References
- H. J. Shin, M.Y. Son, B. H. Kim, Y. H. Kim, C. A. Lee, K. S. Kim, J. J. Kim, C. H. Oh and I. B. Kang, SID Digest 186 (2011).
- S. Masuda, K. Kitamura, Y. Okumura, S. Miyatake, H. Tabata, and T. Kawai, J. Appl. Phys. 93, 1624 (2003). https://doi.org/10.1063/1.1534627
- R. L. Hoffman, B. J. Norris, and J. F. Wager, Appl. Phys. Lett. 82, 733 (2003). https://doi.org/10.1063/1.1542677
- P. F. Carcia, R. S. McLean, M. H. Reilly, and G. Nunes, Appl. Phys. Lett. 82, 1117 (2003). https://doi.org/10.1063/1.1553997
- Toshiaki Arai and Tatsuya Sasaoka, SID Digest 710 (2011).
- K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Nature 432, 488 (2004). https://doi.org/10.1038/nature03090
- N. Komiya, C.Y. Oh, K.M. Eom, J.T. Jeong, H.K. Chung and O.K. Kwon, IDW03 275 (2003).
- J. W. Hamer, A. D. Arnold, M. L. Boroson, et al., Journal of the SID 16, 3 (2008).
- JW.-J. Nam, J.-S. Shim, H.-J. Shin, et al., SID Digest 243 (2013).
- C.-H. Oh, H.-J. Shin, W.-J. Nam, et al., SID Digest 239 (2013).
- R. M. A. Dawson, Z. Shen, D.A. Furst, et al., Proc. SID Digest 11 (1998).
- T. Sasaoka, M. Sekiya, A. Yumoto, et al., SID Digest 384 (2001).
- K. Inukai, H. Kimura, M. Mizukami, et al., SID Digest 924 (2000).
- D. Fish, N. Young, S. Deane, et al., SID Digest 1340 (2005).
- GR Chaji, et al., Device Letters, IEEE 1108 (2007).