참고문헌
- Huang, M. H.; Mao, S.; Feick, H.; Yan, H.; Wu, Y.; Kind, H.; Weber, E.; Russo, R.; Yang, P. Science. 2001, 292, 1897 [DOI: http://dx.doi.org/10.1126/science.1060367].
- Yan, H.; Johnson, J.; Law, M.; He, R.; Knutsen, K.; McKinney, J. R.; Pham, J.; Saykally, R.; Yang, P. Adv. Mater. 2003, 15, 1907 [DOI:http://dx.doi.org/10.1002/adma.200305490].
- Konenkamp, R.; Word, R.C.; Schlegel, C. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 6004 [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.1836873].
- Wang, H. T.; Kang, B. S.; Ren, F.; Tien, L. C.; Sadik, P. W.; Norton, D. P.; Pearton, S. J.; Lin, J. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 243503 [DOI:http://dx.doi.org/10.1063/1.1949707].
- Law, M.; Greene, L. E.; Johnson, J. C.; Saykally, R.; Yang, P. Nature Mater. 2005, 4, 455 [DOI: http://dx.doi.org/10.1038/nmat1387].
- Xiong, G.; Wilkinson, J.; Mischuck, B.; Tuzemen, S.; Ucer, K. B.; Williams, R. T. Appl. Phys. Lett. 2002, 70.1195.
- Ma, Y.; Du, G. T.; Yang, S. R.; Li, Z. T.; Zhao, B. J.; Yang, X. T.; Yang, T. P.; Zhang, Y. T.; Liu, D. L. J. Appl. Phys. 2004, 95, 6268. https://doi.org/10.1063/1.1713040
- Jiang, X.; Wong, F. L.; Fung, M. K.; Lee, S. T. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 1875 [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.1605805].
- Yu, Z. G.; Wu, P.; Gong, H. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 132114 [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.2174089].
- Kang, H. S.; Ahn, B. D.; Kim, J. H.; Kim, G. H.; Lim, S. H.; Chang, H. W.; Lee, S. Y. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 202108 [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.2197317].
- Kim, K.; Debnath, P. C.; Park, D.-H.; Kim, S. S.; Lee, S. Y. Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 083103 [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.3290247].
- Zou, C. W.; Gao, W. Trans. Electr. Electron. Mater. 2010, 11, 1 [DOI: http://dx.doi.org/10.4313/TEEM.2010.11.1.001].
- Yuan, G. D.; Zhang, W. J.; Jie, J. S.; Fan, X.; Tang, J. X.; Shafiq, I.; Ye, Z. Z.; Lee, C. S.; Lee, S. T. Adv. Mater. 2008, 20, 168 [DOI:http://dx.doi.org/10.1002/adma.200701377].
- Sakurai, M.; Wang, Y. G.; Uemura, T.; Aono, M. Nanotechnology. 2009, 20, 155203 [DOI: http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/20/15/155203].
- Terasako, T.; Shirakata, S. Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44, L1410-L1413 [DOI: http://dx.doi.org/10.1143/JJAP.44.L1410].
- Lee, S. Y.; Song, Y. W.; Jeon, K. A. J. Cryst. Growth. 2008, 310, 4477 [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2008.07.041].
- Song, Y. W.; Lee, S. Y. Thin Solid Films. 2008, 518, 1323.
- Goris, L.; Noriega, R.; Donovan, M.; Jokisaari, J.; Kusinski, G.; Salleo, A. J. Electron. Mater. 2009, 38, 586 [DOI: http://dx.doi.org/10.1007/s11664-008-0618-x].
- Burstein, E. Phys. Rev. 1954, 93, 632 [DOI: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRev.93.632].
- Moss, T. S. Proc. Phys. Soc. Lond. 1954, B 67, 775.
- Zhong, J.; Malcolm, S. G. Nano. Lett. 2006, 6, 128-132 [DOI:http://dx.doi.org/10.1021/nl062183e].
피인용 문헌
- A comprehensive optimization of aluminum concentration in ZnO nanocrystals by novel simple methods vol.11, pp.6, 2015, https://doi.org/10.1007/s13391-015-5075-0