참고문헌
- S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, E. J. Jeoung, D.-S. Suh, Y. S. Joung, I. K. Yoo, I. R. Hwang, S. H. Kim, I. S. Byun, J.-S. Kim, J. S. Choi and B. H. Park, Appl. Phys. Lett., 85, 5655 (2004). https://doi.org/10.1063/1.1831560
- B. J. Choi, D. S. Jeong, S. K. Kim, C. Rohde, S. Choi, J. H. Oh, H. J. Kim, C. S. Hwang, K. Szot, R. Waser, B. Reichenberg and S. Tiedke, J. Appl. Phys., 98, 033715 (2005). https://doi.org/10.1063/1.2001146
- R. Waser, R. Dittmann, G. Staikov and K. Szot, Adv. Mater., 21, 2632 (2009). https://doi.org/10.1002/adma.200900375
- J. J. Yang, M. D. Pickett, X. Li, D. A. A. Ohlberg, D. R. Stewart and R. S. Williams, Nat. Nanotechnol., 3, 429 (2008). https://doi.org/10.1038/nnano.2008.160
- I. G. Baek et al., in IEDM Tech. Dig. (2005), pp. 750-753.
- B. Govoreanu, G. S. Kar, Y. Chen, V. Paraschiv, S. Kubicek, A. Fantini, I. P. Radu, L. Goux, S. Clima, R. Degraeve, N. Jossart, O. Richard, T. Vandeweyer, K. Seo, P. Hendrickx, G. Pourtois, H. Bender, L. Altimime, D. J. Wouters, J. A. Kittl, M. Jurczak, B.- Leuven and K. U. Leuven, in IEDM Tech. Dig. (2011), pp. 729-732.
- H. D. Lee, S. G. Kim, K. Cho, H. Hwang, H. Choi, J. Lee, S. H. Lee, H. J. Lee, J. Suh, S. Chung, Y. S. Kim, K. S. Kim, W. S. Nam, J. T. Cheong, J. T. Kim, S. Chae, E. Hwang, S. N. Park, Y. S. Sohn, C. G. Lee, H. S. Shin, K. J. Lee, K. Hong, H. G. Jeong, K. M. Rho, Y. K. Kim, J. Nickel, J. J. Yang, H. S. Cho, F. Perner, R. S. Williams, J. H. Lee and S. K. Park, in VLSI (2012), pp.151-152.
- A. Kawahara, R. Azuma, Y. Ikeda, K. Kawai, Y. Katoh, Y. Hayakawa, K. Tsuji, S. Yoneda, A. Himeno, K. Shimakawa, T. Takagi and T. Mikawa, in IEEE J. Solid State Circ. (2013), pp. 1-8.
- J. J. Yang, D. B. Strukov and D. R. Stewart, Nat. Nanotechnol., 8, 13 (2013).
- S. Pi, M. Ghadiri-Sadrabadi, J. C. Bardin and Q. Xia, Nat. Comm., 6, 7519 (2015). https://doi.org/10.1038/ncomms8519
- J. G. Perkins, J. Non-Cryst. Sol., 7, 349 (1972). https://doi.org/10.1016/0022-3093(72)90270-0
- B. Abeles, P. Sheng, M. D. Coutts and Y. Arie, Adv. Phys., 24, 407 (1975). https://doi.org/10.1080/00018737500101431
- Z. Liu, C. Lee, V. Narayanan, G. Pei and E. C. Kan, IEEE Trans. Elec. Dev., 49, 1606 (2002). https://doi.org/10.1109/TED.2002.802617
- Z. Liu, C. Lee, V. Narayanan, G. Pei and E. C. Kan, IEEE Trans. Elec. Dev., 49, 1614 (2002). https://doi.org/10.1109/TED.2002.802618
- J.-S. Lee, J. Cho, C. Lee, I. Kim, J. Park, Y.-M. Kim, H. Shin, J. Lee and F. Caruso, Nat. Nanotechnol., 2, 790 (2007). https://doi.org/10.1038/nnano.2007.380
- T. H. Kim, E. Y. Jang, N. J. Lee, D. J. Choi, K.-J. Lee, J. Jang, J. Choi, S. H. Moon and J. Cheon, Nano Lett., 9, 2229 (2009). https://doi.org/10.1021/nl900030n
- A. B. K. Chen, S. G. Kim, Y. Wang, W.-S. Tung and I.-W. Chen, Nat. Nanotechnol., 6, 237 (2011). https://doi.org/10.1038/nnano.2011.21
- J. H. Yoon, J. H. Han, J. S. Jung, W. Jeon, G. H. Kim, S. J. Song, J. Y. Seok, K. J. Yoon, M. H. Lee and C. S. Hwang, Adv. Mater., 25, 1987 (2013). https://doi.org/10.1002/adma.201204572
- B. J. Choi, A. B. K. Chen, X. Yang and I.-W. Chen, Adv. Mater., 23, 3847 (2011).
- X. Yang, I. Tudosa, B. J. Choi, A. B. K. Chen and I. Chen, Nano Lett., 14, 5058 (2014). https://doi.org/10.1021/nl501710r
- A. B. K. Chen, B. J. Choi, X. Yang and I.-W. Chen, Adv. Func. Mater., 22, 546 (2012). https://doi.org/10.1002/adfm.201102208
- D. Lee and T. Tseng, J. Appl. Phys., 114117, (2012).
- B. J. Choi, A. C. Torrezan, K. J. Norris, F. Miao, J. P. Strachan, M.-X. Zhang, D. A. A. Ohlberg, N. P. Kobayashi, J. J. Yang and R. S. Williams, Nano Lett., 13, 3213 (2013). https://doi.org/10.1021/nl401283q
- X. Yang and I.-W. Chen, Sci. Rep., 2, 744 (2012). https://doi.org/10.1038/srep00744
- X. Yang, A. B. K. Chen, B. Joon Choi and I.-W. Chen, Appl. Phys. Lett., 102, 043502 (2013). https://doi.org/10.1063/1.4790158
- D. Ielmini, S. Lavizzari, D. Sharma and A. L. Lacaita, in IEDM Tech. Dig. (IEEE, 2007), pp. 939-942.
- G. W. Burr, B. N. Kurdi, J. C. Scott, C. H. Lam, K. Gopalakrishnan and R. S. Shenoy, IBM J. Res. Dev., 52, 449 (2008). https://doi.org/10.1147/rd.524.0449
- S. Raoux, W. Wenic and D. Ielmini, Chem. Rev., 110, 240 (2010). https://doi.org/10.1021/cr900040x