전자공학회논문지 (Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers)

  • 제51권3호
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  • Pages.45-54
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  • 2014
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  • 2287-5026(pISSN)
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  • 2288-159X(eISSN)
대한전자공학회 (The Institute of Electronics and Information Engineers)
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W-band 도파관 FTO 적용을 위한 전류제한 InP Gunn diode 설계 및 제작

Design and fabrication of current limiting InP Gunn diode for W-band waveguide FTO

  • 고동식 (동국대학교 전자전기공학부 밀리미터파 신기술 연구센터) ;
  • 곽노성 (동국대학교 전자전기공학부 밀리미터파 신기술 연구센터) ;
  • 김영진 (동국대학교 전자전기공학부 밀리미터파 신기술 연구센터) ;
  • 허준우 (동국대학교 전자전기공학부 밀리미터파 신기술 연구센터) ;
  • 고필석 (동국대학교 전자전기공학부 밀리미터파 신기술 연구센터) ;
  • 김삼동 (동국대학교 전자전기공학부 밀리미터파 신기술 연구센터) ;
  • 박현창 (동국대학교 전자전기공학부 밀리미터파 신기술 연구센터) ;
  • 이진구 (동국대학교 전자전기공학부 밀리미터파 신기술 연구센터) ;
  • 전영훈 (LIG 넥스원 ISR연구센터 R&D Lab) ;
  • 이석철 (LIG 넥스원 ISR연구센터 R&D Lab)
  • 투고 : 2013.11.25
  • 발행 : 2014.03.25
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초록

전류제한 에피 구조를 적용하여 MINT에서 개발한 최적화된 공정방법으로 InP Gunn 다이오드 칩을 제작하고 칩을 이용하여 MINT의 최적화된 조건을 이용하여 패키지 하였다. 또한 제작된 패키지 InP Gunn 다이오드의 RF 특성을 측정하기 위하여 2체배 구조의 W-band 도파관 FTO(Fixed Tuned Oscillator)를 설계 및 제작하였다. 패키지된 InP Gunn 다이오드는 ceramic ring, Au plating stud와 lid 그리고 Maltese cross로 구성되어있다. 측정된 20개의 InP Gunn 다이오드는 최대 전류가 399 mA의 전류특성을 가지고 92.9~94.78 GHz에서 발진하였고 11.8~17.8 dBm 의 출력전력을 얻었다.

In this paper, We have designed and fabricated 20 InP Gunn diodes using a current limiting epitaxial structure by MINT's optimized fabrication processes. We have also packaged the fabricated InP Gunn diodes using our optimized packaging method, and then designed and fabricated a W-band waveguide FTO to measure characteristics of the packaged InP Gunn diodes. The packaged InP Gunn diode have a ceramic ring, a Au plated stud and a lid, and a Maltese cross. The fabricated InP Gunn diodes have good RF characteristics such as high output powers (11.8~17 dBm) and limiting low currents (less than 400 mA) between 92.9 and 94.78 GHz.

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