References
- F. Mondon and S. Blonkowski., Microelectronics Reliability, 43, 1259 (2003). https://doi.org/10.1016/S0026-2714(03)00181-1
- J. K. Jeong, J. H. Jeong, H. W. Yang, J. S. Park, Y. G. Mo, and H. D. Kim, Appl. Phys. Lett., 91, 113505 (2007). https://doi.org/10.1063/1.2783961
- J. S. Park, T. W. Kim, D. Stryakhilev, J. S. Lee, S. G. An, Y. S. Pyo, D. B. Lee, Y. G. Mo, D. U. Jin, and H. K. Chung, Appl. Phys. Lett., 95, 013503 (2009). https://doi.org/10.1063/1.3159832
- P. Barquinha, L. Pereira, G. Goncalves, R. Martins, and E. Fortunato, J. Electrochemical Society, 156, H161 (2009). https://doi.org/10.1149/1.3049819
- J. H. Jeong, H. W. Yang, J. S. Park, J. K. Jeong, Y. G. Mo, H. D. Kim, J. Song, and C. S. Hwang, Electrochemical and Solid State Lett., 11, H157 (2008). https://doi.org/10.1149/1.2903209
- H. Hosono, K. Nomura, Y. Ogo, T. Uruga, and T. Kamiya, J. Non-Cryst. Solids., 354, 2796 (2008). https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2007.10.071
- P. Barquinha, A. Pimentel, A. Marques, L. Pereira, R. Martins, and E. Fortunato, J. Non-Cryst. Solids, 352, 1749 (2006). https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2006.01.067
- J. S. Park, J. K. Jeong, Y. G. Mo, H. D. Kim, and C. J. Kim, Appl. Phys. Lett., 93, 033513 (2008). https://doi.org/10.1063/1.2963978
- R. Martins, E. Fortunato, P. Nunes, I. Ferreira, A. Marques, M. Bender, N. Katsarakis, V. Cimalla, and G. Kiriakidis, J. Appl. Phys., 96, 1398 (2004). https://doi.org/10.1063/1.1765864
- E. Chong, Y. S. Chun, S. H. Kim, and S. Y. Lee, Journal of Electrical Engineering & Technology, 6, 539 (2011). https://doi.org/10.5370/JEET.2011.6.4.539
- K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono, ECS J. Solid State Sci. Technol., 2, 5 (2013). https://doi.org/10.1149/2.025310jss
- T. Kamiya, K. Nomura, and H. Hosono, Sci. Technol. Adv. Mater., 11, 044305 (2010). https://doi.org/10.1088/1468-6996/11/4/044305
- S. Hwang, J. H. Lee, C. H. Woo, J. Y. Lee, and H. K. Cho, Thin Solid Films, 519, 5146 (2011). https://doi.org/10.1016/j.tsf.2011.01.074
- L. M. Terman, Solid-State Electron, 5, 285 (1962). https://doi.org/10.1016/0038-1101(62)90111-9
- H. S. Shin, B. D. Ahn, Y. S. Rim, and H. J. Kim, J. KIEEME, 24, 473 (2011).