Abstract
In this study, the influence degree of the scattering of the line depending on the incident energy of the radiation objective was to evaluate a new method of quantitative methods of PSNR is provided.Value of MSE and PSNR of the DR and the Target is placed at the left when there was no change in CR Target, the change appeared to ttaran MSE and PSNR value in tube voltage. Both CR and DR seen that there is a variation of the MSE and PSNR depending on the tube voltage change Computon showed that the scattered radiation effects. If the CR and DR 80 The changes in the MSE and PSNR experience the symptoms suddenly occur in areas kVp was found to affect the optoelectronic Computon E, and at the same time, the scattered radiation detector Computon Computon by scattering due to the photoelectric effect. CR and DR of the imaging device in the future on the basis of the energy bands of the photoelectric effect of 60 kVp 70 kVp, 80 kVp, 90 kVp, compares the value of the PSNR and MSE 100 kVp in accordance with the change of the tube voltage of the CR and device DR proposes jigil scattering study of the degradation of the line quality is achieved.
본 연구에서는 방사선의 투사에너지에 따라 달라지는 산란선의 영향정도를 객관적이고 정량적인 방법인 PSNR로 평가할 수 있는 새로운 방법은 제시하고자 하였다. Target을 CR로 두었을 때와 Target을 DR로 두었을 때의 MSE와 PSNR의 값에는 변화가 없었으며, 관전압에 따란 MSE와 PSNR값에 변화가 나타났다. CR과 DR 모두 관전압 변화에 따라서 MSE와 PSNR의 변화가 있는 것으로 보아 Computon 산란선 영향이 있는 것으로 나타났다. CR과 DR의 경우 80 kVp영역에서 MSE와 PSNR의 변화가 급격하게 일어나는 현상이 발생하는 것은 광전효과에 의한 광전자와 Computon 산란에 의한 Computon 전자, 그리고 Computon 산란선이 동시에 검출기에 영향을 미친 것으로 나타났다. 향후 CR과 DR장치의 영상에서 광전효과의 에너지 대역인 60 kVp를 기준으로 하여 70 kVp, 80 kVp, 90 kVp, 100 kVp의 MSE와 PSNR 의 값을 비교하여 관전압의 변화에 따라 CR과 DR의 장치의 산란선과 화질저하에 대한 연구가 이루어지길 제안한다.