초록
본 논문에서는 ${\pi}$형 다중결합선로와 RCR 삽입구조를 이용하여 양호한 절연특성을 가짐과 동시에, 종래에 비해 상당히 축소된 형태의 초소형 윌킨슨 전력분배기를 GaAs MMIC상에 구현하였다. 본 논문에서 제안한 RCR 삽입설계법에 의해 윌킨슨 전력분배기의 선로길이가 ${\lambda}$/46까지 축소되어도 중심주파수에서 -23 [dB]의 절연특성이 유지되었으며, -8 [dB]의 절연특성을 가지는 종래의 ${\pi}$형 다중결합선로 윌킨슨 전력분배기에 비해 절연특성이 개선되었다. 본 논문에서 제안한 윌킨슨 전력분배기의 면적은 0.304 [$mm^2$]로서 GaAs상에 동일한 조건으로 제작된 종래의 윌킨슨 전력분배기 면적의 12.1%밖에 되지 않는다. 상기 윌킨슨 전력분배기는 C/X 밴드에서 양호한 RF 특성을 나타내었다.
In this work, using a ${\pi}$-type multiple coupled microstrip line structure (MCMLS) and RCR (Resistor Capacitor Resistor) structure, we fabricated ultra-compact and high isolation Wilkinson power divider on GaAs MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit). The line length of the Wilkinson power divider was reduced to about ${\lambda}$/46, and its size was 0.304 [$mm^2$], which is 12.1 % of conventional one. Compared with conventional Wilkinson power divider, isolation characteristic of the proposed Wilkinson power divider was highly improved by using RCR insertion method. The proposed Wilkinson power divider showed good RF performances in C/X band.