References
- M. Henini, J. Ibanez, M. Schmidbauer, M. Shafi, S. V. Novikov, L. Turyanska, S. I. Molina, D. L. Sales, M. F. Chisholm, and J. Misiewicz, Appl. Phys. Lett. 91, 251909 (2007). https://doi.org/10.1063/1.2827181
- B. Fluegel, S. Francoeur, A. Mascarenhas, S. Tixier, E. C. Young, and T. Tiedje, Phys. Rev. Lett. 97, 067205 (2006). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.97.067205
- S. Francoeur, M. J. Seong, A. Mascarenhas, S. Tixier, M. Adamcyk, and T. Tiedje, Appl. Phys. Lett. 82, 3874 (2003). https://doi.org/10.1063/1.1581983
- K. Oe, Jpn. J. Appl. Phys. 41, 2801 (2002). https://doi.org/10.1143/JJAP.41.2801
- R. Kudrawiec, P. Poloczek, J. Misiewicz, M. Shafi, J. Ibanez, R. H. Mari, M. Henini, M. Schmidbauer, S. V. Novikov, L. Turyanska, S. I. Molina, D. L. Sales, and M. F. Chisholm, Microelectronics Journal 40, 537 (2009). https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.06.025
- J. F. Rodrigo, D. L. Sales, M. Shafi, M. Henini, L. Turyanska, S. Novikov, and S. I. Molina, Applied Surface Science 256, 5688 (2010). https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2010.03.017
- R. Kudrawiec, M. Syperek, P. Poloczek, J. Misiewicz, R. H. Mari, M. Shafi, M. Henini, Y. Galvao Gobato, S. V. Novikov, J. Ibanez, M. Schmidbauer, and S. I. Molina, J. Appl. Phys. 106, 023518 (2009). https://doi.org/10.1063/1.3168429
- O. M. Lemine, A. Alkaoud, H. V. Avanco Galeti, V. Orsi Gordo, Y. Galvao Gobato, Houcine Bouzid, A. Hajry, and M. Henini, Superlattices and Microstructures 65, 48 (2014). https://doi.org/10.1016/j.spmi.2013.10.002
- A. R. H. Carvalho, V. Orsi Gordo, H. V. A. Galeti, Y. Galvao Gobato, M. P. F. de Godoy, R. Kudrawiec, O. M. Lemine, and M. Henini, J. Phys. D: Appl. Phys. 47, 075103 (2014). https://doi.org/10.1088/0022-3727/47/7/075103
- A. R. Mohmad, F. Bastiman, C. J. Hunter, R. Richards, S. J. Sweeney, J. S. Ng, and J. P. R. David, Appl. Phys. Lett. 101, 012106 (2012). https://doi.org/10.1063/1.4731784
- A. R. Mohmad, F. Bastiman, C. J. Hunter, J. S. Ng, S. J. Sweeney, and J. P. R. David, Appl. Phys. Lett. 99, 042107 (2011). https://doi.org/10.1063/1.3617461
- A. J. Ptak, France R., D. A. Beaton, K. Alberi, J. Simon, A. Mascarenhas, and C. S. J. Jiang, Cryst. Growth 338, 107 (2012). https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2011.10.040
- S. J. Sweeney and S. R. Jin, J. Appl. Phys. 113, 043110 (2013). https://doi.org/10.1063/1.4789624
- B. Pursley, M. Luengo-Kovac, G. Vardar, R. S. Goldman, and V. Sih, Appl. Phys. Lett. 102, 022420 (2013). https://doi.org/10.1063/1.4781415
- S. Mazzucato et al, Appl. Phys. Lett. 102, 252107 (2013). https://doi.org/10.1063/1.4812660
- S. Mazzucato et al, Semicond. Sci. Technol. 28, 022001 (2013). https://doi.org/10.1088/0268-1242/28/2/022001
- H. Tong, X. Marie, and M. W. Wu, J. Appl. Phys. 112, 063701 (2012). https://doi.org/10.1063/1.4752424
- G. Ciatto, E. C. Young, F. Glas, J. Chen, R. Alonso Mori and T. Tiedje, Phys. Rev. B 78, 035325 (2008). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.78.035325
- G. Ciatto, M. Thomasset, F. Glas, X. Lu, and T. Tiedje, Phys. Rev. B 82, 201304 (2010). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.82.201304
- D. L. Sales et al, Appl. Phys. Lett. 98, 101902 (2011). https://doi.org/10.1063/1.3562376