전자통신동향분석 (Electronics and Telecommunications Trends)
- 제27권1호
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- Pages.74-85
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- 2012
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- 1225-6455(pISSN)
GaN 전자소자 글로벌 연구개발 동향
Global R&D Trends of GaN Electronic Devices
초록
차세대 화합물 반도체 플랫폼으로 각광을 받고 있는 GaN 전자소자 글로벌 연구개발 동향에 관하여 기술하고자 한다. GaN 전자소자는 와이드 밴드갭(Eg=3.4eV)과 고온 안정성(
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