H. Hong, Nature, 457, 706. (2009). https://doi.org/10.1038/nature07719
- A. Reina, X. Jia, J. Ho, D. Nezich, H. Son, V. Bulovic, M. S. Dresselhaus and J. Kong, Nano Lett., 9, 30 (2009). https://doi.org/10.1021/nl801827v
- Han, M. Y., B. Ozyilmaz, Y. Zhang and P. Kim, Phys. Rev. Lett., 98, 206805 (2007). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.98.206805
- H.-S. Kim, S. M. Won, Y.-G. Ha, J.-H. Ahn, A. Facchetti, T. J. Marks and J. A. Rogers, Appl. Phys. Lett., 95, 183504 (2009). https://doi.org/10.1063/1.3256223
- S. W. Hong, F. Du, W. Lan, S. Kim, H.-S. Kim and J. A. Rogers, Adv. Mater., 23, 3821 (2011).